半导体信息杂志

两岸牵手新兴产业 新能源与LED再成热点

关键词: led  经济合作  新兴产业  政协主席  科技进步  节能环保产业  电动车辆  共性技术  测试中心  太阳能发电  

<正>第六届两岸经贸文化论坛于2010年7月10日—11日在广州举行。本次论坛以"加强新兴产业合作,提升两岸竞争力"为主题,围绕新能源产业、节能环保产业等方面的合作展开了研究。在7月10日的开幕式上,中共中央政治局常委、全国政协主席贾庆林指出:"在加强经济合作中共同推进两岸科技进步和创新,可以将新能源和环保产业

工信部颁布首个消费电子应用内容保护标准

关键词: 消费电子行业  电子应用  电子产品领域  内容保护  保护标准  系统技术规范  标准化研究所  数字接口  数字电视  自主知识产权  

<正>日前,由长虹牵头,包括长虹、中国电子标准化研究所在内的15家企业和科研院所历时五年制定的《数字接口内容保护系统技术规范》(简称UCPS标准)由工业和信息化部颁布,并于2010年3月1日正式实施。UCPS标准成功突破国外内容保护专利技术壁垒,是我国消费电子行业第一部拥有自主知识产权的内容保护标准,可广泛应用于数字电视、机顶盒、手机...

上海大力推广LED照明 将覆盖30%通用照明系统

关键词: 照明系统  led照明  通用照明  荧光灯管  节能减排  寿命周期  半导体照明  最佳实践区  社会成本  技术运用  

<正>LED照明将作为上海市"十二五"期间战略性新型产业,将至少覆盖上海市30%的通用照明系统,这是从刚刚召开的2010年中国(上海)国际LED产业技术展暨论坛上获得的信息。2010年上海世博会,LED照明成为最大的亮点,10亿个LED芯片不仅为本届世博会解决了照明技术的长效问题,亦突显了其节能减排的重要作用。平均每一根LED照明灯管,比普通的荧光灯...

“深圳芯”有望今年四季度诞生

关键词: 研究开发中心  中芯国际  集成电路技术  集成电路芯片  重点项目  厂房结构  

<正>华南地区第一条8英寸集成电路芯片生产线有望于今年四季度在坪山投片生产。与此同时,华南地区第一个12英寸集成电路芯片厂房结构建设也将全部完成。两条生产线建成投产后,世界各地的人都会用上"深圳芯"。据介绍,中芯国际项目是我市重点项目,总投资15.8亿美元,建设一条8英寸、一条12英寸集成电路芯片生产线和集成电路技术研究开发中心...

遂宁市首个集成电路封装项目可望年底投产

关键词: 集成电路封装  电源产品  生产基地  高技术企业  国内市场  电源芯片  圆片  家集  用户需求  电路设计  

<正>作为遂宁市首个集成电路封装项目,北京伊泰克电子有限公司遂宁生产基地已破土动工,有望年底正式投产。北京伊泰克是一家集IC电路设计与销售(晶圆片与集成电路成品)为一体的高技术企业。该公司与俄罗斯及白俄罗斯多家晶圆制造商保持有密切的合作关系,共同生产用户需求的集成电路晶圆,产品的高性价比使其在业内有良好的口碑,其中的电源...

日厂Nichia成功研发投影机用绿色雷射二极管

关键词: nichia  微型投影机  蓝光光盘  氮化镓  机用  

<正>日本LED大厂日亚化学工业(NichiaCorporation)于日前成功研发出以氮化镓为基础的绿色雷射二极管(greenGaN-basedlaserdiode),并将自2010年8月开始送样。新研发出的绿色雷射二极管在输出50 mW、温度60度的环境下,其推定寿命可达10,000小时。与现行光源相比,拥有低成本、小型、高效能以及低耗电等优点,可应用于微型投影机的研发及生产。...

AMD计划提前推出Ontario双核上网本芯片

关键词: ontario  amd  季度财务报告  平板电脑  金融分析  微处理器性能  安大略  笔记本电脑  单线程  微架构  

<正>据国外媒体报道,AMD称,它将提前推出代号为"Ontario(安大略)"的低功率低成本芯片。这种芯片把x86处理器单元与图形引擎集成到了一个芯片上。遗憾的是提前推出这种处理器芯片似乎对这种芯片的性能产生负面影响:这种芯片不再面向平板电脑和其它创新的形状的产品。AMD首席执行官DerrickMeyer在与金融分析师召开的介绍财年第二季度财务报...

RFMD推出单片集成前端模块RF3482

关键词: 前端模块  rf3482  rfmd  收发器  bluetooth  掌上型  开关功能  结构设计  能将  分流器  

<正>RFMD宣布推出RF3482前端模块(FEM)。RFMD这款高度集成RF3482单片FEM集成了一单极WiFi功率放大器和一个在2.4 GHz到2.5 Ghz的ISM频段应用的单刀三掷开关(SP3T)。通过集成完整开关功能,RF3482能将WiFi和Bluetooth(R)收到或传达的信号路由给二个晶片系统(SOC)的收发器,其典型的结构设计可在高性能家电和手机或者掌上型的WiFi中应用。另外...

安可与TI共同开发出采用铜柱凸点的倒装芯片封装

关键词: 倒装芯片  铜柱  ti  凸点  美国德州仪器  微细化  降低成本  整体高度  

<正>美国安可科技(Amkor Technology)与美国德州仪器(TI)宣布,共同开发出了利用窄间距铜柱凸点连接芯片与封装底板的倒装芯片封装,并已开始生产。据称,使用铜柱凸点比原来利用焊料凸点可缩小凸点间距,因而可应对伴随芯片微细化而产生的I/O密度增加问题。另外,通过优化铜柱凸点的配置,与普通的面积阵列型倒装芯片封装相比,可削减封装底板的...

世界500强在晶龙建硅材料实验室

关键词: 材料实验室  半导体生产  应用材料公司  硅材料产业  设备领域  半导体领域  高科技技术  行业优势  技术创新能力  服务企业  

<正>世界500强企业——美国应用材料公司经过对中国市场的长期考察,十分看好晶龙集团在半导体领域的技术创新能力和行业优势,日前选定在晶龙集团建立硅探针材料实验室。美国应用材料公司是全球最大的半导体生产设备和高科技技术服务企业,营业收入连续9年在半导体生产设备领域名列第一。晶龙集团是国家火炬计划太阳能硅材料产业基地,年产单...

德国赛锡公司投资6000万欧元打造的国际领先光伏砂浆回收项目

关键词: 砂浆分离  生产基地  废液回收  切割过程  润滑液  生产成本  

<正>全球最大光伏硅片切割废液回收处理巨头——德国赛锡公司投资6000万欧元打造的国际领先光伏砂浆回收项目,正式定址镇江。硅片切割过程中需要一种润滑液叫砂浆,过去都是用完就扔,既污染环境,又很浪费。赛锡公司此次在镇江将建6条砂浆回收生产线,对砂浆分离、净化,年回收能力9万吨,可大大节省硅片生产成本。项目计划2012年全部投产,成为...

斯坦福大学研制的电极可提高光伏效率

关键词: 斯坦福  发电效率  太阳能板  米基  太阳能电池板  透过率  化学工程  电子显示器  降低成本  透明度高  

<正>纳米基的透明电极由于阳光通透率要高12%,可以提高薄膜太阳能板的效率。加州斯坦福大学的学生开发出了一种先进的设计,通过使用新型的电极,可以提高太阳能光伏板1%的发电效率。

Maxim推出高压HB LED驱动器MAX16833

关键词: 驱动方案  maxim  位置灯  故障容错  输入电压范围  近光灯  boost  汽车照明  转向灯  频率抖动  

<正>Maxim推出用于boost、buck-boost和buck配置的高压HB LED驱动器MAX16833。器件独特的架构可提供完备的短路保护,通过单线连接至LED,并具有内部频率抖动功能。这些特性使设计人员可以轻松满足DRL(日间行驶灯)、位置灯、转向灯和远/近光灯等大功率汽车照明应用对可靠性的苛刻要求。MAX16833能够实现具有较高故障容错率和可靠性的LED驱动...

全新20V NPN及PNP双极晶体管

关键词: 双极晶体管  pnp  v  npn  表面贴装  emitter  便携式产品  功率密度  占位面积  集电极电流  工艺设计  

<正>Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管,它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装,能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5 matrix emitter Bipolar process)。这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1毫米×1.4毫米,离版高度为0.5毫米,有助于设计出极其纤巧的...

Touchdown Technologies推出用于高级DRAM测试的全晶圆探针

关键词: 半导体测试  瑞捷  引脚数  半导体技术  首款  存储器件  并行测试  双重优势  测试解决方案  芯片尺寸  

<正>半导体测试公司惠瑞捷(Verigy)旗下全资子公司Touchdown Technologies推出了其1Td300全晶圆探卡,这是该公司首款用于高级DRAM存储器件单次触压、高容量测试的探卡。该产品能够对300 mm或200 mm晶圆进行高并行测试(highly parallel tesTIng)。每探针只需要2g压力就能够测试整个300 mm晶圆,堪称业界最低的探针压力,所需压力不到市面上同...

Vishay Siliconix推出首款TrenchFET功率MOSFET

关键词: 首款  trenchfet  低导通电阻  栅极驱动  栅极电荷  功率损耗  强型  负载点  隔离式  轻负载  

Infineon推出650V CoolMOS C6/E6高压功率晶体管

关键词: 功率晶体管  coolmos  infineon  英飞凌科技  低导通电阻  市场领先  太阳能逆变器  功率密度  电流变化率  输出电容  

台积电将向14 nm以下工艺挺进

关键词: 张忠谋  半导体市场  摩尔定律  半导体制造  技术会议  nm  技术发展  资本支出预算  向新  

<正>台积电CEO兼董事长张忠谋近日在加州圣何塞的一次技术会议上表示,台积电将会和整个半导体产业一起,向14 nm以下的制造工艺进军。张忠谋认为,2011-2014年间的全球半导体市场的发展速度不会很快,原因有很多,其中之一就是受摩尔定律制约,技术发展的速度会趋于缓慢。张忠谋表示,2 xnm时代眼下很快就要到来,1 xnm时代也会在可预见的未来内...

“中国芯”核心技术研发成功

关键词: 中国芯  核心技术研发  集成电路制造  纳米产品  芯片制造  中芯国际  制造服务  芯片产品  国际主流  批量生产  

<正>中芯国际集成电路公司承担的国家重大科技项目取得最新进展,成功研发出了"65纳米产品工艺",并开始批量生产,芯片制造依赖进口已成为历史。据介绍,"65纳米产品工艺"是目前集成电路制造的主流生产技术,其研发成功标志着我国集成电路制造技术完全达到了国际主流先进生产技术水平,可以为我国的移动通讯、数字电视、计算机、三网融合、数控...

NXP推出FlatPower TVS二极管产品线

关键词: 恩智浦半导体  产品组合  功率性能  脉冲功率  瞬变  flatpower  tvs  nxp  电子应用  管理单元  汽车电子  

<正>恩智浦半导体(NXP Semiconductors)宣布推出35个采用2引脚FlatPowerSOD128封装(3.8 mm×2.5 mm×1 mm)的TVS新产品,进一步丰富了瞬变电压抑制(TVS,Transient Voltage Suppressor)二极管的产品组合。恩智浦是业界首个采用这种小型塑料SMD封装来提供600 W额定峰值脉冲功率(10/1000μs)TVS二极管的厂商。市场上的600 W TVS产品仅有采用例如S...

快速、精确、方便使用:R&S推出全新的数字示波器

关键词: 施瓦茨  罗德  信号完整性  触发系统  百万个  用户界面  采样率  抖动问题  测试任务  

<正>罗德与施瓦茨公司新推出了R&S RTO示波器系列,将其设计和工程重点放在速度和信号完整性方面。每秒钟分析一百万个波形,使得这些示波器可以在瞬间捕获到最为罕见的错误。率先引入的数字触发系统解决了示波器的触发抖动问题。创新设计的用户界面,使得即使是对复杂测试任务的操作也能简单明了。R&S RTO可以配置2通道和4通道,带宽可以是1 ...

安森美半导体推出用于计算及消费应用的高能效同步整流驱动器

关键词: 安森美半导体  消费应用  同步整流  电源系统设计  绿色电子  开关电源  smps  平板电视  逻辑电路  补偿系统  

<正>2010年5月5日,应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)扩充产品系列,配合下一代电源系统设计。NCP4303A和NCP4303B是全功能同步整流控制器及驱动器集成电路(IC),用于ATX电源、平板电视、大功率交流-直流(ACDC)适配器和游戏机等应用中的开关电源(SMPS)。它们的...

飞兆半导体逻辑转换器解决混合电压应用的兼容性难题

关键词: 飞兆半导体  电平转换器  迹线  消费应用  笔记本电脑  设备设计  电子设备  感测  功率管理  消费电子产品  

<正>现今许多电子设备具有多种工作电压,带来了电压兼容性问题。为了解决这类问题,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出8位自动导向(autodirection)逻辑电平转换器产品FXMA108,解决了混合电压环境的兼容性问题。其自动导向功能可以省去方向控制引脚,并且减少笔记本电脑、智能上网本(smartbook)、机顶盒和便携医疗设备设计中的迹...

国内研制出连续单管半导体激光器耦合模块

关键词: 半导体激光器  输出波长  留学回国人员  自主研发生产  芯径  输出功率  光谱宽度  激光医疗  系列产品  准直  

<正>由中国科学院西安光学精密机械研究所与数名留学回国人员组成的团队共同创立的专业从事大功率半导体激光器研发和生产的高新技术企业——西安炬光科技有限公司在2010年年初又推出一款新产品"FCSE系列产品",这是国内首次自主研发生产的连续单管半导体激光器耦合模块。该产品的主要输出波长为808 nm,包括有FCSE-808-2 W、FCSE-808-3 W、...

三菱电机开发的宽带移相器(APAA)

关键词: 移相器  apaa  芯片尺寸  三菱电机  相量  反射损耗  插损  

<正>据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本三菱电机开发了All-Pass/BPF切换型MMIC移相器。该MMIC移相器工作于C波段,具有45°移相量,芯片尺寸为0.8 mm×0.6 mm。在4～8 GHz的带宽状态下,获得了插损在1.9 dB以下,反射损耗在14.8 dB以上,移相量47°±3.8°的良好特性。

多台面型栅结构AlGaN/GaN HEMT的开发

关键词: algan  阈值电压  电流驱动能力  北海道大学  电子研究  线宽  技术开发  

<正>据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,北海道大学量子集成电子研究中心采用周期性台面结构的多台面型沟道(MMC,Multi Mesa Channel)技术开发了AlGaN/GaN HMET,与一般的平面型HEMT相比,获得了低Knee电压和浅阈值电压。提高了栅控制性,线宽50 nm的MMC HEMT在线性方面获得高的电流驱动能力,在饱和方面具有优异的电流稳定性。

高性能ZnO HFET器件的开发

关键词: zno  hfet  高频特性  截止频率  跨导  纳米材料  日本大阪大学  异质结构  二维电子气  微波特性  高迁移率  

<正>据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本大阪大学纳米材料微器件研究中心采用ZnO宽禁带半导体材料制作了具有微波特性的HFET器件。ZnMgO/ZnO异质结构形成了高迁移率、高浓度的二维电子气。该器件源栅间距为2μm,栅宽为100μm,跨导为23 mS/mm,最大漏电流约为6 mA。该器件高频特性,截止频率为1.75 GHz,最大振荡频率为2.45 GHz。

开发插入AlGaN层的InAlN/AlGaN/GaN FETs

关键词: algan  场效应晶体管  阈值电压  电子迁移率  跨导  二维电子气  层电阻  强型  

采用75 nm InP HEMT开发的20 Gb/s短脉冲发生器

关键词: 脉冲发生器  nm  inp  hemt  宽带系统  栅长  寄生电容  无线通信  检测仪器  栅电极  日本富士通  

采用InP HBT技术开发32 GS/s 6 bit D/A转换器

关键词: 6  bit  inp  hbt技术  芯片尺寸  相干光通信  调制技术  脉冲调制  高速性能  技术开发  双脉冲  

<正>据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本NTT光电研究所为了开发双脉冲调制技术的D/A转换器而制作了InP HBT器件,该器件的特征频率为175 GHz,最大振荡频率为260 GHz。双脉冲调制型D/A转换器的芯片尺寸为3mm×3 mm,包含了大约2000个器件。该D/A转换器成功实现了32 GS/s的世界最高速性能,将应用于未来相干光通信系统。

用于低电压、宽带CDMA的HBT功率放大器

关键词: hbt  功率附加效率  功率增益  光器件  输出功率  工作温度范围  三菱电机  

<正>据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本三菱电机高频光器件制作所开发了用于低电压、宽带CDMA的HBT功率放大器。HBT的主要特性为:DC电流增益100 typ,基极集电极耐压22 V,集电极发射极耐压15 V,基极集电极二极管等价直流阻抗6Ω(4 mA/100μm~2电流时)。该功率放大器在频率824 MHz、输出功率28 dBm时,功率增益27.7 dB,邻沟道泄漏功...

50%带宽、X波段GaN HEMT T/R开关

关键词: 光器件  插损  小信号特性  发射时  频率范围  三菱电机  综合研究所  信息技术  劣变  

<正>据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,三菱电机信息技术综合研究所和高频光器件制作所合作制作了X波段GaN HEMTT/R开关。GaN HEMT IC尺寸为1.3 mm×1.7 mm。GaN HEMT的耐压约150 V。T/R开关的小信号特性,7～12 GHz带宽下,发射时插损1.2 dB以下,接收时插损1.8 dB以下。隔离在上述频率范围内发射时为19.7 dB以上,接收时为22.3 dB以上...

采用WLCSP技术的高性能、低成本MMIC

关键词: 芯片尺寸封装  低噪声放大器  上变频器  有源层  phemt  圆片  mmic  wlcsp技术  日本住友  下变频器  

2009年欧洲微波会议有关固态器件的研制成果

关键词: 固态器件  研制成果  最大输出功率  有源电路  多尔蒂  功率附加效率  无源电路  匹配电路  宽带放大器  phemt  

<正>《信学技报》(日)2010年109-431期报道了2009年欧洲微波会议的大致情况,除会议概况外,涉及的技术内容包含无源电路、天线、传输、雷达、有源电路、滤波器和无线系统等。本稿仅将固态器件研制的成果摘要如下:1.采用LDMOS技术的星载应用多尔蒂功率放大器,F级工作时,5 GHz下最大输出功率18.7 W,最大PAE为50%;5.2～5.6 GHz下PAE为45%。

采用GaN HEMT技术的T/R组件

关键词: gan  hemt  雷达系统  发射功率  东芝公司  

<正>据《东芝レビュ一》2010年第3期报道,为了实现雷达系统的多用途、高性能,其关键是大功率T/R组件的研发。为了实现这一目标,东芝公司开发了GaNHEMT放大器的收发组件。该组件采用16个GaNHEMT器件,使其发射功率达到480 W。该公司下一步目标是开发雷达系统必需的接收、控制功能和实现雷达系统的小型化。这一成果将应用于各种雷达系统。

东芝公司50 W级GaN HEMT系列产品

关键词: 功率附加效率  匹配电路  最佳化技术  gan  hemt  系列产品  东芝公司  

<正>据《东芝レビュ一》2010年第3期报道,日本东芝公司开发了固态放大器应用的50 W级GaN HEMT系列产品。主要形成系列的是10 GHz和11 GHz高频的50 W产品。他们采用两个14 GHz频率25 W功率的GaN HEMT芯片,通过匹配电路最佳化技术,形成系列产品。目前,10 GHz产品的功率附加效率是

TriQuint推出射频前端的3 G芯片

关键词: 射频前端  triquint  功放模块  数据卡  散热性能  module  装片  

<正>据《Portable Design》2010年第6期报道,TriQuint公司日前推出射频前端解决方案支持Qualcomm的3 G芯片。方案包括用于WCDMA的TRITON PAModule和用于GSM/EDGE的HADRON 2 PA Module功放模块。具有多模、低功耗和散热性能,产品采用铜凸倒装片(CuFlip)和TQBiHEMT工艺。该芯片适用于数据卡、上网本和下一代智能手机等。

美国国家半导体推出全新SIMPLE SWITCHER电源模块系列

关键词: simple  纽约证券交易所  设计时间  switch  电磁干扰  产品上市  开关稳压器  线性稳压器  输人电压  工具设计  

<正>该系列电源模块易于使用,可极大缩短设计时间,并且在散热及抗电磁干扰方面表现卓越。2010年1月26日,美国国家半导体公司(National Semiconductor Corporation)(美国纽约证券交易所上市代码:NSM)宣布推出全新SIMPLE SWITCH-ER(?)电源模块系列的前三款产品。该系列全新的高集成度电源模产品以LMZ为代号,其优点是易于使用,能够节省工程师...

全球首枚TD-LTE基带芯片问世 将投入世博会

关键词: 基带芯片  世博会场馆  中国移动  通信芯片  首款  互联互通  数据业务  世博园区  主流系统  

<正>中国移动研究院表示全球首枚TD-LTE基带芯片已经问世,此款芯片是全球首款支持20兆带宽的TD-LTE基带通信芯片。日前,中国移动研究院表示全球首枚TD-LTE基带芯片已经问世,此款芯片是全球首款支持20兆带宽的TD-LTE基带通信芯片。目前该芯片已经和数家主流系统厂商完成了互联互通测试,并已经在世博会场馆演示,可以在上海世博会期间支持多...

业界首款16 Mb MRAM正式问世

关键词: 首款  mb  mram  首席运营官  产品组合  产品差异  数据保持  非挥发性  工业自动化  独有特性  数据储存  

<正>Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM,进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在,所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能以及高可靠性优势的MRAM技术。Everspin科技公司首席运营官Saied Tehrani表示:"Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合,以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品发展蓝图,我...