半导体信息杂志

电子信息产业高速发展 销售收入破10万亿大关

关键词: 电子信息  销售收入  统计公报  工业经济  主要产品产量  数据显示  

<正>工信部近日公布《2012年电子信息产业统计公报》,公报显示,2012年,我国电子信息产业销售收入突破10万亿元大关,达到11.0万亿元,增幅超过15%。2012年,我国电子信息产业销售收入达到11万亿元,增幅超过15%;其中,规模以上制造业实现收入84619亿元,同比增长13.0%;软件业实现收入25022亿元,同比增长28.5%。

2012年第十二届信息产业重大技术发明评选结果公布

关键词: 技术发明  信息产业  评选结果公布  低温共烧陶瓷  专家评审  技术创新成果  信息安全产品  顺络电子  商用  

<正>工信部为鼓励我国企业自主创新,加强知识产权保护,推动信息和通信技术创新成果产业化与应用,开展了2012年信息产业重大技术发明评选活动。在各省、自治区、直辖市及有关单位申报项目基础上,经过初审、专家预选、专家评审、结果公示等阶段,最终评选结果《低温共烧陶瓷(LTCC)关键材料、工艺技

中国已超越美国成为全球专利申请最多国家

关键词: 专利申请  中国商标  wipo  商标保护  

<正>德国"heise"网站12月31日报道,世界知识产权组织(WIPO)公布的"2012世界知识产权指数"显示,中国商标专利机构2011年收到的专利和商标保护申请为全球最多。据WIPO估算,2011年全球专利申请首次突破200万项,达到214万项,同比增幅达7.8%,超过1995年的一倍还多。当年中国商标专利局收到的申请达到52.6万项,由此首次成为全球第一。此前100年...

中科院宣布成功开发22nm MOSFET

关键词: 微电子研究所  工艺研发  nm  mosfet  技术节点  中国科学院  国际专利申请  商用领域  中芯国际  

<正>中国科学院微电子研究所(IMECAS)宣布在22 nm CMOS制程上取得进展,成功制造出高K金属闸MOSFET。中科院指出,中国本土设计与制造的22nm元件展现出更高性能与低功耗。根据中科院微电子研究所电路先导工艺研发中心表示,这项研发专案并结

东芝推出了超低导通电阻功率MOSFET

关键词: 低导通电阻  开关稳压器  电机驱动器  汽车应用  toshiba  漏电电流  东芝公司  工作温度  omeg  

<正>东芝公司(Toshiba Corporation)推出了一种低导通电阻功率MOSFET,该产品也成为其专为汽车应用打造的TO-220SIS封装系列中的最新成员。新产品"TK80A04K3L"还实现了低漏电电流和175℃的保证工作温度。该产品不但非常适用于汽车应用,还适用于电机驱动器和开关稳压器。

飞兆半导体扩展Dual Cool封装MOSFET

关键词: 结至环境热阻  飞兆半导体  dual  cool  开关性能  引脚排列  业界标准  产品组合  通信电源  同步  

<正>飞兆半导体已扩展和改进了其采用Dual Cool封装的产品组合,这种封装属于业界标准引脚排列封装,带有顶侧冷却,适用的产品中包括40-100 V中压产品系列。硅技术的进步结合Dual Cool技术,可提供卓越的开关性能以及低结至环境热阻,其数值比标准5 mm×6 mm MLP塑封封装低四倍。

IR推出具有基准导通电阻的全新300V功率MOSFET

关键词: 导通电阻  ir  交流电压  逆变器  线性调节器  国际整流器  并联使用  提升系统  销售副总裁  业界标准  

<正>全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出配备IR最新功率MOSFET的300 V器件系列,可为各种高效工业应用提供基准导通电阻(Rds(on)),这些工业应用包括110 V-120 V交流电压线性调节器和110 V-120 V交流电压电源,以及直流-交流逆变器,如

罗姆试制出漏电流减少95%的SiC制MOSFET

关键词: sic  绝缘膜  绝缘耐压  卓治  罗姆  大学研究生院  工学  铝氧化物  

基于SiC材料的功率器件脚步临近

关键词: 功率半导体器件  碳化硅材料  sic材料  节能能力  技术趋势  工作温度范围  高频工作  散热性  硅二极管  

<正>硅材料的节能能力已接近极限,部分企业把注意力放到碳化硅材料上。SiC材料的采用也是功率半导体器件的主要技术趋势之一。以前功率半导体器件都采用硅材料,但业内人士认为硅材料的节能能力已经接近极限,因此部分企业开始把注意力放到碳化硅材料的开发上。对此,业界指出,碳化硅半导体功率器件有四大优点:第一,工作温度范围比较大,在高...

日本等国半导体技术创新应用

关键词: 半导体技术  半导体器件  转换效率  逆变器  创新应用  eniac  开关速度  三菱电机  斩波器  新型器件  

<正>半导体器件的发明和应用深刻地改变了近50年的人类历史发展进程。进入21世纪,半导体器件无处不在,已成为构筑信息化社会的基石。同时,电力半导体在提高电力转换效率方面的作用使之成为构筑低碳社会的基石。半导体技术的节能效果是显而易见的。世界首台采用电子管的电子计算机ENIAC重达30

日本的SiC半导体研究信息

关键词: 半导体研究  sic  宽禁带半导体  微波器件  半导体元件  禁带  器件模拟  新日铁  器件制作  中央研究所  

<正>SiC是一种宽禁带半导体,据称有200多种polytypes。其禁带宽度根据polytype的不同,可以从～2.4变化到～3.3 eV。它的应用范围很广,比如高功率和高温半导体元件,微波器件,短波长发光元件等。从世界上的研究热度来看,最有可能实现也最有应用前景的当属高功率器件。在这方面来说,SiC相对于Si器件的优点主要是它可以用在高功率和高温领域。

日本节能技术战略中新型电力电子器件的发展规划

关键词: 节能技术  电力电子器件  电子节能  燃烧系统  经济产业省  燃烧效率  交通运输  社会生活领域  发展规划  

<正>日本经济产业省在近来的《节能技术战略》中,提出了以下五项节能技术:(1)超级燃烧系统技术——提高燃烧效率;(2)超越时空能量利用技术——储能;(3)信息化社会生活领域节能技术;(4)先进交通运输节能技术;(5)采用电力电子节能技术。

单芯片集成低损耗SiC功率器件

关键词: sic  通信基站  碳化硅材料  芯片集成  电源转换  电源电路  逆变电路  联合开发  转换速度  

<正>全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社宣布开发出了肖特基势垒二极管(SBD)RJS6005TDPP,该器件采用了碳化硅材料——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。这款新型SiC肖特基势垒二极管适用于空调、通信基站和太阳能阵列等大功率电子系统。该器件还采用了日立株

三菱电机公布SiC器件节能效果

关键词: 逆变器  感应马达  三菱电机  主电路  铁路车辆  电能损耗  制动能量  再生性能  再生率  

<正>三菱电机对铁路车辆逆变器中SiC二极管的节能效果进行了验证,并公布了验证结果。该验证结果是通过将使用SiC二极管的逆变器配备在东京地铁银座线的新型"01系列列车"上,从2012年2月开始实际运行而获得的。结果表明,与原来的01系列列车相比,由逆变器装置及感应马达等组成的主电路系统的耗

美国科锐推出碳化硅功率器件为太阳能应用创造新机会

关键词: 太阳能应用  肖特基二极管  市场领先者  首款  新产品系列  不间断电源设备  rec  电源系统  电机驱动器  

<正>碳化硅功率器件的市场领先者科锐公司将重新界定大功率应用的性能和能效,推出全新产品系列—50A碳化硅功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700VZ-FET.碳化硅MOSFET器件,还包括1200VZ-FET.碳化硅MOSFET器件和三款Z-Rec.碳化硅肖特基二极管,能够提供创纪录的能效以及比传统技

业界首家:二极管SiC-MOS模块

关键词: 开关特性  开关损耗  导通电阻  同步整流  逆变器  transistor  正向电压  低电  

<正>特点:1)MOS单体即可保持开关特性不变。无尾电流,开关损耗更低即使去掉sbd亦可实现与以往产品同等的开关特性。由于不会产生Si-IGBT中常见的尾电流,损耗可降低50%以上,有助于设备更加节能。另外,达到了Si-IGBT无法达到的50 khz以上的开关频率,因此,还可实现外围设备的小型化、

Microsemi公司推出工业级碳化硅功率模块系列产品

关键词: 功率模块  microsemi  大功率开关电源  不间断电源  太阳能逆变器  石油勘探  半导体技术  功率管  

<正>致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(MicrosemiCorporation)日前宣布,推出新一代工业温度碳化硅(SiC)标准功率模块。新产品非常适用于要求高性能和高可靠性的大功率开关电源、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其他高功率高

功率密度高达60kW/L的SiC逆变器

关键词: 逆变器  sic  功率密度  功率元件  功率半导体  电力损耗  低电阻  日本电装  原产品  

<正>日本电装试制出了采用SiC功率元件制成的逆变器。该逆变器的特点是输出功率密度高达60 kW/L,这一数值达到了"全球最高水平"(该公司称)。该试制品通过将功率半导体材料由原来的Si改为SiC,同时功率元件内部通过采用自主开发的构造实现了低电阻化,从而降低了电力损耗。而且,还通过

未来的氧化镓器件

关键词: 氧化镓  结晶形态  通信研究  结晶生长  发光层  mesfet  电流分布  外延层  高导电性  

氮化镓即将实现产业化

关键词: 氮化镓  逆变器  松下公司  电气工业  发光效率  转换装置  量子效率  导通电阻  寄生电感  通信基站  

<正>近年来,GaN电力半导体的研发日益活跃。与采用Si电力半导体相比,GaN电力半导体应用于逆变器、转换器等的电力转换装置,可大幅提高效率,并实现小型化。富士通研究所与古河电气工业等组成的企业集团、美国IR公司、日本三垦公司、NEC与NEC电子组成的企业集团以及松下公司均已着手研发该类产品。目前,GaN电力半导体研发的焦点之一是底板的...

华虹NEC 0.13/0.18μm SiGe工艺技术成功进入量产

关键词: sige  工艺技术  晶圆代工厂  射频前端  光通讯  手机通讯  器件性能  无线路由  器件模型  客户选择  

<正>日前,世界领先的纯晶圆代工厂之一,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称"华虹NEC")宣布其最新研发成功、处于业界领先地位的0.13/0.18μm SiGe工艺技术进入量产。由此成为国内首家、全球少数几家可以提供0.13/0.18μmSiGe量产工艺的代工厂之一。该新型SiGe工艺平台包括0.13μm SiGeBipolar及0.18μm SiGe BiCMOS

TEL集团向英飞凌提供SiC外延设备

关键词: sic  tel  英飞凌  应腔  装置性能  石川  缺陷密度  表面粗糙度  均一性  

TriQuint新型GaN功率晶体管使放大器尺寸减小50%

关键词: 功率晶体管  gan  triquint  氮化镓  射频功率  工作频率  输出功率  宽带系统  商业通信  vs  

<正>TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓(GaN)HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半,同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6 GHz宽广的工作频率上提供30-37W

富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件

关键词: 氮化镓  器件技术  导通电阻  增值应用  基板  基功  硅晶圆  单元电路  转换效率  fujitsu  

<正>富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5 kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进

降低蓝宝石上外延GaN的缺陷密度

关键词: 缺陷密度  外延层  gan  器件结构  蓝宝石衬底  高性能材料  掩膜  电致发光  光电探测器  国际合作项目  

<正>最近开展的一项国际合作项目研究小组在蓝宝石衬底上制作了一种难以置信的超高质量GaN外延层。这项制备工艺仅需要单步外延生长就可以实现。来自加州大学洛杉矶分校的谢tahong说:"我们希望这项关键技术可以运用到那些需要高性能材料的器件结构上。这些器件包括激光器、限制功率缩放

美开发出“4维”晶体管

关键词: 半导体工业  美国普渡大学  电子迁移率  研究成果  介质层  日至  半导体材料  硅芯片  笔记本电脑  复合绝  

<正>最新报道,美国普渡大学和哈佛大学的研究人员推出了一项极为应景的新发明:一种外形如同一颗圣诞树一样的新型晶体管,其重要组件"门"(栅极)的长度缩减到了突破性的20纳米。这个被称为"4维"晶体管的新事物预告了引领半导体工业和未来计算机领域发展的潮流。该研究成果于12月8日至12日在旧

美科学家开发出迄今最小砷化铟镓晶体管

关键词: 砷化铟  团队开发  微芯片  实验室科研  硅半导体  电子设备  摩尔定律  漏极  研究成果  阿拉莫  

<正>硅半导体作为微芯片之王的日子已经屈指可数了,据物理学家组织网近日报道,美国麻省理工学院科学家开发出了有史以来最小的砷化铟镓晶体管。该校微系统技术实验室科研团队开发的这个复合晶体管,长度仅为22纳米。研究团队近日在旧金山举行的国际电子设备会议上介绍了该项研究成果。

MIT开发出新型锗晶体管 速度提升四倍

关键词: 锗晶体  mit  提升速度  材料结构  锗原子  最上层  实验设计  

<正>据国外媒体报道,MIT的科学家已经研发出了一种新型晶体管,新的晶体管通过材料原子结构中的洞孔来让电流通过,速度是当前晶体管的4倍左右。为了能够提升速度,科学家们将锗放置在不同的硅层上和硅符合产品上,随后锗

罗姆开发出业界顶级的超低VF小型肖特基势垒二极管

关键词: vf  半导体制造商  便携设备  产品阵容  日本京都  罗姆  电源电路  正向电流  芯片尺寸  元件结构  

<正>日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向智能手机等便携设备开发出业界顶级的低VF小型肖特基势垒二极管"RBE系列"。本产品已经以月产500万个的规模开始量产,随着客户采用的增加,从2012年9月份开始将产能扩充为每月1000万个。此次,产品阵容中新增了更加小型的VML2封装(1.0×0.6mm)。通过这些

安捷伦推出性能最高6-GHz信号发生器

关键词: 信号发生器  ghz  雷达性能  合成器  相位噪声  航空航天  模数转换器  切换速度  器件性能  实时仿真  

<正>如今的航空航天与国防环境需要利用增强的雷达性能来检测远距离微弱信号。为了提供测试上述设计所需的干净、精密的信号,MXG采用创新的三环合成器,在1 GHz频率上偏置20 kHz时提供—146 dBc/Hz相位噪声。MXG还具备业界领先的—96 dBc(1 GHz时)杂散性能,适用于雷达元器件的开发人

升特推出全新的高能效全集成式亚GHz RF收发器

关键词: 收发器  健康监控  无线应用  rfic  etsi  警报系统  成式  全新产品  医疗监护  category  

<正>升特公司(Semtech)以一款全新产品SX1235扩充了其RFIC平台。该新产品是一种高性能、低功率的全集成式亚GHz RF收发器,满足ETSICategory 1规范并有6dB监管裕度。根据欧盟规定,ETSI category 1符合性是对收发器的最严格要求,是社会警报以及健康监控等关键性安全无线应用的强制要求。

德州仪器推出业界最低相位噪声频率合成器

关键词: 频率合成器  相位噪声  寄生信号  相位检测器  压控振荡器  同类竞争  锁相  超低噪声  系统性能  集成型  

<正>日前,德州仪器(TI)宣布推出可实现业界最低相位噪声并具有集成型压控振荡器(VCO)的宽带频率合成器。该产品整合超低噪声锁相环(PLL)与业界最高相位检测器频率,相位噪声与寄生信号性能(spurious)都优于同类竞争产品。LMX2581能驱动最高系统性能,还具有输出频率介于50至3760 MHz

台积电在硅基板上实现锗沟道FinFET证实良好的晶体管特性

关键词: finfet  基板  trench  工艺技术  电源电压  taiwan  技术利用  shallow  性能出  

<正>台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd.)在"IEDM2012"上公布,使用与硅基FinFET相同的工艺技术在硅基板上制成了锗沟道FinFET,并获得了出色的晶体管特性。台积电表示,电导率/S因子(gm/SS)的数值作为未施加应变的多栅极构造锗沟道FET,为迄今报告过的最出色数值。

瑞萨利用氧化物半导体形成p型FET,为应用于CMOS开辟新路

关键词: 氧化物半导体  fet  多层布线  漏极  通态电流  电源接口  半导体器件  逆变器  掩模  器件尺寸  

<正>氧化物半导体将以高精细显示器的驱动晶体管为中心实现实用化。由于氧化物半导体具备可在低温下制备、性能高且透明的特点,因此有望广泛应用。不过,氧化物半导体存在难以形成p型晶体管的课题。实际上,作为氧化物半导体的典型代表已经实用化的In-Ga-Zn-O晶体管全都是n型。因此,需要由n型

抑制氮化物二极管的漏电流

关键词: 反向漏电流  algan  研究实验室  工程师们  商业前景  正向电流  载流子密度  外延片  面密度  she  

<正>日立中央研究实验室的工程师们发现,通过降低载流子面密度(sheet carrierdensity),AlGaN/GaN肖特基势垒二极管的反向漏电流可以大幅下降。高漏电流是今天GaN二极管的死穴,由于高温、高频率和高功率的组合特性,GaN二极管有很好的商业前景。人们普遍认为,泄漏的主要原因是结构上的缺陷,尤其是位错

日本开发出石墨烯量产技术

关键词: 石墨烯  电池材料  结构材料  物质科学  碳材料  日本东北大学  超临界液体  剥离法  收获率  电子部件  

<正>日本东北大学多元物质科学研究所与昭和电工宣布,双方共同开发出了量产优质石墨烯片的技术。这意味着在利用石墨烯作为汽车的电池材料及轻量高强度结构材料方面迈出了重要一步。石墨烯是以1个原子的厚度从作为碳材料的石墨中剥离制得的材料。除了

我国半导体激光器芯片技术研究获突破

关键词: 半导体激光器  慢轴  发散角  快轴  光束质量  晶体激光器  发光学  领域前沿  波导结构  光机所  

<正>近日,由中科院长春光机所发光学及应用国家重点实验室大功率半导体激光器课题组佟存柱研究员承担的,中科院知识创新工程领域前沿项目"大功率高亮度光子晶体激光器及列阵"取得了阶段性进展,他们通过布拉格反射波导结构,成功地将半导体激光快轴(垂直)发散角从40度降低到7.5度,慢轴(水平)

日本推出高插头效率半导体激光器

关键词: 半导体激光器  毫瓦  平视显示器  输出功率  夏普公司  单模  光束发散度  工作电流  正交方向  工作电压  

<正>近日,日本夏普公司开发出一种新型的高效率单模红光半导体激光器。该激光器工作在642纳米,插头效率达33%,可用于激光投影仪和平视显示器。据夏普公司介绍,这种半导体激光器型号为GH0641FA2C,由此前使用的DVD/CD读写激光器衍生而来,输出功率为150毫瓦,达到了业界最高水平,并

英特尔美国12英寸厂投产采用最先进45纳米工艺

关键词: 纳米工艺  亚利桑那州  芯片制造  芯片厂  chandler  金属栅  新墨西哥州  

<正>据EETimes网站报道,英特尔斥资30亿美元建造的一座12英寸芯片厂近日正式投产,这是英特尔首座采用45纳米工艺的大规模芯片制造厂。这座代号为Fab 32的工厂坐落于美国亚利桑那州Chandler市,2005年开始动工兴建,当时预计在2007年第二季度投产。Intel最先进的45nm生产中引入

赛灵思打造20nm的价值:继续领先一代

关键词: 赛灵思  nm  无线基站  智能网络  认知无线电  自适应天线  数据中心  可编程技术  监视系统  视频处理  

<正>赛灵思正在打造20nm All Programmable产品系列,专门满足下一代的、更加"智能"、集成度更高、亟需更高带宽的系统。这些应用包括:1)智能Nx100G-400G有线网络;2)LTE高级无线基站部署智能自适应天线、认知无线电技术、基带和回程设备3)高吞吐量、低功耗的数据中心存储、智能网络和高度集成的