半导体技术杂志

方形扁平无引线QFN封装的研究及展望

关键词: 封装  无引线封装  半导体器件  

方形扁平无引线（QFN）封装是方形扁平封装（QFP）和球栅阵列（BGA）封装相结合发展起来的先进封装形式，是SMT技术中产品体积进一步小型化的换代产品。讨论了QFN技术的改进及工艺自动化发展进程，指出其必将成为半导体器件高端主流封装形式之一。

光纤光栅传感解调系统的研究进展

关键词: 光纤光栅  传感器  信号解调  波长编码  

光纤光栅传感以其强大的优越性受到了社会的广泛关注，波长编码信号解调是实现光纤光栅多参量、多点分布式传感网络的关键技术。综述了光纤光栅传感信号解调技术的研究进展，对几种较成熟的解调方法的工作机理、特点和性能作了重点分析，分别给出了典型的实验原理图，并对其应用前景作了展望。

微晶硅NIP太阳电池

关键词: 微晶硅  nip  太阳电池  

微晶硅NIP太阳电池具有许多优点，如用于制备柔性太阳电池可极大地扩展太阳电池的应用空间，保护窗口层免受等离子轰击以保持其性能，以及扩大窗口层的光学带隙提高太阳电池的开路电压和短路电流等。综合介绍了微晶硅NIP太阳电池的基本原理、研究现状、存在的问题并展望其发展前景。

毫米波CMOS集成电路的现状与趋势

关键词: 毫米波  集成电路  无线通信  建模  互补金属氧化物半导体  单片微波集成电路  

随着深亚微米和纳米CMOS工艺的成熟，设计和实现低成本的毫米波CMOS集成电路已成为可能。简述了毫米波CMOS技术的发展现状，介绍了毫米波CMOS集成电路的关键技术，即晶体管建模和传输线建模，并给出了毫米波CMOS电路的最新进展和发展趋势。

利用WinSock实现半导体封装设备的通信

关键词: 网络通信  winsock  半导体封装设备  

Socket接口是TCP／IP的API，TCP／IP网络中的应用程序，是通过Socket实现的。WinSock是一套开放的、支持多种协议的Windows下的网络编程接口。介绍了利用WinSock进行网络编程的一般方法，并在此基础上解决了半导体封装设备使用TCP／IP协议进行网络实时通信的问题，实现了在服务器和客户机两端准确方便地实时发收文件和互相通信，并测试了发收不...

故障树分析法在半导体设备故障诊断中的应用

关键词: 反应离子刻蚀  故障树  最小  割集  

介绍了故障树分析法的原理。以反应离子刻蚀（RIE）设备的典型故障为例，建立故障树，通过求解最小实际故障来进行定性分析。尝试扩展故障树在故障判断和改进真空系统可靠性方面的应用，得出几个有针对性的结论。该方法能提高故障诊断的效率和准确性。

看板在晶圆厂清洗-炉管间的派工应用及仿真

关键词: 看板  晶圆厂  拉式派工法  返工  extend仿真  

看板是实现拉式派工的有效工具，它可以用于晶圆制造厂清洗区和炉管区之间的动态派工。用Extend仿真建模软件建立了有“重入特性”的晶圆厂仿真模型。通过晶圆厂仿真模型进行模拟，结果显示看板可以解决晶圆生产在清洗工艺后存在违反“等待时间限制”的情况，可以显著提高炉管设备的利用率，并且明显降低产品的生产周期时间。

钝化边沿的制作及其对GaInP／GaAs SHBT性能的影响

关键词: 侧墙  发射极钝化边沿  单异质结双极型晶体管  

利用光刻胶形成保护侧墙，用湿法腐蚀来形成发射极钝化边沿。这种方法工艺简单，不需要额外的绝缘介质作为掩膜，也不需要双层腐蚀终止层。研发出了带发射极钝化边沿的GaInP／GaAs单异质结双极型晶体管（SHBT），并对不同尺寸有无钝化边沿的器件特性进行对比，结果表明钝化边沿能有效改善小尺寸器件的直流特性，对器件的高频特性无明显影响。

作者更正

90nm NMOS器件TDDB击穿特性研究

关键词: 经时击穿  器件寿命  e模型  

采用恒定电压应力对90nm NMOS器件进行了TDDB击穿的评价实验，深入研究了90nm情况下TDDB的击穿机理，并对器件寿命进行预测和分析。结果表明，随着栅厚的不断减薄，E和1／E寿命预测模型不再适用。本文提出了一个器件寿命的修正模型，并按此模型对NMOS器件寿命进行预测，结果和实际值取得了很好的一致。

新型双区阴极结构体效应二极管

关键词: 体效应二极管  欧姆阴极  双区阴极  毫米波  

常规的GaAs体效应二极管的阴极结构多采用欧姆阴极，在毫米波频段（W波段），器件的转换效率小于1％。介绍了一种新型的双区阴极结构在W波段体效应二极管中的实现，并研制出了样品器件。采用此种结构，可以显著提高毫米波器件的输出功率和转换效率。

高稳定宽光谱掺铒光纤光源

关键词: 光纤光源  掺铒光纤  光谱  

介绍了掺铒光纤光源的工作原理以及在小体积情况下制作EDFS时，铒纤长度的优化，提高输出光谱的平坦度，提高平均波长稳定度的方法。最后给出了实验样品的测试结果。

AlGaN／GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究

关键词: 铝镓氮  氮化镓  高电子迁移率晶体管  电场  受主陷阱  

通过计算沟道电场的分布，研究了受主陷阱对AlGaN／GaN HEMT器件击穿特性的影响。研究发现，有受主陷阱的条件下，漏端出现电场峰值，栅端电场峰值被大幅度削减。当Vg=0V，Vd=60V，受主陷阱浓度NA=1×10^17cm^-3时，栅端电场峰值与不加受主陷阱时相比可下降到56％。受陷阱电荷影响，当击穿电压大于某个电压时，漏端电场峰值超过栅端电场峰值，此...

调制掺杂对AlGaN／GaN HEMT材料电学性能的影响

关键词: 调制掺杂  高电子迁移率晶体管  迁移率  

利用范德堡Hall方法和汞探针C—V方法，研究了不同Si调制掺杂浓度对AlGaN／GaN HEMT材料电学性质的影响。发现Si掺杂可以改善材料电学性能，二维电子气（2DEG）面密度和方块电阻（ns×μ）可以通过Si调制掺杂精确控制。当Si掺杂浓度为3×10^18cm^-3时，得到了最低的方块电阻360Ω／ 。尽管受到高浓度电子和离化杂质对二维电子气的散射影响，迁移率仍...

Broadcom推出千兆以太网交换芯片BCM56510

关键词: broadcom公司  以太网交换芯片  安全基础设施  企业网络  可扩展  安全性  管理  产品  

Broadcom公司近日宣布推出新一代多层千兆以太网交换芯片系列Broadcom StrataXGS Ⅲ BCM56510。这个系列的芯片有助于企业搭建高度可扩展和易于管理的安全基础设施，可提高企业网络的安全性。StrataXGS ⅢBCM56510系列多层千兆以太网交换芯片是Broadcom公司2005年推出BCM56500系列的后续产品。

（Bi，Yb）4Ti3O12薄膜退火研究

关键词: byt铁电薄膜  退火温度  铁电性  

采用溶胶-凝胶旋涂法在Pt（111）／Ti／SiO2／Si（100）基底上成功地沉积出（Bi，Vb）4Ti3O12[Bi3．4Yb0．6Ti3O12，BYT]铁电薄膜。系统地研究了退火温度对BYT铁电薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能（剩余极化强度）的影响。揭示了退火温度对BYT薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能有着明显的影响，给出了最佳退火温度为700℃左右。

《半导体技术》征稿启示

一种新颖的光罩可制造性规则检查方法与系统

关键词: 光罩可制造性规则检查  光罩缺陷检测  版图  

介绍了一种较为先进的光罩可制造性规则检查的方法及其系统构成。实验结果表明，通过整合各种EDA工具，在光罩检验前就可发现这些可能给光罩检验造成困难的图形，为后续光罩检验步骤提供参考，显著提高了光罩检验的效率。

数字水印技术在软IP核保护中的应用

关键词: 数字水印  知识产权  软核  重用  

电路软核因费用较低和使用灵活而得到越来越多的应用，但目前的大部分加密方式不适合软核。介绍了一种适用于软IP核设计开始时采用的数字水印嵌入方法，并以4-2编码器为例说明数字水印嵌入软核的方法，并对水印化后电路的性能和开销进行了分析和实验。

《半导体技术》征稿启示

基于March C-算法的SRAM BIST电路的设计

关键词: 静态存储器  march  内建自测试  

针对某SOC中嵌入的8K SRAM模块，讨论了基于March C-算法的BIST电路的设计。根据SRAM的故障模型和测试算法的故障覆盖率，研究了测试算法的选择、数据背景的产生，并完成了基于March C-算法的BIST电路的设计。实验证明，该算法的BIST实现能大幅提高故障覆盖率。

基于FPGA的CPCI和LVDS接口技术及应用

关键词: 紧凑外围部件互连  低压差分信号  现场可编程门阵列  数字系统  

CPCI总线为不同应用的高速数字系统提供了一个通用、开放的平台，它充分发挥了PCI总线的高性能、低成本、通用操作系统等特点，而LVDS接口技术无疑也将成为解决高速数字系统数据传输的首选方案。提出了一种基于FPGA实现CPCI总线接口与LVDS接口的新方法，CPCI总线与自定义LVDS接口相结合，在不降低系统通用性的前提下，提高了系统实时并行处理能...

半导体器件的贮存寿命

关键词: 半导体器件  失效机理  贮存寿命  超期复验  

从失效机理出发，探讨了半导体器件的贮存寿命，提供了三种美国军用半导体器件长期贮存的实例。介绍了俄罗斯的规范，建议对超期复验中的有效贮存期作必要的修订。

河北普兴电子科技股份有限公司简介

关键词: 电子科技  公司简介  股份  河北  qs9000  质量认证  专业公司  外延材料  

河北普兴电子科技股份有限公司为生产以硅外延为主的专业公司，主要从事以硅基为主的各种外延材料的开发与生产。公司已于2004年通过QS9000质量认证；目前正在进行TS16949的认证。

发光二极管失效分析

关键词: 发光二极管  失效分析  解剖  金相学  

基于发光二极管（LED）所具有的特点，系统地总结出一套发光二极管失效分析方法，并给出了几个典型失效分析案例，简要阐述了失效分析过程中的注意事项。通过失效分析，进一步优化和改善了LED的制造技术，达到提高质量和可靠性的目的。该方法在失效分析过程中具有一定的指导意义。

表面贴装元件识别的一种亚像素边缘检测方法

关键词: 元件识别  亚像素  三次样条插值  

亚像素算法是一种高精度的边缘检测算法。分析了亚像素边缘检测的原理及现有算法的优缺点，根据现有用亚像素对表面贴装元器件图像检测的算法，提出了三次样条插值的亚像素算法进行边缘提取。通过实验比较，认为该方法提高了边缘提取的精度，满足了贴片机视觉检测的要求。

飞思卡尔与Indesign联合开发安全工业销售点平台

关键词: indesign  安全连接  软件开发  卡尔  销售  工业  开放源代码软件  参考设计  

飞思卡尔半导体已与飞思卡尔设计联盟伙伴Indesign公司携手开发工业控制应用的安全销售点信息管理（POS）参考设计。销售点（POS）参考设计基于飞思卡尔微控制器（MCU）技术和开放源代码软件，是一个具有完整功能、经济高效的解决方案，能够解决安全连接、人机界面和开放源代码软件开发的设计难题。

基于分水岭的分割算法在无损检测中的应用

关键词: 分水岭  过分割  动态合并准则  缺陷图像  

通过分析焊接缺陷X射线检测方法的现状和目前存在的主要问题，针对缺陷图像的模糊特点和实际应用的要求，提出了一种基于动态合并准则的分水岭分割方法。阐述了在分水岭算法的基础上做的一些改进，其内容是通过动态合并准则进行边分割边合并的方法，有效地抑制了过分割现象。结果表明，该方法对工业射线获取的缺陷图像能够快速、准确地得到分割...

喷射布胶胶液累积体积及其平均流速数值模拟

关键词: 胶液喷射  胶液累积体积  平均流速  

从喷射器出口端积聚的胶液体积及其平均流速，对胶滴形成及其特性具有重要的影响。喷射器出口胶液的流量是时刻变化的，导致在喷嘴出口端积聚的胶液体积及其平均流速不断变化。分别建立了牛顿流体和非牛顿流体胶液累积体积及其平均流速的离散化计算公式，结合ANSYS仿真得到的喷嘴出口处中心速度，通过MATLAB程序计算了喷射器一定参数条件下喷出...

PowerQUICC^TMⅢ处理器演绎迅速、安全的宽带接入和网络通信：飞思卡尔半导体（中国）有限公司

关键词: 网络通信设备  宽带接入  处理器  半导体  演绎  中国  卡尔  安全  

目前，从分组网络向基于IP服务部署的转换正在重新整合有线和无线接入架构。然而，这种转变是一个渐进的过程，不可能一蹴而就。在全球范围内，宽带接入和网络通信设备的设计人员和制造商面临着生产适用的和可以升级的设备，以跟上不断增长的数据带宽的需求。

业界动态

关键词: 半导体行业  actel  视频滤波器  飞兆半导体  用户满意  销售渠道  过程环境  德州仪器  

吉时利荣获半导体行业“五星级用户满意”嘉奖；Actel扩展大中国区的销售渠道;飞兆半导体推出单通道视频滤波器／驱动器；德州仪器针对恶劣过程环境推出坚固耐用的封装标签；恩智浦半导体与日月光于苏州合资成立封测厂。

综合新闻

关键词: directfet  realview  新闻  信息产业发展  altera  创业投资  封装技术  信号完整性  

电子基金创业投资成果丰硕“星光中国芯工程”成绩显著——电子信息产业发展基金创业投资暨“星光中国芯工程”成果报告会在京举办；Altera携手EDA伙伴实现高级信号完整性技术；英蓓特在中国分销ARM RealView和Keil开发工具；IR授权使用DirectFET封装技术；国内首家专业第三方RoHS资讯平台。

《半导体技术》理事会成员