半导体信息杂志是由中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所主管，中国半导体行业协会分立器件分会;中国电子科技集团公司第五十五研究所主办的一本部级期刊。
半导体信息杂志创刊于1990，发行周期为双月刊，杂志类别为电子类。
杂志介绍
半导体信息杂志是由中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所主管，中国半导体行业协会分立器件分会;中国电子科技集团公司第五十五研究所主办的一本部级期刊。
半导体信息杂志创刊于1990，发行周期为双月刊，杂志类别为电子类。
关键词: 集成电路制造 企业所得税 中国 重磅 生产企业
企业所得税减免政策优惠力度大根据《关于集成电路生产企业有关企业所得税政策》显示，只要经营期在10年以上，且符合以下三个条件，企业可以在第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25％的法定税率减半征收企业所得税，并享受至期满为止。
关键词: 中国 进口 芯片 发达国家 竞争对手 副部长 服务器 计算机
中国工信部副部长辛国斌日前指出，计算机和服务器所用高端芯片仍有95％以上需要进口，与发达国家还有几十年的差距。中国官员就芯片依赖进口发出警告。据金融时报引述中国一位政府部长警告，中国在生产半导体方面仍然远远落后于外国竞争对手，用于计算机和服务器的高端芯片仍有95％以上需要进口，尽管已投人巨额资金追赶。
关键词: 集成电路产业 产业联盟 南京 资本市场 市场化运作 技术路线 生态建设 产业链
近日，南京集成电路产业发展暨资本市场合作峰会在宁成功举办，峰会以“芯产业·鑫资本·新地标——创新名城从“芯”出发”为主题，旨在围绕南京集成电路产业发展中涉及到的全产业链打造、技术路线突破、资本市场对接、多层次保障、市场化运作等要素配置及产业生态建设，组织高端对话和推介活动，以期推动南京集成电路产业高起点、高速度和高质量...
关键词: 芯片产业 新材料 研发 架构 设计 计算机芯片 美国国防部 硅芯片
硅计算机芯片从面世到现在已走过50多个春秋，正如一个迈人老年的人，硅芯片创新的步伐已明显放缓。现在，美国国防部高级研究计划局（DARPA）“受命于危难之间”，开始着手解决这一问题。
关键词: 射频功率 氮化镓 半导体公司 gan 工艺 技术 产品 功率晶体管
NXP近日推出用于大型和户外小单元5G蜂窝网络的射频氮化镓（GaN）宽带功率晶体管A3G22H400—04S和A3G35H100—04S。
关键词: 日本富士通公司 输出功率 高电子迁移率晶体管 阻挡层 间隔层 栅宽 晶体结构 实验室
近日，日本富士通有限公司和富士通实验室有限公司宣布，他们在氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）中开发出一种可以增加电流和电压的晶体结构，有效地将微波频带中发射器用晶体管的输出功率增加三倍。
关键词: integra 航空电子 敌我识别 晶体管 氮化镓 技术 美国 高功率
美国Integra技术公司推出一种采用氮化镓（GaN）技术的敌我识别（IFF）航空电子用晶体管IGN1011L120，可提供120W峰值输出功率。
关键词: 功率晶体管 香港科技大学 集成电容 氮化镓 硅衬底 器件性能 栅极 台湾地区
香港科技大学（HKUST）和台湾半导体制造公司联合实现硅衬底上p型氮化镓（p—GaN）栅极高频功率晶体管上集成电容。P栅极GaN晶体管具有增强模式，其中晶体管处于电流关断状态，栅极电位为零。这样可以降低功耗。该研究成果已发表于IEEE电子器件快报。
关键词: 微电子器件 第三代半导体材料 电源转换 氮化镓 化合物半导体材料 gan材料 光电子器件 化学稳定性
GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照...
关键词: 以色列 电动汽车 混合动力 桥板 半导体公司 gan 低损耗 开关
位于以色列的GaN功率半导体公司VisIC Technologies宣布推出一款新的水冷半桥评估板，以展示使用其GaN全开关（高级低损耗开关）可实现的性能。
关键词: 雷达应用 前端模块 频段 gan 有源电子扫描阵列 紧凑 rf功率 出口标准
Qorvo，Inc．推出针对下一代有源电子扫描阵列（AESA）雷达设计的高性能X频段前端模块（FEM）——QPM2637和QPM1002。这些符合出口标准的氮化镓（GaN）产品也符合任务关键型操作所必需的高RF功率生存性要求。
关键词: 半导体器件 电动汽车 sic 标准 功率转换系统 能源市场 功率密度 碳化硅
科锐旗下Wolfspeed于近日宣布推出E-系列碳化硅（SIC）半导体器件。这一新型产品家族针对电动汽车EV和可再生能源市场，能够为车载汽车功率转换系统、非车载充电、太阳能逆变器和其它户外应用提供目前最高的功率密度和长期可靠性。
关键词: 肖特基二极管 碳化硅 能源成本 和空间 电力电子系统 低开关损耗 se公司 产品组合
Littelfuse公司新推出五款GEN2系列1200V 3L TO-247肖特基二极管和三款GEN2系列1200V 2L TO-263肖特基二极管，扩充其碳化硅电源半导体产品组合。相比硅二极管，GEN2碳化硅肖特基二极管可显著降低开关损耗，并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性。本次产品于纽伦堡举行的PCIM2018欧洲展会期间举办。
关键词: mosfet 意法半导体 功率管 低导通电阻 电压范围 连续电流 插入损耗
意法半导体STEF01可编程电子熔断器集成低导通电阻RDS（ON）的VI—PowerTM MOSFET功率管，在8V到48V的宽输入电压范围内，能够维持高达4A的连续电流，并且插入损耗低，将动作快速的过载保护的优势延续到额定功率更高的应用产品。
关键词: 场效应晶体管 突破性 西班牙 超高灵敏度 石墨 管具 分子相互作用 生物传感
西班牙石墨烯生产商Graphenea宣布推出一系列突破性的新型石墨烯场效应晶体管（GFET），可用于工业和商业用途。该成果代表了数据收集的速度和有效性的显着进步，有助于生物、化学、光学、磁性或分子相互作用的研究领域的发展，包括生物传感、光电检测、生物电子学和化学传感等。
关键词: 射频晶体管 ldmos 品系 射频能量 耐用型 大功率 连续波 产品
坚固耐用型250WRFPA晶体管具有69％的能效，并可在所有相位上承受20：1的VSWR7月18日，Ampleon近日宣布向其适用于连续波（CW）射频能量应用的大功率LDMOS射频晶体管产品阵容中新增一款产品。
关键词: 功率晶体管 射频能量 产品组合 多级别 道路 开发工具 能量系统 高性能系统
固态技术为使用射频能量的系统带来了增强的控制功能和可靠性，人们对此早有认识，但射频功率晶体管缺少开发工具来帮助工程师充分利用这些优势。全球最大的射频功率晶体管供应商恩智浦半导体（NASDAQ：NXPI）今日宣布推出RFE系列射频能量系统解决方案。这些2．45GHz、250W平台解决方案能够帮助工程师通过全新的方式来创建原型和开发创新的高性...
关键词: custom 低噪声放大器 mic公司 噪声系数 性能优异 美国 宽带 单片微波集成电路
美国Custom MMIC公司是单片微波集成电路（MMIC）的开发商，近日提供了一种新的GaAs低噪声放大器（LNA）MMIC，其宽带噪声系数性能优异，一度只能通过分立场效应晶体管设计实现。
关键词: 线性功率放大器 产品组合 ka波段 卫星通信 vsat 应用 高速连接 功率输出
MACOM推出其经过优化的Ka波段功率放大器全面产品组合。这款产品组合适用于对高速连接、效率和可靠性有苛刻要求的下一代卫星通信和甚小口终端应用。全新基于砷化镓的Ka波段功率放大器具有2、2．3、3、4和6W的功率输出选项，涵盖27到31．5GHz的频率范围，预期提供业内一流的线性度、IM3及众多其他关键指标性能。
关键词: 合成器 噪声性能 低噪声 adi 相位 器具 宽带 无线基础设施
ADF5610小数N分频合成器可产生55MHz至15GHz的射频输出，适用于各种市场应用，包括航空航天和国防、无线基础设施、微波点对点链路、电子测试和测量以及卫星终端。
关键词: 产品组合 通讯市场 横向扩散金属氧化物半导体 高可靠性 创新开发 小尺寸 射频
科锐旗下Wolfspeed于近日宣布推出新型横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）产品，帮助实现更小尺寸系统、更高可靠性与效率。Wolfspeed近期收购英飞凌射频（RF）功率业务，扩大了产品组合，加速了公司在通讯领域的创新开发进程。
关键词: 微波频率合成器 噪声性能 adi 宽带 devices 压控振荡器 无线基础设施 单芯片设计
Analog Devices，Inc．（ADI）近日宣布推出一款集成压控振荡器（VCO）的宽带频率合成器，其在性能和灵活性方面均有突破，适合航空航天和防务、无线基础设施、微波点对点链路、电子测试与测量、卫星终端等多种市场应用。ADI的ADF5610新型宽带小数N分频频率合成器采用单芯片设计，可在55MHz至15GHz的频率范围内输出RF信号，并提供行业最低的相位...
关键词: 移动终端 毫米波 高通 突破性 智能手机 全集成 射频
高通宣布推出全球首款面向智能手机和其他移动终端的全集成5G新空口（5GNR）毫米波及6GHz以下射频模组。
关键词: 宽禁带 美国 技术 创新 电力 资助 项目资金 制造业
作为美国制造业创新中心之一的电力美国（PowerAmerica）为6个新的项目提供支持，这些项目旨在加强美国的宽禁带（WBG）技术。此外，PowerAmerica还为现有成员领导的20个项目提供了支持，为该周期提供总计2000万美元的项目资金。
关键词: 双平衡混频器 性能测试 雷达应用 无线电 测量 宽带 微波 产品组合
MACOM推出其全新的宽带双平衡混频器产品组合。这款产品组合可涵盖8到43GHz和18到46GHz的频率范围。全新MAMX系列混频器提供低转换损耗、高线性度和宽中频（IF）带宽，非常适合满足下一代测试和测量（T＆M）、微波无线电和雷达应用的性能需求。
关键词: spdt开关 宽带 射频开关 频率覆盖 开关功能 卫星通信 无线电 砷化镓
MACOM推出其享誉业界的高性能射频开关组合中的最新产品。全新基于砷化镓的SPDTMASW系列开关经过优化，具有同类最佳的高速开关功能和宽带频率覆盖范围，适用于卫星通信、5G无线、测试和测量（T＆M）、电子战和微波无线电应用。
关键词: 碳纳米管薄膜 单壁 制备 科学家 中科院金属研究所 薄膜晶体管 连续合成 世界范围
近日，中科院金属研究所孙东明团队联合刘畅团队，研发了一种连续合成、沉积和转移单壁碳纳米管薄膜的技术，首次在世界范围内制备出米级尺寸高质量单壁碳纳米管薄膜，并基于此构建出高性能的全碳薄膜晶体管（TFT）和集成电路（IC）器件。
关键词: 台积电 投资 科技部 预计
台积电预计投资逾6000亿元新台币（约合195亿美元）以上兴建3nm厂，2020年动工，最快2022年底量产。根据规划，台积电3nm案预计使用南科28公顷用地，并紧临台积电5nm厂，科技部预订在2020年中交地给台积电盖厂房。
关键词: 半导体行业 产值 nand闪存 半导体市场 闪存芯片 电子系统 同比增长 dram
过去两年中由于内存、闪存芯片涨价，半导体行业产值接连创新高，这一趋势在2018年还将继续。来自IC Insights的消息称，2018年全球电子系统产值将达到1．62万亿美元，其中半导体市场产值将达到5091亿美元，也是全球半导体产值首次突破5000亿美元大关，同比增长14％，原因跟DRAM内存、NAND闪存均价大幅增长有关。
关键词: 半导体市场 ic 电子系统
今年全球电子系统市场将达1兆6，220亿美元，成长5％，半导体市场将达5，091亿美元，成长14％，电子系统平均内含半导体比重估计达31．4oA，将创历史新高纪录。
关键词: 电力电子器件 gan si基 产品可靠性 产品成本 jedec 加工技术 技术成熟
进入2018年，部分Si基GaN电力电子器件获得JEDEC和AEC—Q101认证，产品可靠性正在获得认可。同时，8英寸Si基GaN外延和器件加工技术不断取得突破，未来技术成熟后将进一步降低产品成本。在可靠性提升和成本降低等因素促进下，Si基GaN电力电子器件将迎来快速发展阶段。
关键词: sic 碳化硅 产业规模 元件 市场规模 功率半导体 电子产业 sdk
市场研究单位Yole Developpement（Yole）指出，碳化硅（SIC）电力电子产业发展具高度潜力，包括RO HM, Bombardier, Cree, SDK, STMicroel ect ronics, In-fineon Technologies, Littelfuse, Ascatron等厂商都大力投入。Yole预测到2023年SiC功率半导体市场规模预计将达14亿美元，2016年至2023年间的复合成长率（CAGR）为28％，2020～2022年CAGR...
关键词: 市场规模 氮化镓 国防部 预测 美国 通信应用 无线基础设施 同比增长
根据美国战略分析公司战略组件应用（SCA）小组报告“RF GaN市场更新：2017—2022”预测，射频氮化镓（RF GaN）市场在2017年继续加速，收入同比增长超过38％，到2022年将超过10亿美元（国防部门需求略高于商业收入）。GaN正在各种射频应用中得到应用。增长主要是由于商用无线基础设施的推出以及军用雷达、电子战（EW）和通信应用的需求。
关键词: mosfet 半导体市场 供需 缺货 功率半导体 市场供给 中兴通讯 供应商
日前，据台湾媒体报道，随着时序进入半导体市场传统旺季，功率半导体MOSFET市场供给缺口持续扩大，国际IDM大厂又无扩增新产能，导致MOS—FET价格已连续3季度调涨，目前第三季价格已上涨一成。而国际IDM厂下半年MOSFET产能也已被预订一空，在此情形下，ODM／OEM厂及系统厂大举转单台湾供应商，而国内随着中兴通讯重启运营，也带动大陆厂商MOSFE...
关键词: 世界 gan 驱动ic 工厂 首座 mosfet 电源管理 晶圆代工
从年初至今半导体上游材料硅晶圆一路调涨价格，反映下游8英寸晶圆代工需求紧俏，世界先进在去年已感受来自指纹识别、MOSFET等客户下单大增，今年上半年又受惠电源管理IC及大尺寸面板驱动IC拉货强劲，已在今年初对部分产品调涨代工报价，进一步拉高电源管理IC及大尺寸面板驱动IC营收比重至48％及30％。
关键词: 宽禁带半导体 项目总投资 吴江 生产平台 半导体器件 芯片制造 产业链 苏州市
6月23日，英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行开工仪式。据悉，该项目总投资60亿，占地368亩，建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台，填补我国高端半导体器件的产业空白。
关键词: 项目总投资 生产线 半导体 中国电子信息产业集团 工艺 上海 塔 生产能力
澎湃新闻8月16日获悉，中国电子信息产业集团积塔半导体有限公司特色工艺生产线项目在上海临港正式开工。积塔半导体特色工艺生产线项目位于上海临港装备产业区，占地面积23万平方米，项目总投资359亿元，目标是建设月产能6万片的8英寸生产线和5万片12英寸特色工艺生产线。产品重点面向工控、汽车、电力、能源等领域，将显著提升中国功率器件（I...
关键词: 集成电路 产业基地 投资建设 南京 科技 经济开发区 管理委员会 项目总投资
华天科技7月6日晚间公告，公司拟在南京浦口经济开发区投资建设南京集成电路先进封测产业基地项目。公司与南京浦口经济开发区管理委员会于2018年7月6日签订南京集成电路先进封测产业基地项目《投资协议》。项目总投资80亿元，分三期建设，主要进行存储器、MEMS、人工智能等集成电路产品的封装测试。
关键词: 德州市 总投资 规模化 硅材料 大尺寸 经济技术开发区 半导体材料 合作协议
7月26日，德州经济技术开发区与有研半导体材料有限公司在济南山东大厦举行集成电路用大尺寸硅材料规模化基地项目投资合作协议签约仪式。该项目落户德州经济技术开发区，总投资80亿元。其中一期建设年产276万片8英寸硅片生产线，二期建设年产360万片12英寸硅片生产线。
关键词: 半导体 投资额 株洲市 华南 功率器件 集成电路 产业 集群
近日，总投资额为6．8亿元、年产30亿只功率器件的盛元半导体项目正式签约落户湖南株洲市云龙产业新城，为云龙产业新城集成电路集群的形成和发展增添了新力量。
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