半导体技术杂志是由中国电子科技集团公司主管,中国电子科技集团公司第十三研究所主办的一本北大期刊。
半导体技术杂志创刊于1976,发行周期为月刊,杂志类别为电子类。
杂志介绍
半导体技术杂志是由中国电子科技集团公司主管,中国电子科技集团公司第十三研究所主办的一本北大期刊。
半导体技术杂志创刊于1976,发行周期为月刊,杂志类别为电子类。
主管单位:中国电子科技集团公司
主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
国际刊号:1003-353X
国内刊号:13-1109/TN
发行周期:月刊
全年订价:¥316.00
关键词: 四探针法 电阻抗成像 微区薄层电阻
论述了一种测试大型硅片电阻率均匀性的新方法——电阻抗成像技术(EIT)。给出了四探针的基本原理,指出EIT的基本思想来源于四探针技术。对EIT的基本原理和重建算法在理论上进行了描述.提出可将其应用于微区薄层电阻测试,并对EIT在大型硅片微区薄层电阻率均匀性测试技术上的系统应用做了进一步探索。
关键词: 系统级封装 片上系统 技术优势 应用前景
随着各种半导体新工艺与新材料水平的不断提高,先进的封装技术正在迅速地发展。本文综述了先进的系统级封装(SIP)技术的概念及其进展情况;并举例说明了它的应用情况,同时指出,SIP是IC产业链中知识、技术和方法相互交融渗透及综合应用的结晶。SIP封装集成能最大程度上优化系统性能、避免重复封装、缩短开发周期、降低成本和提高集成度,掌...
关键词: 铜互连 电流拥挤 电迁移 质量输运 有限元分析
提出了一种新的测试结构(S结构),通过实验、理论推导和有限元分析,研究了铜与TaN扩散阻挡层界面的电流拥挤效应对电迁移致质量输运特性的影响。实验和有限元分析表明,铜互连线内由于电流拥挤效应的存在,在用户温度下沿特定通道输运的局部原子通量显著增大,而焦耳热所产生的温度梯度对原子通量和通量散度增大的影响则相对有限。
关键词: 化学机械抛光 抛光液 铜 技术分析
对ULSI制造中的层间介质化学机械抛光的发展趋势和要求进行了讨论,分析了铜化学机械抛光的材料去除过程、影响因素和抛光液的重要作用,讨论了酸性和碱性两种铜抛光液的组成和一些组分的功能,对研究铜化学机械抛光的电化学手段进行了阐述和机理分析,指出了铜化学机械抛光今后的研究趋势和重点以及抛光液研究的发展方向。
关键词: 铜互连 添加剂 脉冲电镀 粗糙度 极化
针对集成电路电镀铜技术,研究了三种有机添加剂(加速剂、抑制剂和平整剂)对铜互连线脉冲电镀的影响及其机制。采用电化学方法LCV(线性循环伏安法)和CP(计时电势法),分析了不同添加剂浓度下电镀过程的极化情况;用SEM表征了三种添加剂对脉冲电镀铜的镀层结构形貌的影响。研究发现,适当浓度的添加剂组成能显著改善镀层的覆盖度、紧致均匀...
关键词: 半导体 需求预测 自回归求和滑动平均模型
半导体市场需求的动态变化给半导体制造业的生产决策带来了很大的不确定性。以我国某半导体制造企业的历史订单数据为例,利用SPSS软件的时间序列分析模块建立ARIMA模型进行半导体产品的需求预测。实例表明,应用ARIMA模型进行需求预测具有精度高、数据可靠、操作方便、运行迅速、应变能力强等优点。从而可提高企业以及其合作伙伴的收益,并帮助...
关键词: 硅锗 异质结双极型晶体管 高频噪声
对SiGe HBT的高频噪声进行了模拟。频率f、载流子正向延迟时间τF、集电极电流等因素都对高频噪声有影响。当频率高于高频转角频率时,最小噪声系数NFmin随着频率的增大而线性增大,而不是与f^2成正比关系,且NFmin随着集电极电流的增大先减小后增大。结果表明,噪声最小时的最佳偏置电流所对应的特征频率fT并不是最大特征频率,约为最大特征频率...
关键词: 异质结互补金属氧化物半导体场效应晶体管 应变si 应变sige 垂直层叠
提出了一种应变Si/SiGe异质结CMOS结构,采用张应变Si作n-MOSFET沟道,压应变SiGe作p-MOSFET沟道,n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠结构,二者共用一个多晶SiGe栅电极。分析了该结构的电学特性与器件的几何结构参数和材料物理参数的关系,而且还给出了这种器件结构作为反相器的一个应用,模拟了其传输特性。结果表明所设计的垂直层叠共栅结构应...
关键词: 工艺仿真 tsuprem4软件 横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
利用工艺仿真软件Tsuprem4,针对氧化、退火等工艺进行仿真及校准,并据此对LDMOSFET进行了设计及工艺仿真。结合Medici得到LDMOSFET的结构参数以及相应电学参数,与研制结果进行了比较,仿真结果与实际研制结果吻合较好,实现了在工作频率1GHz,VDD=28V条件下,输出功率Po=10W,Gp=10dB,η=55%的良好性能。
关键词: 锗硅 探测器 应变层
介绍了应变SiGe层的特性,包括SiGe应变层临界厚度与Ge组分的关系,能带变窄,折射率增加以及应变SiGe层的亚稳态特性。然后从材料生长方面入手,提出了4种改善长波长锗硅光电探测器性能的方案,包括采用生长缓冲层来减小位错的方法、生长高组分表面起伏多量子阱的方法和生长Ge岛超晶格的方法,随之给出了相关的实验结果,并对这4种方案进行了分...
关键词: 外延 pin二极管 电阻率 掺杂剂
介绍了研制适用于大功率PIN二极管的硅外延材料的工艺过程,采用CVD化学气相外延生长技术,对硅源流量与掺杂剂浓度的精确控制,实现了快速外延生长和高浓度掺杂。通过大量实验,利用4.0μm/min的生长速率得到了掺杂浓度为2.0×10^19cm^-3的超高浓度的掺杂外延层,其外延层表面光亮,满足了PIN二极管的使用要求。
关键词: 电子元器件 新业务 设计工程师 运营 服务理念 服务行业 设计行业 小批量
提供小批量和高品质电子元器件的派睿电子日前宣布正式启动在中国的新业务。派睿电子将植根于中国,与全球顶尖的供应商鼎力协作,倾力为设计工程师提供电子元器件现货,打造颠覆性的“翌日到货”和“一站式”元器件采购服务。全新服务理念的引入,将为前景广阔的小批量电子分销服务行业树立新典范,大大缩短本土设计的开发进程,引发中国电子设...
关键词: 表面 清洗 污染物 微通道板
基于微通道板材料和结构特性,分析了微通道板工艺制造过程中表面污染物的来源,并对其成分进行分析和归类。针对污染物的不同类型和形态,提出了相应的物理、化学清洗方法,主要包括:有机溶剂清洗、清洗液清洗、超声清洗等技术。通过理论分析及实验总结找出了适用于微通道板不同工序的清洗技术及工艺参数,为提高微通道板的表观质量提供了有效...
关键词: 美国国家半导体公司 音频设计 国际会展中心 获奖作品 颁奖典礼 音频功放 设计人员 在校学生
美国国家半导体公司在上海光大国际会展中心隆重举行了“中国音频功放设计大赛”的颁奖典礼。在“体验NS完美音色,尽享音响发烧乐趣”主题的感染下,来自国内的设计人员、音频发烧友、高校在校学生对本次大赛报名踊跃,参赛人数超过300人。经过初赛、决赛的评选,最后评选出包括一等奖、二等奖、鼓励奖、最佳外观奖、最佳性价比奖、专业设计优...
关键词: 噪声 阻抗匹配 功率增益 线性 镜像抑制
阐述了一个采用Chartered 0.35μmCMOS工艺实现的应用于315MHz幅度键控接收芯片的低功耗窄带低噪声放大器。该电路主要采用限定功耗下同时优化噪声性能和输入匹配的技术进行设计,并且采取了其他一些措施来进一步改善电路的性能。采用一个并.串谐振网络,提供镜像抑制。实验测试表明,该低噪声放大器的噪声系数为1.47dB,功率增益为19.97dB,...
关键词: 反相器 环形振荡器 pspice软件
RTD与HBT是高频高速器件,共振隧穿二极管.异质结晶体管(RTD-HBT)环形振荡器有很好的应用前景。详细介绍了RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的工作原理,建立了RTD-HBT及RTD-HBT环形振荡器的等效电路模型,并对RTD-HBT环形振荡器用Pspice模拟软件进行了电路模拟。模拟结果与预期结果一致,有助于指导该电路的设计。
关键词: 1553b ip vhdl语言 模块化设计
简单介绍了美国军用数据总线标准MIL-STD-1553B总线协议,给出了通过自顶向下和模块化设计方法,使用VHDL硬件描述语言设计其IP核过程。在充分研究和理解1553B总线协议和参考DDC公司用户手册的基础上设计完成了该总线通信系统中的主要部件BC和RT的设计(即总线控制器和远程终端),在实现这两大功能基础上对存储器管理和错误处理等进行了有效解...
关键词: 伴随运算放大器 伴随网络 电流模 广义阻抗变换器
讨论了由GIC组成的正阻抗变换器、模拟电感器、频变负阻器、电容一电阻变换器,并用模拟电感组成二阶带通滤波器,计算机仿真与理论分析一致。该电路不仅具有速度高、频率高、电压低及功耗小等电流模电路的特点,而且其等效阻抗比取决于电阻比,且与温度无关,因而该GIC精度高、稳定性好。
关键词: 非易失性铁电存储器 fram cmos逻辑工艺 工业控制系统 半导体产品 多功能打印机 自动导航系统 高容量
世界项尖的非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Intemadonal Corporation宣布推出半导体业界首个4Mb FRAM存储器,这是目前最高容量的FRAM产品,其容量是原有最大FRAM存储器容量的4倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封(TSOP)的3V、4Mb并行非易失性FRAM,具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。...
关键词: 互补金属氧化物半导体 运算放大器
介绍了一种用于∑-△ADC的低功耗运算放大器电路。该电路采用全差分折叠-共源共栅结构,采用0.35μm CMOS工艺实现,工作于3V电源电压。仿真结果表明,该电路的动态范围为80dB、直流增益68dB、单位增益带宽6.8MHz、功耗仅为87.5μw,适用于∑-△ADC。
关键词: 横向双扩散金属氧化物 贴片工艺 有限元分析法 热阻
功率MOS管的封装贴片工艺会在贴片层中引入气泡,从而严重降低器件的机械性能、热性能和电学性能。本研究就VDMOS管D-PAK封装模式,给出了贴片工艺中气泡的产生机制及其影响,并利用FEA方法建立了其D-PAK封装的热学模型。根据模拟结果,在贴片层中气泡含量提高时,热阻会急剧增大而降低器件的散热性能。
关键词: 胶粘剂 气密性 可靠性 封帽工艺
阐述了高可靠微电子封装对密封胶粘剂的性能要求。通过试验优选出一种能实现高可靠、高气密粘接封帽的环氧树脂胶粘剂,用该胶粘剂封帽的外壳通过了严苛的可靠性考核。详细介绍了胶粘封帽工艺过程,并对影响封帽质量及可靠性的因素进行了探讨。
关键词: 唇缘效应 金刚石刀片 结合刳硬度 bga基板
采用两种不同结合剂硬度的金刚石刀片切割同一种BGA基板,通过对刀片刃口形貌的变化以及切割断面的分析,探讨了唇缘效应产生的原因。结果表明,在金刚石浓度、粒度及切割工艺等条件相同的情况下,刀片结合剂硬度是造成唇缘效应的最主要因素,并提出了避免唇缘效应产生的改进措施。
关键词: 快速测试 测试项 快速测试方案
随着半导体行业的发展,芯片的设计和功能变得越来越复杂,这样也就需要更多的测试项来筛选器件和检测功能。目前有许多方案致力于解决这一问题。本文讨论介绍了一种半导体测试行业中的快速测试方法,阐述了其概念、方案的设置、实现和操作,指出了快速测试方案的优势以及半导体测试行业对其的需求。
关键词: 微波功率器件 动态 试验系统
为开展微波功率器件动态加速寿命试验,建立了一套由计算机实时监测的微波动态试验系统。采用微带电路剥离以及加热部件与其他电路的隔热连接等方法,实现了对每个器件进行独立的内腔式加热,从而单独提高受试器件环境温度,保证了高温应力下微波动态电路的稳定性和可靠性。同时编制了计算机程序软件,解决了参数校准、参数提取等方面存在的误差...
关键词: mems传感器 高灵敏度 动作识别 市场需求 消费电子 便携式电子设备 设备设计 mp3播放器
飞思卡尔半导体在MEMS传感器设备设计制造领域具有全球领先的地位,通过推出高灵敏度的XYZ三轴加速计,满足当今智能移动设备领域日益增长的移动感应需求。从MP3播放器到PDA,再到超小的笔记本电脑,如今的消费者正在越来越多地通过其使用的便携式电子设备的种类以及对这些设备的定制方式来彰显自己的个性。便携式设备的设计人员也在不断寻找新...
关键词: 64位架构 意法半导体 mips 科技 中国科学院计算技术研究所 授权 数字消费 商业应用
为数字消费、网络、个人娱乐、通信和商业应用提供业界标准处理器架构及内核的领先供应商MIPS科技宣布,意法半导体已授权使用MIPS科技的64位架构,用于该公司与中国科学院计算技术研究所的合作。
关键词: 设计 mp4 风险投资 政府投资 电子产品 mp3 pmp ceo
福州瑞芯微电子CEO励民,自称是一家典型的三无IC厂商,即“无海归、无风险投资、无政府投资”。但就是这样一家三无公司,去年却成为中国MP3/MP4芯片市场的当红新星,引领了MP3厂商向MP4大迁移的浪潮,从而带动了中国,仍至全球又出现了一个新兴的市场——MP4。随之出现的新兴电子产品的风头大大盖过了早几年出现的PMP,并将PMP逼到了市场角落...
关键词: 市场服务 ae 中国 semicon 采访 客户 耕耘 存储产品
创立于1981年的Advanced Energy致力于开发可推动全球高速增长的等离子体薄膜制造工艺发展的创新型电源和控制技术,其产品广泛应用于半导体、平板显示器、数据存储产品、太阳能电池、建筑玻璃等行业。在Semicon china会上,AE展示了新的产品和应用。
关键词: sez公司 技术节点 单晶圆 湿法处理 采访 工艺过程 半导体行业 湿式处理
semiconC hina期间,单晶圆湿式处理解决方案的领导厂商SEZ也向半导体行业带来了新的产品,SEZ亚太区技术与行销副总裁陈溪新先生介绍,SEZ公司新推出的平台——Esanti TM是一套灵活的、具备多反应仓的单晶圆处理平台,专为满足未来技术节点前段工艺过程(FEOL)清洗需求而设计的,能够完成45nm及其更低尺寸器件制造过程中FEOL(前段工艺过程)...
关键词: 新闻 产业 电流传感器 行业协会 atmi 半导体 lem 低成本
AXCELIS公司简闻;SUSS MicroTec提高BlueRay探测系统的性能;美国半导体行业协会(SIA)成立北京办事处;FTDI与茂昌集团格磊科技有限公司(GFEi)签署分销协议;LEM公司推出Minisens电流传感器;ATMI和安集微电子推出替代型低成本铝清洗解决方案。
关键词: 光刻胶 东京 供应商 微加工技术 半导体 光蚀刻 开发
东京应化的历史就是光刻胶的发展轨迹 1968年开发出半导体用负型光刻胶、1972年开发出日本首次的正型光刻胶的东京应化以光蚀刻为核心技术.一直走在最先进的微加工技术的前列。
关键词: 集成电路制造 世界 中国大陆 生产线 nec
作为专业集成电路代工业的领先者之一.华虹NEC拥有中国大陆第一条先进的200mm集成电路制造生产线,自99年投产以来积累了成熟稳定的量产经验。
若用户需要出版服务,请联系出版商,地址:石家庄市合作路113号,邮编:50051。