半导体技术杂志

我国半导体代工业市场可持续发展的探研

关键词: 工业市场  半导体  可持续发展  逻辑电路  市场展望  微处理器  微控制器  市场销售  模拟电路  销售额  

二、我国半导体代工业的市场展望 从2004年的世界IC营销中来看，销售额排名前三位的是微处理器、微控制器和逻辑电路存储器，销售额分别为497．4亿美元、493亿美元和472．3亿美元。市场销售率上升最快的是存储器，达到45．3％，其次是逻辑电路和模拟电路。

扩散和清洗的发展方向——国产半导体设备探讨

关键词: 半导体设备  集成电路产业  国产  清洗  扩散  发展速度  行业调查  调查报告  市场  中国  

近年来，我国集成电路产业发展速度举世瞩目，并呈现稳定增长势头。据一家美国集成电路行业调查公司IC Insights的调查报告显示：中国将在今年成为最大的集成电路市场。今年市场总额为343亿美元，到2010年中国集成电路市场总额将达950亿美元。

把创新进行到底——专访江阴新潮集团创始人、江苏长电科技董事长王新潮

关键词: 半导体分立器件  创始人  董事长  集团  江阴  创新  科技  江苏  技术经济指标  小企业  

问：我们了解到。长电在十多年前还是一个资不抵债、名不见经传的小企业。如今的长电不但成功上市。还在集成电路和半导体分立器件器件装业树立了一个行业领先者的形象。而且其各项技术经济指标在国内同类企业中名列前茅。对此。请问您如何评价您所创业的这个企业和团队。

氟化非晶碳薄膜（a—C：F）的制备与表征

关键词: 电子回旋共振  非晶氟化碳  x光电子能谱  低介电常数  

C4F8和CH4为源气体，采用电子回旋共振等离子体化学汽相沉积（ECR-CVD）方法，在不同气体混合比条件下沉积了非晶氟化碳（a-C：F）薄膜低k层间介质。实验中薄膜的沉积速率可达220nm／min，测得的介电常数为2．14～2．58。X光电子能谱表明，随着甲烷含量增大，薄膜中CF3CF2结构含量减少而CF和C^＊-CFx（x=1～3）交联结构增多；原子力显微镜表明，...

更正

磁控溅射制备柔性衬底ZnO：Ga透明导电膜研究

关键词: 磁控溅射  柔性衬底  光电特性  

室温下，采用磁控溅射方法在有机柔性衬底聚酰亚胺（PI）表面制备出ZnO：Ga透明导电薄膜，研究了薄膜的结构及光电性能，其附着性良好，电阻率为9．1×10^-4Ω·cm，可见光透过率为85％。

Si衬底GaN基材料及器件的研究

关键词: gan  si衬底  外延生长  

GaN具有禁带宽、热导率高等特点，广泛应用于光电子和微电子器件领域。Si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介绍了Si衬底GaN基材料生长及特性方面的研究现状和GaN基器件的进展情况。

纳米TiO2添加剂对TiO2压敏陶瓷性能的作用

关键词: 二氧化钛  压敏陶瓷  添加剂  烧结温度  

为了改善TiO2压敏陶瓷材料的电学性能，通过添加少量的纳米TiO2，使其压敏电压有了明显的降低，非线性系数有了明显的提高，并对其原因进行了合理分析。结果表明，随着烧结温度的提高，总趋势是压敏电压下降，非线性系数提高。当添加5oA纳米TiO2并在1400℃烧结时，样品显示出较好的压敏特性：V1mA=4．66V／mm，a=4．73和εr=1．19×10^4。

用X双晶衍射法研究InGaAs／GaAs量子阱结构

关键词: 分子束外延  超晶格半导体  x射线双晶衍射  

用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs／GaAs量子阱结构材料进行了测试分析。结果表明，在材料生长过程中，深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、Ⅴ／Ⅲ速流比等实验条件，得到了质量较好的材料。同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现象进行了理论分析。

HF／O3在300mm硅片清洗中的应用

关键词: 硅片  rca清洗  兆声波  

随着半导体技术的不断发展，集成电路的线宽在不断减小，对硅抛光片表面质量的要求也越来越高，传统的RAC清洗方法已不能满足其需求，因此，必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍，分析了其中的不足之处，在此基础上，对新发展的HF／O3槽式清洗法和HF／O3单片清洗法进行了详细的说明，从而对300mm硅片清洗方法的未来...

硅晶片化学机械抛光中的化学作用机理

关键词: 化学机械抛光  软质层  化学作用  

通过分析硅晶片化学机械抛光过程中软质层的形成及其对材料去除过程的影响，研究了使用纳米CeO2磨料进行化学机械抛光中的化学作用机理。分析表明，软质层是抛光液与硅晶片反应形成的一层覆盖在硅基体表面的腐蚀层，其硬度比基材小，厚度大约在几个纳米。软质层的存在一方面增大单个磨料所去除材料的体积，增加材料去除速率；另一方面减小了磨料...

等离子体刻蚀工艺控制模型分析

关键词: 等离子体刻蚀  主因素分析法  神经网络法  

讨论了主因素分析法以及神经网络法在等离子体刻蚀工艺中的应用。结果表明主元素分析法可以实现对数据的压缩，而神经网络算法则显示出比传统的统计过程控制算法更好的准确性。

滴胶过程中的Z轴误差补偿

关键词: 滴胶  误差补偿  一致性  滴胶高度  

在滴胶过程中能够得到一致性较好的滴胶效果，是芯片粘接的基本要求。影响胶滴一致性的因素有很多，其中滴胶高度是否一致是最主要的影响因素之一。通过对Z轴的误差进行补偿使得滴胶高度保持一致，以消除其对滴胶一致性的影响。实验证明，通过这种方法补偿可以得到满足实验一致性要求的滴胶效果。

快速评价半导体器件失效激活能的方法

关键词: 激活能  加速寿命试验  快速评价  

通过对序进应力加速寿命试验的研究，提出了一种快速评价半导体器件失效激活能的方法，建立了计算失效激活能的理论模型。并对硅pnp三极管3CG120进行额定功率下，170-345℃范围内的序进应力加速寿命试验，快速提取器件失效敏感参数hFE与所施加应力的关系，根据模型对器件退化过程中的失效机理进行研究、计算，从而确定其对应的失效激活能。

用于混合信号系统的模／数分块一体化测试技术

关键词: 混合信号系统  数字一体化  测试技术  分块  存储器接口  可测性设计  测试方法  系统测试  测试策略  iddq  

为了解决混合信号系统中三种模块：模拟、数字和存储器接口之间存在的难以测试的问题，讨论了一种模拟／数字一体化的测试技术，包括三种模块的测试方法、系统测试的分块、可测性设计（DFT）、自测试策略和方案等，并说明了互连测试和准静态电流IDDQ测试法可为该项新技术提供有效的解决方案。

对晶体管阵列热阻和电老炼相关技术的探讨

关键词: 晶体管阵列  热阻  电老炼  

为解决在未知最大额定功耗的情况下进行电老炼的问题，提供了晶体管阵列热阻和电老炼的相关技术与方法，指出了如何利用热阻去推算最大功耗以及如何验证推算的正确性，最后给出了晶体管阵列老炼时应注意的问题。

探求提高军用电子元器件质量检测能力的途径

关键词: 可靠性  标准  质量控制  

通过对GJB548“微电子器件试验方法和程序”顶层结构的剖析和典型具体细微内容的研究，对本标准的科学性、涉及学科的广泛性和先进性、可操作性及整体水平做出了评价；对如何学习、使用GJB548“微电子器件试验方法和程序”阐述了意见；倡导在正确使用的基础上，深入研究标准中执行条款的依据；最后对如何通过吐故纳新使GJB548“微电子器件试验方...

三维存储器模块热分析技术的研究

关键词: 微电子封装  三维多芯片组件  热分析  有限元法  

随着3D封装密度的加大，单位体积的热容量增加，对3D封装的热分析与热设计技术就显得越来越重要了。针对某3DSRAM模块，对其结构特点和工作方式进行了分析，通过Ansys有限元仿真工具对模块内部温度场进行了仿真，并与实验数据进行了对比，为3DSRAM模块的可靠性设计提供了有利的技术支持。

不断壮大的无线通信市场挑战无线测试技术

关键词: 无线通信标准  测试技术  通信市场  十字路口  多因素  

无线测试技术目前正走到一个从未有过的十字路口，主要是由以下诸多因素引起的： ●新的无线通信标准 ◆WiMax（802．16） ◆UWB（Ultra-wideband） ◆802.11n

晶体管倒装芯片微型化技术的探讨

关键词: 倒装晶体管  芯片  框架  

微型倒装晶体管是电子产品微小型化的必然要求，对微型倒装晶体管的制造及工艺进行了探讨.

一种集成电路高压传输控制电路结构

关键词: 高压  传输控制  nmos  

集成电路设计中，用逻辑电平控制高压信号传输的情况很多，而传统的高压传输控制电路的结构过于复杂，版图面积较大且受工艺限制。介绍的电路能有效实现高压信号的传输和控制，且电路结构简单，利用两个NMOS实现了数字信号对高压信号的传输控制，大大简化了高压传输控制电路的复杂度。

Ku波段一体化五倍频器的设计

关键词: 倍频器  一体化  ansoft软件  

用微波仿真软件Ansoft Designer1．0及HFSS9．0设计出了Ku波段一体化五倍频器，其中用阶跃恢复二极管制作的五倍频器具有温度稳定性好、效率高的特点。滤波器与组件结构的一体化设计是论述重点，实验结果验证了该方法的正确性。

深圳市亚科希信息顾问有限公司北京办乔迁通告

06年全球芯片资本投资470亿

关键词: 资本投资  芯片  全球  证券公司  资本支出  半导体  英特尔  银行  

据投资银行Pacific Crest证券公司发表的一份报告称，在半导体领域的资本支出方面，2006年英特尔和三星将斗个旗鼓相当。

我国半导体产业持续增长2005年产IC300亿块

关键词: 半导体产业  持续增长  集成电路  销售收入  同比增长  总产量  第二届  销售额  

从1月16日、17日在上海举行的第二届中国半导体首脑峰会获悉，去年集成电路（IC）产业总产量约300亿块，与上年同期相比增长36．7％，销售收入约750亿元，同比增长37．5％。预计2006年将继续保持这种良好的增长态势，产量将达到420亿块，销售额将达1020亿元。

美国放松半导体设备对华出口政策但仍需改进

关键词: 美国政府  半导体设备  政策  出口  制造设备  松  

美国政府的一名官员日前表示，美国在简化其IC制造设备对华出口政策方面正在稳步推进，但仍然“有改善的余地”。

500亿元驰援信产部力挺IT公司做大

关键词: it公司  电子信息产业  调控措施  经济运行  金额  项目  

“加大对大公司的扶持力度，突破原先在支持项目和资助金额上的限制。”1月4日，信产部公布的2006年电子信息产业经济运行调控措施（以下称“调控措施”），让业界为之震惊。

台湾当局可能重罚联电并要求其撤回和舰投资

关键词: 投资  台湾省  典型事例  司法鉴定  大陆  舰  企业  违规  罚款  审计  

作为台湾当局限制岛内企业赴祖国大陆投资的一个典型事例，联电涉嫌违规投资大陆案一直备受海内外关注。日前，台湾媒体报道称，联电可能因此案遭受2500万元新台币的罚款。与此同时，台湾当局还将要求对岛内企业赴大陆投资的申请进行司法鉴定审计，并限制岛内企业通过第三地赴祖国大陆投资。

科稠登2006年系列研讨会（华南区）在深圳成功举行

关键词: 深圳  南区  

2006年1月9日科利登2006年系列研讨会在深圳圣廷苑酒店隆重揭幕。本站会议为期两天，共分为两部分：

第二届中国半导体行业首脑峰会

关键词: 半导体行业  第二届  中国  股份有限公司  altera  脑  微电子技术  上海浦东  咨询机构  产业链  

2006年第二届中国半导体行业首脑峰会于1月16日至17日在上海浦东淳大万丽酒店举行。来自美林银行、埃森哲、Altera等全球顶尖投资银行、咨询机构；大唐微电子技术有限公司，中芯国际（SMIC），长电科技股份有限公司等半导体产业链的代表公司参加了此会。150位国际国内资深决策者，充分探讨全球产业变革和整合的背景下中国的机遇和策略。

北京投资六亿美元引入了第三条芯片生产线

关键词: 生产线  北京市  总投资  芯片  美元  工业开发区  项目  首钢  

日前，北京市工业促进局对外宣布，总投资6亿美元的200mm芯片项目即日在北京市林河工业开发区启动建设，这是北京继首钢的150mm芯片生产线和中芯国际的300mm芯片生产线后，引入的第三条芯片生产线。

半导体产业新闻

关键词: 半导体产业  新闻  mosfet  磁性半导体  voip  半导体灯  发明奖  poe  微硬盘  生产线  

中芯为杭州国芯赢得了“重大接术发明奖”；VoIP普及将刺激半导体产业疯狂增长；全球最薄透明磁性半导体问世；IR推出100V集成MOSFET解决方案为PoE应用节省80％的占位空间；杰尔为1．0英寸微硬盘提供芯片方案容量可超过12G；西部首条“半导体灯”生产线在铜梁投产。