购物车(0)半导体信息杂志是由中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所主管，中国半导体行业协会分立器件分会;中国电子科技集团公司第五十五研究所主办的一本部级期刊。
半导体信息杂志创刊于1990，发行周期为双月刊，杂志类别为电子类。
杂志介绍
半导体信息杂志是由中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所主管，中国半导体行业协会分立器件分会;中国电子科技集团公司第五十五研究所主办的一本部级期刊。
半导体信息杂志创刊于1990，发行周期为双月刊，杂志类别为电子类。
关键词: 产业联盟 半导体照明 研半导体 原材料工业 联盟建设 检测认证 共性技术 工程研发 工业和信息化部 司副
<正>2015年5月8日,工业和信息化部原材料工业司副司长苗治民一行调研了国家半导体照明工程研发及产业联盟、中科院半导体所。国家半导体照明工程研发及产业联盟成立十余年来,在各有关部门、中科院半导体所等单位的支持下,围绕服务企业发展、支撑政府决策、营造市场环境、促进资源整合等方面开展了大量工作,在体制机制创新方面探索了一条新...
关键词: 中国制造 制造强国 集成电路行业 电子器材 智能制造 封装测试 长电科技 展讯通信 恩智浦
<正>被誉为中国版"工业4.0"的《中国制造2025》规划终于浮出水面,国家层面部署全面推进实施制造强国战略,聚焦制造业绿色升级、智能制造、高端装备创新三大方向,并提出到2025年迈入制造强国行列。在召开的第十三届中国国际半导体博览会暨高峰论坛(IC China 2015)新闻上,中国半导体行业协会执行副理事长兼秘书长徐小田、中国电子器材总公司...
关键词: cree 电动车辆 工业电源 充电系统 电子领域 功率范围 可再生能源 副总裁 高频功率 终端系统
<正>Cree了行业内首个900V碳化硅MOSFET技术。该技术可在高频功率电子领域应用,如可再生能源变频器,电动车辆充电系统,三相工业电源。该900V平台与硅基解决方案成本相近,具有价格竞争力,有助实现更小型更高效的下一代功率转换系统。Cree功率和射频公司的副总裁兼总经理Cengiz Balkas介绍说:"与同类型的硅基MOSFET相比,这项具有突破性的900...
关键词: 安森美半导体 n沟道mosfet 导通电阻 产品阵容 击穿电压 导通损耗 皮法 门极 数据网络 令人
<正>安森美半导体(ON Semiconductor)针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列,进一步扩大其宽广的产品阵容。这些器件能提供低得令人难以置信的导通电阻RDS(on)值,从而将导通损耗降至最低并提升整体工作能效水平。它们还有低至2164皮法(pF)的门极电容(Ciss),确保保持尽可能低的驱动损耗。安森美半导体新的NTMFS...
关键词: 长电科技 范荣 焊接工艺 整体成本 长电位 芯片级封装 芯片制造 封装形式 中芯国际 电子产品
<正>2015年5月22日,深圳长电科技有限公司召开2015年度锂电MOSFET系列新品会,宣布推出DFN2×3、CSP系列新品。深圳长电科技总经理杨国江、副总经理范荣定出席了本次会,业界相关企业和人士参加了会。新推出的DFN2×3封装产品具有相比DFN3×3封装产品,具有尺寸更小、有利缩减PCB宽度的优势,另外还具有贴片工艺简单、整体成本低、不易破裂、焊接...
关键词: 氮化镓 gan systems 电子展览 强型 系列产品 逆变器 分销网络 电动汽车 island
<正>GaN Systems称最新研发出世界上最小的650V,15A的氮化镓晶体管。新型晶体管GS66504B尺寸仅5.0mm×6.5mm,是7A到200A范围、650V器件系列产品的新成员,比同类产品的尺寸缩小50%。GaN Systems的首席执行官Jim Witham表示:"我们有点惊讶地看到,在PCIM电力电子展览和会议上,采用8mm×8mm双扁平无引线(DFN)封装的氮化镓600V,15A器件被称赞为业...
关键词: 低噪声放大器 砷化镓 mmic 噪声系数 塑料封装 倍频器 亚利桑那州 表面贴装 氮化镓 尼克斯
<正>Custom MMIC公司将于5月19日到21日在美国亚利桑那州菲尼克斯市举行的2015国际微波研讨会上几款新型砷化镓和氮化镓MMIC放大器,开关和倍频增效器。最新系列的产品包括两款砷化镓低噪声放大器,型号分别为CMD228P4和CMD229P4,还有一款砷化镓无源倍频器,型号CMD225。CMD228P4是一款宽带MMIC低噪声放大器,在2GHz到6GHz条件下可获得30dB增...
关键词: 氮化镓 qorvo 塑料封装 无线电通信系统 军用雷达 塑料外壳 产品阵容 产品部 基板 基础设施
<正>Qorvo了一系列输入匹配并以低成本的塑料外壳封装的氮化镓晶体管,预期为商用和军用雷达以及无线电通信系统节约成本。"Qorvo公司的输入匹配的晶体管能在频段内实现功率和效率的优化,使射频系统具备更大的灵活性,并简化基板的设计,这些特性引起了市场的关注。"Qorvo基础设施和防御国防产品部的负责人James Klein表示:"通过扩大采用低成...
关键词: 氮化镓 射频功率 蜂窝基站 无线基础设施 首款 市场推广 副总裁 系列产品 主流市场 制造成本
<正>飞思卡尔公司针对移动蜂窝基站了首款氮化镓射频功率器件。型号A2G22S160-01S器件可应用于30W和40W放大器,适用于无线基础设施应用,是针对移动蜂窝市场计划研发的Airfast系列产品的首发代表。而就在仅仅几个月之前,飞思卡尔才刚刚了首款军用和商用功率晶体管MMRF5014H。氮化镓材料的应用曾经因为成本高昂而不被重视,但近期商业和技术...
关键词: 氮化镓 gan systems 功率晶体管 不间断电源 电源适配器 电流能力 强型 功率开关 功率转换效率 充电电源
<正>随着增加强型650V硅基氮化镓晶体管GS65516T问世,GaN Systems公司的增强型硅基氮化镓晶体管产品再增新品,GS65516T据称能提供60A市场最高的电流能力。GS65516T功率开关采用了今年3月刚刚的专利技术,具有顶端和侧面降温功能的设计,器件可使用传统的散热片或风扇进行降温。该公司称,650V E-HEMT GS65516T性能优越,具有反向电流能力,恢复...
关键词: 氮化镓 epc 关键元器件 运行温度 工业自动化 马达驱动 基板 通孔 pitch 领先优势
<正>EPC近日了两款eGaN FET,其功率转换性能显著提升。产品运行温度最高可达150°C摄氏度,脉冲电流容量分别为可达200A(150VEPC2034)和140A(EPC2033)。可应用于直流转换器,直流DC/DC转换器和AC/DC交直流转换器中的同步整流器,马达驱动,LED照明和工业自动化。这些产品扩增了EPC公司以1mm球间距为特色的"Relaxed Pitch"产品系列。更宽的间距...
关键词: 氮化镓 macom 器件成本 单位功率 类似性 调制信号 功率密度 批量生产 工作效率 应用领域
<正>MACOM了第四代硅基氮化镓技术,并宣称该项技术在性能上可以与昂贵的碳化硅基氮化镓技术媲美,并在成本上远低于目前广泛使用的LDMOS技术。第四代硅基氮化镓技术在调制信号2.7GHz下能实现高于70%的峰值效率和19dB的增益,这与碳化硅基氮化镓技术类似,工作效率相比较LDMOS高10%,功率密度是其4倍多。该优异的性能有望在批量生产氮化镓基器...
关键词: 氮化镓 epc idt 通信基础设施 芯片尺寸 基础设施领域 新型器件 射频电路 功率密度 专业经验
<正>IDT公司和EPC公司近日决定合作,将IDT公司的硅技术和EPC的氮化镓技术结合,携手开发针对通信、计算机基础设施,无线电功率和射频电路领域的新型器件。对于通信基础设施应用来说,氮化镓材料电容较低,QRR值为0,芯片尺寸的封装造成的低电感,使得其在高频条件下工作效率较高。两公司携手合作,期望能够结合IDT公司系统运行的专业经验,以提高...
关键词: 功率开关 氮化镓 hiposwitch 英飞凌公司 外延生长 导通电阻 最大电流 制造成本 强型 工业生产
<正>欧盟项目组HiPoSwitch,成功研发了一款快速高效增强型氮化镓功率开关。单一器件晶体管仅4.5×2.5mm2,经过优化可应用于600V条件下,导通电阻75mΩ,最大电流120A。晶体管成品最终由英飞凌公司在马来西亚的生产线上进行低感应ThinkPAD外壳封装。比利时公司EpiGaN和Aixtron都已将研究方向由外延转向以硅作为外延生长的衬底,衬底制造成本因此...
关键词: 氮化镓 电源装置 战略产品 马达控制 风险企业 于富 能将 日经
<正>据日经BP报道,松下研发出用于电源和马达控制的新一代半导体,将于2016年春季在日本国内企业中率先量产。新一代半导体采用氮化镓(GaN),能将耗电量控制在原来一半左右。据悉,松下目前已与日本国内外约10家企业就供货进入最终交涉,新一代半导体被松下定位为重振持续亏损的半导体业务的战略产品,松下计划首先将向服务器电源装置等供货。...
关键词: 超宽带 rf功率gan 塑料封装 最佳性能 氮化镓 副总裁 连续波 冷却系统 无线电通信设备 同类竞争
<正>飞思卡尔半导体日前推出两款采用全新先进塑料封装的超宽带RF功率氮化镓(GaN)晶体管。借助这些新型封装和产品,飞思卡尔正在释放GaN性能的真正潜力,并在提供业界最佳性能的GaN器件方面,已经取得了重大突破。飞思卡尔高级副总裁兼射频业务部总经理Paul Hart表示:"借助这两款业界领先带宽的产品,我们的客户采用一个射频器件替换两个甚至...
关键词: 功率元件 sic 综合研究所 日本产业 电气工业 元件表 挖沟 左右将 低导通电阻 阈值电压
<正>住友电气工业将涉足SiC功率元件业务。该公司将利用通过日本产业技术综合研究所的"Tsukuba Power-Electronics Constellations(TPEC)"试产线确立的量产制造技术开展业务。业务开始的具体时间未定,不过该公司预计SiC功率元件市场到2020年左右将形成规模,所以"将在此之前启动业务"。住友电工此前已试制出SiC功率元件和功率模块等,并在学...
关键词: rohm 沟槽式 芯片尺寸 导通电阻 平面式 首款 批量生产 功率损耗 功率系统 输入电容
<正>Rohm最新发表了他们首次采用沟槽式结构研制并大批量生产了碳化硅MOSFET。与传统平面式碳化硅MOSFET相比,同样芯片尺寸条件下,导通电阻降低了50%,极有可能也能大幅降低许多设备的功率损耗,如工业用转换器和电源,电源和太阳能电力系统的电力调制器,太阳能功率系统调制器。近些年,世界范围内越来越多的研究开始关注电力供应的解决方案,...
关键词: 不间断电源 东芝公司 数据中心 基功 同类竞争 功率开关 footprint 结温 转换技术 系列产品
<正>东芝公司最新了一系列500KA和750KA的不间断电源,供应于有碳化硅基功率器件构建的数据中心。G2020系列运行效率为98%,据称是双倍转换式不间断电源行业内最高的运行效率。与传统的不间断电源相比,G2020系列新产品产生热量、噪声和干扰较小,降温成本较低,也更加节省能源。东芝公司功率器件部门的产品经理Jesus Penalver表示,功率电力电...
关键词: 开关损耗 闩锁效应 victoria 性能水平 牢固性 fairchild v igbt 为高 开关性能 新一代产品
<正>Fairchild将在PCIM Asia上介绍如何通过打破硅的限制将IGBT开关损耗降低30%。Fairchild大幅降低其第四代650V和1200VIGBT损耗,降幅达30%。Fairchild采用工业和汽车市场中专为高/中速开关应用设计的新方案,提供了行业领先的性能水平,同时具有极强的闩锁效应,确保了优异牢固性和可靠性。Fairchild将在2015亚洲PCIM中演示各种应用的测试...
关键词: 功率密度 产品寿命 英飞凌 igbt5 primepack xt 工作结温 开关性能 逆变器 功率损耗
<正>2015年6月8日,英飞凌科技股份公司推出发挥英飞凌新一代IGBT优势的最新一代PrimePACK TM功率模块。IGBT5和创新的.XT技术结合,是IGBT芯片和模块技术发展的一个重要里程碑。IGBT5降低静态和动态功率损耗,提高功率密度,而.XT模块工艺技术可通过增强热管理和功率循环周次延长产品寿命。因此,全新推出的PrimePACK TM模块成为了风电、光伏...
关键词: ka波段 macom 高线性度 功率附加效率 无线接入网 数据密度 新型产品 输出功率 传输解决方案 数据连接
<正>MACOM一款高线性度6W功率放大器,适用于Ka波段高数据密度的卫星通信和5G无线接入网。裸片(MAAP-011140-DIE)具有24dB线性增益,6W饱和输出功率,23%功率附加效率。该项产品经理Paul Beasly介绍MAAP-011140-DIE新型产品虽尺寸较小,但巧妙的融合了高功率、高线性度和高效率等特性,十分适合需要高效的卫星通讯传输解决方案的系统,与最近的4...
关键词: northrop ka波段 最大功率 氮化镓 功率附加效率 平均输出功率 项目目标 自主研发生产 研究实验室 峰值功率
<正>Northrop Grumman公司近期研发了一款氮化镓MMIC功率放大器,据称能获得Ka波段最大功率。这款27-30GHz的放大器在27GHz时,峰值功率达到40W条件下,27到30GHz放大器平均输出功率为36W,功率附加效率超过30%。MMIC尺寸为13.5mm2。Northrop Grumman公司参与了空军研究实验室氮化镓先进电子MMIC生产项目,该项目由三号国防采购法案提供资金支...
关键词: dbm 宽带放大器 macom ghz 测试器 压缩点 温度补偿 回退 增益控制 直流电压
<正>MACOM研发了一款宽带放大器,适用于直流50GHz频带范围,型号MAAM-011109-DIE。该型放大器具有较高性能,可实现50欧匹配,典型的输入和回退损耗都优于15dB,低噪声,十分便于使用,可满足用户对于宽带全匹配放大器的需求。MAAM-011109-DIE有诸多特性,如:栅偏压可根据功率和温度调节,以改变电流设定;增益平稳控制可实现15dB增益控制(0到-1V);...
关键词: 射频放大器 pasternack 超宽带 小信号增益 高动态范围 噪声系数 内部交流 内部使用 供电电压 输出功率
<正>Pasternack公司公布了便携式台式射频放大器新产品线,其覆盖频带极宽,可达40GHz。这些射频放大器模块结实耐用,其设计可满足MIL-STD-202F标准中有关湿度、冲击、振动、高度及温度周期环境条件等所有要求,从而极其适于在航空航天、国防、光学、工业、电信以及研发等行业的高流量测试实验室内部使用。上述最新的射频放大器产品包括4种型...
关键词: vishay 反向恢复时间 反向电压 正向压降 开关损耗 热性 功率因数校正 通信应用 工作结温
<正>日前Vishay宣布,推出16颗采用超薄SMPD(TO-263AC)封装的新款10A~30AFRED Pt~Hyperfast和Ultrafast恢复整流器。这些Vishay Semiconductors整流器具有极快和软恢复热性、低漏电流和低正向压降,在汽车、照明和通信应用里可减少开关损耗和过热情况,同时为TO-263(D2PAK)封装提供了低高度的替代产品。推出的FRED Pt整流器有通过AEC-Q101...
关键词: 收发器 射频性能 工业控制应用 无线功能 家庭自动化 thread 无线网 无线协议 外形尺寸 开发环境
<正>飞思卡尔半导体日前采用全新的2.4GHz IEEE 802.15.4收发器,为许多备受欢迎的Kinetis MCU扩展无线功能,适用于家庭自动化和工业控制应用。飞思卡尔的MCR20AVHM收发器支持多个无线网,可与基于ARM Cortex-M0+和Cortex-M4架构的Kinetis MCU搭配使用,实施低功耗无线协议和应用,包括Thread、ZigBee~以及多个专有的解决方案。飞思卡尔的新...
关键词: 氮化镓 上变频器 w x波段 advantech 宽带通信系统 便携型 组成部件 产品重量 商业发展 副总裁
<正>致力于卫星宽带通信系统的研发的Advantech Wireless公司,最新了一款可应用于军事应用战略的50 W X波段氮化镓阻碍转换器上变频器。50 W X波段氮化镓上变频阻碍转换器安装在一个紧凑便携型可降温的外壳结构中,专为在户外操作设计。产品可适用于任何天气状况,尤其适合恶劣严酷的环境,如单人可携带航空部署等。产品重量不足3.5公斤,采用...
关键词: 下变频器 adf5904 adi ghz 四通道 塑料封装 模数转换器 噪声系数 高线性度 低功耗性
<正>Analog Devices,Inc.近日推出一款高度集成的四通道、24GHz接收机下变频器MMICADF5904,具有业界最佳的低噪声性能、高线性度和低功耗性能组合。ADF5904集成式多通道接收机下变频器具有10dB噪声系数,优于竞争型器件3dB,而功耗低50%,采用高性价比小型5×5mm LFCSP塑料封装。该器件的四个片内接收通道采用简单的单端连接与四个独立天线相...
关键词: hz 上变频 凌力尔特 频率带宽 放大器电路 频率范围 输出信号 线性度 变压器设计 电源电流
<正>凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出一款有源双平衡上变频混频器LTC5576,该器件具有很宽的RF频率范围,从3GHz直到8GHz。LTC5576凭借卓越的25dBm OIP3线性度和在8GHz时仅为2dB的出色转换损耗提高了微波发送器及上变频性能,与其他无源混频器相比,LTC5576可提供卓越的输出信号质量,无源混频器一般的损耗为8dB。此外,LO输入...
关键词: 晶闸管 st 意法半导体 功率控制 可控硅整流 不间断电源 印刷电路板 固态继电器 半导体市场 分立器件
<正>意法半导体的TN5050H-12WY是世界首款大功率可控硅整流晶闸管(Silicon-Controlled Rectifier Thyristor),提供高达1200V的截止电压以及汽车级产品质量。电流处理能力高达80A以上,工作温度高达150°C,不仅满足汽车半导体市场的各项严格要求,更证明了意法半导体在功率分立器件市场上的领导优势。TN5050H-12WY适用于各种AC/DC转换器,包括...
关键词: 栅极驱动 adi adum4135 igbt 隔离式 电流隔离 传播延迟 系统控制性 频率切换 逆变器
<正>ADI最近推出ADuM4135隔离式IGBT栅极驱动器,其可提高工业电机控制应用的电机能效、可靠性和系统控制性能。单封装ADuM4135集成ADI公司备受赞誉的iCoupler数字隔离器技术,通过成熟的电流隔离技术来确保安全性和可靠性,同时实现业界最佳的特性组合——CMTI(共模瞬变抗扰度)为100kV/µs且传播延迟为50ns(典型值)。利用ADuM4135,客户...
关键词: 逆变器 vishay 可替代能源 焊接设备 最小间隙 爬电距离 工作电压 污染程度 供货周期
<正>Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的SMD封装的超薄2.5AIGBT和MOSFET驱动器——VOL3120。Vishay Semiconductors这款器件占位小,高度为2.5mm,最小间隙和外部爬电距离为8mm。除了尺寸小的特点,器件还具有高隔离电压,VIORM和VIOTM分别为1050V和8000V,非常适合在更高工作电压或污染程度更严重条件下运转,例如电机驱动、可替代能源...
关键词: 低能耗 美国国防部 零功率 使用寿命 特定类型 使用成本 物联网 至数 纳瓦 信息交换
<正>美国国防部5月15日说,美国军方最近开始研发一种低能耗的近零功率传感器,可使传感器的使用寿命从数周或数月延长至数年时间。这不仅能减少传感器的使用成本,也会降低重新部署传感器的频率,减轻维护人员的暴露风险。这一项目名为"近零功率射频与传感器操作(N-ZERO)"。据美国国防部网站的新闻公报,现有传感器在工作时会持续耗能,但大部...
关键词: pcim asia 2015 科技助力 展出产品 功能器件 驱动方案 可再生能源 国际电力 toshiba 电力领域 专利产品
<正>2015年6月15日–上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(PCIM A-sia 2015)将于2015年6月24日至26日在上海世博展览馆举办。日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司将以其"Human Smart Community by lifenology-the technology life requires(智社会,人为本,以科技应人类之求)"的企业理念,展示多款电力领...
关键词: vishay 移相全桥 零电压开关 导通电阻 反向恢复 软开关 可再生能源 半桥 技术制造 太阳能逆变器
<正>日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,3颗新的600VEF系列快恢复二极管N沟道功率MOSFET-SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和Si-Hx70N60EF。VishaySiliconix的这三款器件具有低反向恢复电荷和导通电阻,在工业、电信、计算和可再生能源应用中可提高可靠性,并且节能。此次推出的这些600V快恢复二极管MOSFET采用第二代超级结技术制造,充实了Vish...
关键词: 太阳能逆变器 正向电压 恢复电荷 降低损耗 vishay 三相逆变器 高频应用 正向电流 反向恢复时间 功率因数校正
<正>Vishay推出28颗新的600V和650VFRED Pt Gen 4Ultrafast快恢复二极管,这些器件适用于电源模块、电机驱动、UPS、太阳能逆变器、焊机逆变器里的高频转换器。Vishay Semiconductors的"H"和"U"系列器件以晶圆形式的裸晶供货,它们具有超低正向电压和反向恢复电荷,能够降低损耗,提高效率,同时这些器件的极软的关断动作能够在所有开关条件下...
关键词: 瞬态抑制二极管 littelfuse 电路板空间 封装尺寸 齐纳二极管 倒装芯片 电路保护 静电放电 电容值 低电容
<正>Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,近日推出四款通用ESD保护瞬态抑制二极管阵列(SPA?Diode)解决方案,这些解决方案相比业内同类产品占据的电路板空间更小。SP1013和SP1014瞬态抑制二极管阵列符合标准0201封装尺寸,但相比其他0201解决方案,其所需的电路板空间减少了30%,组件之间的间隙更大。SP1020和SP1021系列采用业内最小...
关键词: 砷化镓 rf 微波应用 最佳设计 高线性 替代方案 制程技术 通讯设备 切换器 步进衰减器
<正>砷化镓射频(RF)元件凭借着优异的杂讯处理及高线性等特色,成为高效能通讯设备开发人员长久以来的首选方案;然而,近来随着绝缘层覆硅(SOI)制程技术的突破,以硅材料为基础的RF元件性能已大幅突破,成为替代砷化镓方案的新选择。近来硅基产品在技术上的突飞猛进,再结合设计制程的改变,使其在高效能射频(RF)及微波应用中,已逐步展现做为砷...
关键词: 化合物半导体 ibm 晶体缺陷 技术名 template 微细化 摩尔定律 半导体性能 瑞士苏黎世 硅纳米线
<正>IBM公司的瑞士苏黎世研究所开发出了可在硅元件上生长出几乎没有晶体缺陷的化合物半导体晶体纳米线的技术。这可以说是一种虽然以Si/CMOS技术为基础,却无需依靠微细化就能提高半导体性能的方法。IBM将其定位于可延续摩尔定律的技术,同时也将其视为一项有望实现可在硅上形成光学电路的硅光子的技术。IBM此次开发的技术名为"模板辅助选...
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