半导体信息杂志

战略性新兴产业十二五规划年内出台

关键词: 新兴产业  十二五规划  节能减排  中国物价  政协委员  工业和信息化部  工业产品  工业企业  价格指数  全国人大会议  

<正>全国政协委员、原工业和信息化部部长李毅中昨日在驻地接受媒体采访时表示,目前中国物价指数较高更加说明需将节能减排放在首位,要从根本上降低能耗,降低对能源和资源的消费,才能抑制住PPI。据他透露,《战略性新兴产业发展"十二五"规划》将于年内出台,有关部门正抓紧起草初稿并报送国务院审批。李毅中表示,总体来说,中国物价是可控的,...

工信部副部长刘利华在上海表示十二五期间将积极推进电子信息产业结构调整

关键词: 电子信息  副部长  产业结构调整  国际金融危机  电子产品  严峻考验  工业和信息化部  经济增长  半导体设备  创新成效  

<正>2011年3月15日上午,"2011上海国际信息化博览会"在上海隆重开幕。工业和信息化部副部长刘利华出席开幕式并致辞。刘利华在致辞中指出,电子信息产业是全球经济增长的重要引擎,中国是全球电子信息产业发展的重要力量。过去的2010年,中国电子信息产业经受了国际金融危机的严峻考验,保持了平稳较快发展的良好势头。规模以上电子信

半导体材料与设备业创新需政策助力

关键词: 中国集成电路  设备业  市场发展速度  半导体材料  国内市场  半导体设备  设备材料  半导体企业  分立器件  塑料制品  

<正>从2010年开始,中国集成电路市场步入新一轮成长期,但市场的发展速度将不会再现前几年的高速增长态势,平稳增长将成为未来中国集成电路市场发展的主旋律。未来3年中国集成电路市场发展速度将保持在10%以上。因此,国内集成电路材料和设备企业,应该抓住机遇,努力创新,在重点材料和设备方面有所突破,满足国内市场需求。

半导体业增值税退税优惠政策未延续

关键词: 增值税退税  优惠政策  半导体业  软件业发展  企业所得税  获利年度  五免五减半  法定税率  中国软件  半导体生产  

<正>历时5年,国务院《关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》(下称"18号文件")的替代政策昨天终于出台。文件虽有诸多扶持软件业发展的举措,但备受业内人士关注的半导体业增值税退税优惠政策却并未延续。昨天,国务院办公厅颁布了《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》,即日起正式实施。

130名全球顶级半导体技术专家出席在上海举办的中国国际半导体技术大会

关键词: 半导体技术  中芯国际  台湾工研院  副总裁  研发部  柏克莱  学术界人士  微电子所  正明  技术水平  

<正>由SEMI、ECS及中国高科技专家组共同举办的中国国际半导体技术大会成功于3月13-14日在上海举办。中芯国际董事长王宁国博士、IBM公司院士及研发部副总裁陈自强博士、加州大学柏克莱分校教授胡正明博士及中国台湾工研院院士刘汉诚博士为大会作主题演讲,340多位讲师与741名与会的国内外

欧盟有关有害物质管理的新规定有可能使全球GaAs半导体市场趋于萎缩

关键词: 半导体市场  芯片制造商  风险评估  射频器件  列人  

<正>欧洲化学品管理局风险评估委员会(REACH)新近出台的有关有害物质管理的一项动议,把GaAs、InP等重要化合物半导体材料列入了管制范围。这一动议一旦被接受成为法律,预计将对欧洲的化合物半导体材料以及芯片制造商带

新型碳纳米管的薄膜晶体管问世

关键词: 薄膜晶体管  半导体性  金属性  电子标签  阿尔托  等高性  名古屋大学  纳米技术  金属纳米  纳米晶体  

<正>最近,科学家研制出了金属性和半导体性之间平衡达到最优化的新式碳纳米管,并使用这种纳米管制造出了薄膜晶体管(TFT),未来有望研制出诸如电子书和电子标签等高性能、透明的柔性设备。日本名古屋大学的科学家孙东明(音译)和同事以及芬兰阿尔托大学科学

IBM展示最快石墨烯晶体管

关键词: ibm  石墨烯  半导体生产  高级研究计划局  截止频率  循环操作  媒体展示  美国国防部  无线电频率  开闭比  

<正>IBM向媒体展示了其最快的石墨烯晶体管,该产品每秒能执行1550亿个循环操作,比之前的试验用晶体管快50%。该晶体管的截止频率为155 GHz,使得其速度更快的同时,也比IBM去年2月展出的100 GHz石墨烯晶体管具备了更多的能力。该晶体管的研制是IBM承接美国国防部高级研究计划局的任务,研发高性

Hittite最新推出GaAs MMIC I/Q下变频器系列

关键词: 下变频器  gaas  mmic  hittite  点对多点通信  点对点通信  射频微波  缓冲放大器  工作频率  本振  小信号增益  

<正>全球知名的射频微波MMIC厂商Hittite公司日前推出3款新型的I/Q下变频器,适用于雷达、卫星通信、点对点通信、点对多点通信应用,支持频率从9GHz到24 GHz。其中,HMC869LC5和HMC908LC5内置一个低噪放,以及一个镜频抑制混频器,该混频器由缓冲放大器驱动。HMC869LC5的工作频率为12～16 GHz,

HRL利用AIXTRON CCS MOCVD制备GaN HEMT MMIC

关键词: mocvd  gan  hemt  mmic  hrl  功率型  功率开关  材料利用率  输出功率  

<正>AIXTRON宣布HRL Laboratiories向其订购了一套6×2 CCS MOCVD系统。HRL将用这套系统来研究先进的GaN技术,包括生长毫米波功率型GaNHEMT器件,以及GaN晶体管用作功率开关。HRL的一位GaN研究人员表示,他们看中了CCS MOCVD设备的质量及其设计,非常适合他们的要求。设备的实

采用GaN HEMT的多尔蒂功率放大器

关键词: gan  hemt  多尔蒂  功率附加效率  输出功率  器件制作  日本电气  交调失真  

<正>据报道,日本电气通信大学发表了采用GaN HEMT器件制作的多尔蒂功率放大器。该功率放大器在1.9 GHz下,饱和输出功率31 dBm,功率附加效率(PAE)为58%。输入补偿10 dB时,获得24 dBm的输出功率和PAE31%良好的

瑞萨将上市SiC功率半导体 2011年10月开始量产二极管

关键词: 功率半导体  sic  功率因数校正  通信基站  日立制作所  三菱电机  功率元件  器件设计  逆变器  主管技师  

<正>瑞萨电子计划上市SiC(碳化硅)功率半导体。耐压600 V的SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)"RJS6005TDPP"将从2011年3月底开始样品供货。除了空调等白色家电外,预计还可用于通信基站和服务器等配备的PFC(功率因数校正)

罗姆“全球首次”开始量产SiC制功率晶体管

关键词: 功率晶体管  sic  罗姆  通用产品  定制产品  低导通电阻  产品阵容  开关时间  晶圆制造  芯片尺寸  

<正>罗姆宣布已开发完成使用SiC的DMOSFET(double-diffusion metal-oxidesemiconductorFET),并已开始量产。计划从2010年12月开始量产供货定制产品,2011年夏季供货通用产品。计划此后花1年左右的时间在耐压为600 V～1200 V、电流为5 A～20 A的范围内充实产品。

海力士开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存

关键词: 海力士  最大容量  内存芯片  芯片封装  芯片厂商  计算机内存  通孔  副总裁  大容量内存  生产技术  

<正>全球第二大计算机内存芯片厂商海力士半导体周三称,它已经开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存芯片。海力士在声明中称,通过使用一种名为TSV(硅通孔技术)的新技术,海力士成功地在一个芯片封装中堆叠了8个2 GB DDR3 DRAM内存芯片。TSV技

采用台积电28纳米低功耗生产工艺 赛灵思推出新一代可编程逻辑器件产品

关键词: 可编程逻辑器件  赛灵思  编程平台  生产工艺  应用开发平台  批量生产  系列产品  

<正>可编程平台厂商赛灵思公司日前宣布,全球第一批Kintex-7 325T现场可编程门阵列(FPGA)开始发货,标志着其7系列FPGA正式推出,成为业界推出最快的28 nm新一代可编程逻辑器件产品。赛灵思公司称,Kintex-7 FPGA将以最低的功耗提供最优的性价比,以满

新纳米晶体管展现强量子限制效应

关键词: 量子限制效应  纳米晶体  技术制造  硅纳米线  平版印刷  感测  半导体掺杂  萨斯  生物传感器  微纳米  

<正>美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管,表现出明显的量子限制效应,纳米线的直径越小,电流越强。该技术有望在生物感测、集成电路缩微制造方面发挥重要作用。相关研究发表在最近出版的《纳米快报》上。实验中,他们用平版印刷技术制造了一种直径仅有3纳米到5纳米的硅纳米

石墨烯晶格缺陷可以产生磁场电阻效应,有望应用于磁传感器和磁阻随机存储器

关键词: 随机存储器  石墨烯  磁传感器  晶格缺陷  磁阻  电子散射  参杂  马里兰大学  金属晶体  

<正>美国马里兰大学的研究人员最近发现,在石墨烯晶格中人为地、有控制地引入晶格缺陷,可以产生局部磁场,这些磁场对传导电子散射几率的影响类似于参杂金属晶体中产生的近藤效应。研究人员希望这一发现使得石墨烯可以被用来制造磁传感器和磁阻随机存储器。

Vishay Siliconix的双芯片P沟道器件刷新业内最低导通电阻纪录

关键词: 导通电阻  双芯片  占位面积  栅源  第三代  强型  电压降  负载开关  电平转换电路  欠压锁定  

综研化学和神户大学开发出p型半导体P3HT的新合成法,可用于有机太阳能电池

关键词: 有机太阳能电池  p型半导体p3ht  神户大学  有机类  量产化  新合成方法  转换效率  高分子材料  目标化合物  卤族元素  

<正>日本综研化学与神户大学教授森敦纪共同开发出了用于有机太阳能电池和有机FET等的有机类p型半导体材料P3HT的新合成方法。今后,将推进开发量产化技术。据双方介绍,该合成法还可用于开发P3HT以外的有机半导体高分子材料。原来的做法一直采用Dihalogen体作为起始原料合成P3HT,所以需要在低

日本Toyohashi科技大学研究人员发明整合硅与Ⅲ-Ⅴ族材料新方法

关键词: 光学部件  硅衬底  硅芯片  晶格失配  toyohashi  光子学  场效应晶体管  异质结构  晶格匹配  分子束外延  

<正>丰桥科技大学(Toyohashi University of Technolog)最近演示了如何将GaN发射器和其他光学材料集成到硅衬底中。研究人员称已经解决了硅和Ⅲ-Ⅴ族材料晶格失配的问题,从而使未来硅芯片上引入光学部件成为可能。硅光子学已经验证了大部分的光学功能,包括波导、谐振和开关,但是对于

美大学凭借双层栅极绝缘膜大幅减轻有机半导体的劣化

关键词: 有机半导体  绝缘膜  佐治亚理工  计算机工程系  georgia  有机类  外加电压  结晶硅  日本旭硝子  金属氧化物  

<正>美国佐治亚理工学院(Georgia Institute of Technology)宣布,开发出了特性几乎不会劣化的有机FET。可在大气且低温的环境中制造,有望为柔性有机电子,比如有机类太阳能电池、RFID、有机EL的实用化做出巨大贡献。进行开发的是佐治亚理工学院电子与计算机工程系教授Bernard Kippelen

台湾研发出全球最小9纳米内存技术 容量增20倍

关键词: 电阻式  晶胞  容量比  信息电子  开发成果  可携式  批量生产  何家  在美国  

<正>据香港中通社报道,台湾"国研院"纳米(台称"奈米")组件实验室日前开发出全球最小的9纳米功能性电阻式内存(R-RAM)数组晶胞;这个新内存在几乎不需耗电的情况下,1平方厘米面积内可储存1个图书馆的文字数据,将让信息

FDSOI(全耗尽绝缘体上硅)推动SOI发展

关键词: fdsoi  绝缘体上硅  硅集成电路  硅晶圆  高性能处理器  沟道效应  二十一世纪  高性能产品  氧化层  结深  

<正>SOI技术在上世纪80年代开始发展,其性能优势得到业界公认,如抗辐射、低功耗、高速、工艺简单等,被认为是"二十一世纪的硅集成电路技术"。但SOI晶圆成本高于普通硅晶圆,而没有得到推广。1998年IBM成功利用SOI技术制成高性能处理器,标志着SOI正式迈入高性能商用芯片市场。此后的十几年SOI领

DARPA MTO期待新一代芯片

关键词: darpa  mto  洛克希德  微系统技术  罗斯  局副  系统性能  军用雷达  外型尺寸  通信站  雷声公司  

<正>美国DARPA微系统技术局副局长马克·罗斯克表示,基于GaN的芯片已经达到了一定程度的可靠性和生产量。这种新一代芯片将在很大程度上取代GaAs芯片,特别是在各种高性能的用途中。科锐、雷声和洛克希德·马丁的项目经理们表示,GaN有望使芯片的价格更为合理,效率更高且系统性能更为强

辉钼有望代替硅成为新一代半导体材料

关键词: 半导体材料  美国物理学家  纳米电子学  电子芯片  石墨烯  设备领域  单分子层  纳米带  纳米技术  瑞士洛桑  

<正>据美国物理学家组织网1月31日报道,近日,瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)纳米电子学与结构(LANES)实验室称,用一种名为辉钼(MoS2)的单分子层材料制造半导体,或用来制造更小、能效更高的电子芯片,在下一代纳米电子设备领域,将比传统的硅材料或石墨烯更有优势。研究在1月30日的

上海宏力半导体0.18微米低本高效OTP制程成功量产

关键词: otp  技术节点  单元库  战略合作伙伴  存储性能  单元尺寸  产品上市  程相  设计规则  局部场  

<正>上海宏力半导体2日宣布其代工的O.18微米低本高效OTP制程的首个产品已经成功量产。该OTP制程结合了力旺电子的绿能OTP解决方案和宏力半导体自身的0.18微米技术节点,在使用较少光罩层数的同时,创造了业内OTP

应用材料公司拓展RFPVD技术实现22纳米晶体管触点制造

关键词: 应用材料公司  rfpvd  纳米晶体  器件性能  技术节点  铂合金  芯片制造商  晶圆代工  应用组合  产品事业部  

<正>近日,应用材料公司拓展了其Applied Endura Avenir RF PVD系统的应用组合,实现了镍铂合金(NiPt)的沉积,将晶体管触点的制造扩展至22纳米及更小的技术节点。晶体管触点上的高质量镍铂薄膜对于器件性能非常关键,但是在高深宽比(HAR)的轮廓底部沉积材料是一个极大的挑战。为确保触点阻抗的一致性和最佳产品良率,Avenir系统为HAR深达5:1的...

提升8英寸工厂自动化水平Crossing Automation在上海SMIF标准低成本硅片加载设备

关键词: 工厂自动化  smif  低成本自动化  半导体设备  系列产品  加载设备  工程服务  检测设备  量测  营销副总  

<正>全球高效低成本自动化解决方案暨工程服务供应商Crossing Automation日前于上海举办的中国半导体设备暨材料展(SEMICON China)中,引进全新系列的标准机械化接口(SMIF)晶圆加载机(LPT),此一系列产品可应用于各类200 mm开放式晶圆匣的制程、量测和检测设备。这些可适应性标准机械化接口晶圆加载机(SMIF-LPT)提供由非标准机械化接口升级...

应用材料公司依托深紫外激光技术突破暗场晶圆检测极限

关键词: 应用材料公司  芯片制造商  检测极限  首款  紫外激光  技术节点  检测工具  激光技术  检测系统  生产环境  

<正>应用材料公司推出Applied DFinder检测系统,用于在22纳米及更小技术节点的存储和逻辑芯片上检测极具挑战性的互连层。作为一项突破性的技术,该系统是首款采用深紫外(DUV)激光技术的暗场检测工具,使芯片制造商具有前所未有的能力,在生产环境中检测出图形化晶圆上极小的颗粒缺陷,从而提

一种新的氮化镓生长工艺有望制造出更高亮度的LED发光二极管

关键词: 氮化镓  发光二极管  led发光  生长工艺  输出能力  现有工艺  材料学  北卡罗来纳州  蓝宝石衬底  电气工程  

<正>美国北卡罗来纳州立大学(NCSU)的研究人员最近提出了一种新的的氮化镓生长工艺,据称和现有工艺比较,这一新工艺有望把材料的缺陷减低千分之一,从而使得那些基于氮化镓的LED发光二极管、功率器件等的输出能力增加

半/非极性面2英寸GaN基板:改进LED及激光器的撒手锏,住友电工开发出大型基板

关键词: 基板  gan  led  蓝光光驱  电气工业  发光效率  功率半导体  蓝紫色  制造设备  位密度  

<正>在白色LED中使用的蓝色LED芯片及蓝光光驱光源用蓝紫色半导体激光器,目前新型的GaN基板有望使这些GaN类半导体发光元件的性能得到大幅提高。而在该领域,日本业界最大厂商住友电气工业最近实现了新型GaN基板的大型化,并即将推出产品。该产品就是采用GaN结晶的"半极性面"及"非极性

Black Sand推出3G CMOS PA

关键词: 过温保护  耦合器  探测技术  black  sand  cmos  pa  美国德州  噪声指标  祸合器  数据传输速率  性能指标  

<正>美国德州的Black Sand科技公司近日推出了支持WCDMA、HSDPA、HSUPA的两款CMOS PA。BST34系列可以作为市场上GaAs PA的替代产品,功能及管脚安全兼容现有的GaAs PA;该PA集成带有内置方向性耦合器以及过压和过温保护电路。BST35系列集成了TrueDelivered功率探测技术,具备100:1

芯片制造三巨头的次世代光刻技术战略对比分析

关键词: 芯片制造  光刻技术  次世代  硅栅  掩模  电子束光刻  对比分析  林本  推进者  研究力量  

<正>台积电与Globalfoundries是一对芯片代工行业的死对头,不过他们对付彼此的战略手段则各有不同。举例而言,在提供的产品方面,Globalfoundries在28nm制程仅提供HKMG工艺的代工服务(至少从对外公布的路线图上看是这样),而相比之下,台积电的28 nm制程则有HKMG和传统的多晶硅栅+SION

英特尔公司称EUV光刻技术的发展赶不上其工艺进展的步伐

关键词: 光刻技术  euv  内存芯片  代工厂  批量生产  spie  发展趋势  光刻机  量产化  程节  

<正>在最近召开的SPIE高级光刻技术会议上,Intel公司称EUV光刻技术应用到大批量生产的时间点将会迟于Intel推出14 nm制程产品的时间点,而且按现在的发展趋势来看,很可能连Intel的10 nm制程都会赶不上!不过对其它芯片代工厂以及内存芯片制造商而言,仍有可能赶在他们推出16/14 nm制程产品时

马里兰大学开发新型光阻剂有望实现纳米等级的光刻分辨率

关键词: 光阻  马里兰大学  多光子技术  maryland  紫外光源  rapid  成反比  激光聚焦  曝光时间  photon  

<正>美国马里兰大学(University of Maryland)的研究团队最近提出一种多光子光阻剂(multi-photon photoresists),能让可见光微影达到纳米等级的分辨率;通常微影分辨率是与曝光时间成反比。该团队新开发的多光子技术简称RAPID(Resolution Augmentation

半导体封装行业研究报告

关键词: 半导体封装  行业研究  封装测试  摩尔定律  资本投入  半导体技术  晶圆制造  能转移  中国半导体产业  技术门槛  

<正>随着半导体技术的发展,摩尔定律接近失效的边缘。产业链上IC设计、晶圆制造、封装测试各个环节的难度不断加大,技术门槛也越来越高,资本投入越来越大。由单个企业覆盖整个产业链工艺的难度显著加大。半导体产业链向专业化、精细化分工发展是一个必然的大趋势。

SMBflat封装技术推动功率封装微型化

关键词: 意法半导体  技术推动  smbflat  表面贴装  双向晶闸管  封装尺寸  占板面积  三针  控制模块  电泵  

<正>意法半导体(ST)近期新型封装技术,可进一步缩减符合严格安全标准(如IEC 60370和IEC 60335)的控制模块的尺寸。意法半导体的部分新产品已开始采用新型SMBflat三针表面贴装封装,包括一款交流开关、一款晶闸管整流器以及三款双向晶闸管,这些产品被广泛用于阀门、电机控制电泵控制、起辉器及断路器。

2011年半导体材料市场稳步增长

关键词: 硅晶圆  半导体材料  移动产品  电子产品  

<正>据SEMI报道,2010年半导体产业销售额与出货量均达到创纪录的水平,使半导体材料市场获得强劲的增长。2010年硅晶圆出货总量增长40%,各个尺寸的晶圆均获得了增长。由于半导体产业大范围回暖,因此150 mm和200 mm晶圆出货量的增长与300 mm晶圆相当。2010年,硅晶圆收入增长40%接近102

今年全球芯片设备开支将增长28%达472亿美元

关键词: 半导体设备  多夫  克里斯琴  应用材料公司  资本开支  企业升级  产能过剩  

<正>据半导体设备与材料国际组织(SEMI)称,2011年全球芯片制造项目开支将增长22%,芯片设备生产开支将增长28%。SEMI的分析师克里斯琴@格雷戈尔@迭塞尔多夫(Christian GregorDieseldorff)称,2011年芯片加工厂开支将超过最高年份的2007年,达到464亿美元。

未来两年芯片价格势头良好

关键词: 芯片价格  半导体业  持续增长  市场分析  

<正>IC Insight的Bill McClean和Future HorizONs的Malcolm Penn两位分析师认为全球半导体业在2013年下降之前2011及2012年会持续增长。本周在法国Grenoble举行的ISS欧洲年会上它们表示了上述观点,并重申是由于它们分析了全球芯片的市场需求而导致ASP将由持平到上升之故。McClean预测全球半导体业的长期年均增长率可达9-10%,主要由于未