购物车(0)半导体技术杂志是由中国电子科技集团公司主管，中国电子科技集团公司第十三研究所主办的一本北大期刊。
半导体技术杂志创刊于1976，发行周期为月刊，杂志类别为电子类。
杂志介绍
半导体技术杂志是由中国电子科技集团公司主管，中国电子科技集团公司第十三研究所主办的一本北大期刊。
半导体技术杂志创刊于1976，发行周期为月刊，杂志类别为电子类。
主管单位：中国电子科技集团公司
主办单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
国际刊号：1003-353X
国内刊号：13-1109/TN
发行周期：月刊
全年订价：￥316.00
关键词: 隧穿晶体管 亚阈值摆幅 双极特性 导通电流 低功耗
随着晶体管尺寸不断缩小，CMOS电路的功耗问题变得日益严重。隧穿晶体管是一种基于载流子的隧道效应工作的器件，可以在室温下实现小于60mV／dec的亚阈值摆幅，具有很好的低功耗应用前景。但常规的隧穿晶体管导通电流比较小，而且具有双极特性。首先介绍了隧穿晶体管的结构和工作原理。其次，针对常规隧穿晶体管问题，综述了国内外研究进展，包...
关键词: 功率放大器 sige 自偏置 功率检测
针对ISO／IEC18000—6C协议的应用要求，设计了一款应用于手持超高频无线射频识别（UHFRFID）读写器输出端的两级SiGe功率放大器。在设计中采用了一种新型的晶体管面积推算方法，能够根据最大输出功率的要求，较准确的推算出所需要的晶体管发射极面积，对于基于异质结双极晶体管（HBT）工艺的功率放大器设计有一定的参考价值。此外还提出了一种...
关键词: 低噪声放大器 分布式放大器 共源共栅 噪声系数
采用0．15μm GaAsPHEMT工艺，设计了一款DC～20GHz宽带低噪声放大器，可作为驱动放大器用于光纤通信或作为宽带增益模块用于测试及测量系统中。电路采用分布式放大器结构，单节采用共源共栅的结构形式实现，其与共源结构相比，拥有较低的栅一漏反馈电容和较高的输出并联电阻，使电路具有较宽的频带、较高的增益和较高的线性度等特点。电路采用＋...
关键词: 超宽带 2译码器 砷化镓
设计了一款工作频率为DC～35GHz的超宽带单刀四掷开关单片集成电路，其单片电路内部集成了驱动2：4译码器。通过ADS软件对多种开关电路拓扑进行优化，设计出了一种合理的开关结构。采用先进的E／DPHEMT工艺进行版图设计并进行了版图电磁场仿真验证，在GaAsPHEMT工艺线上进行了流片，对制作的芯片进行了在片测试，测试结果表明，在DC～35GHz频率...
关键词: 毫米波 砷化镓 pin二极管
采用GaAspin工艺设计和制作了毫米波超宽带大功率单刀双掷开关单片集成电路。在GaAspin二极管建模阶段充分考虑寄生效应对模型的影响，获得高精度模型；在电路设计阶段采用GaAspin二极管单级并联结构，提高功率特性；在工艺加工阶段调整n^＋层、n^＋层的掺杂浓度和i层的厚度，获得低损耗、高功率特性的GaAspin二极管；最终制备的单刀双掷开关芯...
关键词: 产业趋势 semi 触摸屏 论坛 中国 broadcom first 知名企业
2013年7月举办的“SEMI中国触摸屏产业发展论坛2013”在深圳开幕。本次论坛的主办方SEMI已邀请到包括京东方、天马微电子、华星光电、应用材料、杜邦、南玻集团、合力泰、欧菲光、Broadcom、Synaptics、北儒、电气硝子、First Technology、易天自动化、信义玻璃及金龙机电等众多业内知名企业，演讲议题精彩纷呈，
关键词: inaln gan algan双异质结 附加功率效率 碳 功率增益截止频率 最高振荡频率
InAlN／GaN／AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性，适宜制备Ka波段及以上微波功率器件。使用金属有机物气相外延方法，在SiC衬底上生长高性能InAlN／GaN／AlGaN双异质结构材料并制备了栅长为0．2μm的异质结场效应晶体管。测试结果表明，在栅压＋2V时器件的最大电流密度为1．12A／mm，直流偏置条件“。为＋15V和...
关键词: 自钳位 仿真 电学特性 可靠性
由于新型高压场终止型绝缘栅双极晶体管（FS-CIGBT）器件结构与普通IGBT器件结构相比，增加了一层P阱及n阱的结构，因此会产生电势的自钳位效应，保护器件正面结构，防止出现高压失效现象，提高器件的可靠性，同时会降低器件的正向导通压降以及开关损耗。鉴于新结构器件的优势，借助仿真软件SentaurusTCAD，设计了新型FS—CIGBT器件的各项结构参...
关键词: 快恢复二极管 正向压降 正温度系数 负温度系数
介绍了混合pin／肖特基（MPS）二极管快恢复二极管的工作原理，基于人们对与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管提出的高要求即在具有超快和超软恢复特性的同时又兼具有低的正向导通损耗，以减少芯片的发热损耗。采用Silvaco仿真软件对MPS结构的两款较快恢复二极管的正向特性进行了研究并实际制作了器件，发现正向压降与衬底掺杂浓...
关键词: 铜布线 精抛液 高稀释倍数 碟形坑
采用自制的不含常用的腐蚀抑制剂（BTA）碱性铜精抛液对铜和钽进行了化学机械抛光。研究了高稀释倍数（50倍）的精抛液对铜膜的静态腐蚀速率和抛光速率以及钽抛光速率的影响，并对65nm技术节点的300mm单层铜布线片进行了平坦化研究。结果表明，铜膜的静态腐蚀速率为1．5nm／min，动态抛光速率为206．9nm／min，阻挡层Ta／TaN抛光速率仅为0．4nm...
关键词: 超声雾化 sb掺杂 方块电阻 透明导电薄膜
采用超声雾化热解法在石英基底上制备了掺锑二氧化锡透明导电薄膜。采用x射线衍射检测薄膜的晶体结构，扫描电子显微镜观察薄膜的表面形貌，研究了不同基底温度和Sb掺杂量下薄膜的晶体优势生长面、晶粒形状的变化、可见光透过率和方块电阻。结果表明，薄膜的晶粒度在80—200nm。当Sb摩尔比为1％、基底温度为540℃时，薄膜的方块电阻最小，约为16...
关键词: 封装 铜引线键合 镀钯铜线 钯覆盖 自由空气球
铜引线键合由于低廉的成本和优良的材料综合性能而受到越来越多的重视，而镀钯铜线较纯铜线的应用更为广泛。其中，自由空气球（FAB）上钯的覆盖情况是需要进行研究的问题之一。由于烧球工艺为瞬．态过程，因此在形成FAB后其表面的钯可能会出现不均匀的分布，后续的塑封环节中低含量的钯区域就会遭受外界的侵蚀，这对焊点的可靠性会有不良的影响...
关键词: 雪崩注入 临界场 强 背景掺杂
功率半导体器件静电放电（ESD）的可靠性在应用中至关重要，其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB／T17626．2标准的简明分段线性电流源，对功率快恢复二极管（FRD）反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以及平缓发展三个阶段，分析了器件内部相应的一系列复杂变化。结果表明：器件内部的“过耗尽”、雪崩注...
关键词: gaas 单晶 设备 垂直梯度凝固
作为第二代半导体材料的代表，化合物半导体材料GaAs具有许多不同于Si、Ge材料的特性，能够广泛应用于发光器件（激光器，发光二极管）、光探测器（光探测器）以及高频器件等领域。为了充分利用其固有的半导体特性，提高其晶体材料的完整性，优化生产工艺，降低生产成本，国内外的研究人员开发了不同类型的专用于砷化镓单晶材料的生产设备。回顾...
关键词: fpga soc 突破性 优势 芯片系统 帮助系统 结构基础 器件
2013年6月11日，A1tera公司宣布推出10代FPGA和SoC（芯片系统），帮助系统开发人员在性能和功效上实现了突破。10代器件在工艺技术和体系结构基础上进行了优化，
关键词: 逆变器 光伏 能源 屋顶 国内 家用市场 转换效率 结构设计
经过几年的探索，天能源TSA系列终于孕育成功适用于中国家用市场的光伏逆变器。97％以上的转换效率大大提高了寸土寸金的城市屋顶的太阳能效利用率；时尚的外观，简易的安装和适合移动的结构设计，让中国居民能象使用热水器一样方便使用天能源光伏逆变器；
关键词: 意法半导体 微控制器 半导体供应商 电子应用 多重
2013年7月11日，横跨多重电子应用领域的半导体供应商意法半导体（ST Microelectronics，简称ST）最新的STM32F030超值系列微控制器。批量订货最低价仪为0．32美元，
关键词: 晶圆制造 制造设备 联盟 半导体设备 尾气处理系统 基础设施 增值服务 供应商
2013年7月9日，精密真空产品和尾气处理系统领先制造商及相关增值服务全球供应商Edwards集团有限公司最近加入了一个由全球十家半导体设备公司组成，旨在组建450mm晶圆制造设备联盟（F450C）的工作组。这是全球450联盟（G450C）的一个分小组，其建立是为了解决下一代450mm半导体晶圆制造设施的复杂开发和基础设施要求。
关键词: integrated 数字转换器 maxim 热电偶 冷端补偿 inc
2013年7月11日，Maxim Integrated Products，Inc．推出带有冷端补偿的1-Wire热电偶数字转换器MAX31850／MAX31851，现已开始提供样品。该系列器件集成了构建完备的热电偶数字转换方案所需的所有功能，
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