半导体信息杂志是由中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所主管，中国半导体行业协会分立器件分会;中国电子科技集团公司第五十五研究所主办的一本部级期刊。
半导体信息杂志创刊于1990，发行周期为双月刊，杂志类别为电子类。
杂志介绍
半导体信息杂志是由中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所主管，中国半导体行业协会分立器件分会;中国电子科技集团公司第五十五研究所主办的一本部级期刊。
半导体信息杂志创刊于1990，发行周期为双月刊，杂志类别为电子类。
关键词: 州立大学 电子器件 晶体管 氧化镓 美国 小体积 低质量 功率
美国纽约州立大学布法罗分校研制出击穿电压达到1850V的氧化镓晶体管，有望在改善电动汽车，太阳能和其他形式可再生能源方面发挥关键作用，如可使电动汽车提高能量输出的同时，保持车身的轻量化和流线化设计。研究成果发表在《IEEE电子器件快报》9月刊。
关键词: 行业协会 集成电路 成都市 特色产业 电子信息产业 风险投资机构 生态 产业投资
9月14日,成都市集成电路行业协会在＂2018年国际泛半导体产业投资峰会＂上揭牌成立,该协会由成都市集成电路企业、风险投资机构、企业服务机构、高校及科研院所、事业单位等机构共同组成。电子信息产业是四川省第一支柱产业,而成都又是四川电子信息产业的战略要地。2017年,成都全市电子信息产业规模达到6400亿元.
关键词: 功率晶体管 电源转换 功率场效应晶体管 加利福尼亚州 输出电流 电力管理 小尺寸
位于美国加利福尼亚州埃尔塞贡多的宜普电源转换公司（EPC）公司推出了一款100VGaN晶体管,最大RDS（on）为25mΩ,小尺寸的高效电源转换的脉冲输出电流为37A——EPC2051。这款晶体管主要将硅上eGaN功率场效应晶体管（FET）在电力管理上应用。
关键词: 功率开关器件 意法半导体 合作开发 氮化镓 硅基 转换技术 车载充电器 制造技术
意法半导体和CEA Tech下属的研究所Leti近日宣布合作研制硅基氮化镓（GaN）功率开关器件制造技术。该硅基氮化镓功率技术将让意法半导体能够满足高能效、高功率的应用需求,包括混动和电动汽车车载充电器、无线充电和服务器。本合作项目的重点是开发和检测在200mm晶片上制造的先进的硅基氮化镓功率二极管和晶体管架构。
关键词: 通信系统 氮化镓 电子战 高功率 雷达 器件 性能 可满足
观点来源：美国Qorvo公司国防和航空市场战略总监Dean White美国Wolfspeed公司航空和国防制造高级总监Jim Milligan恩智浦（NXP）RF多市场团队的产品营销Gavin Smith NXP应用工程师Paul Scsavnicki水星系统公司RFM组高级总监兼总经理Deepak Alagh雷达、电子战（EW）和通信系统越来越多地使用氮化镓（GaN）技术来满足这些系统严格的高性能、高功...
关键词: 电源装置 fet gan 高压 台达公司 加利福尼亚州 场效应晶体管 锂离子电池
为客户提供电力电子和热处理解决方案的提供商台达电子表示,其最新产品80Plus铂金800W电源装置（PSU）,现可提供备用锂离子电池,这一产品的出现得益于使用Transphorm公司的高压（HV）GaN FET。Transphorm公司位于美国加利福尼亚州的戈莱塔市,该公司设计和制造的这款GaN FET符合JEDEC和AEC-Q101标准，是一款具有高压功率转换的场效应晶体管。
关键词: 导弹发射器 计算机芯片 拦截器 gan 生产 雷神公司 氮化镓 行波管
雷神宣布将开始在新生产的Guidance Enhanced Missile-TBM（GEM-T）拦截器中使用氮化镓（GaN）计算机芯片,以取代目前在导弹发射器中使用的行波管（TWT）。雷神希望通过使用GaN芯片升级GEM-T的发射器,提高拦截器的可靠性和效率。此外,在新生产导弹中过渡到GaN意味着发射器不需要在拦截器的使用寿命期间更换。
关键词: 电化学蚀刻 深沟槽 纵横比 氮化镓 电力电子技术 制造 光电化学 器件结构
日本SCIOCS有限公司和法政大学曾报导了在氮化镓（GaN）中利用光电化学（PEC）蚀刻深层高纵横比沟槽的进展[Fumimasa Horikiri et al, Appl. Phys.Express, volll, p091001, 20181]。该团队希望该技术能够在高场中能够利用GaN的高击穿场和高电子迁移速度为电力电子技术开辟新的器件结构。
关键词: 高电子迁移率晶体管 氮化镓 磁感应 相对灵敏度 研究人员 塞尔维亚 相互作用 漏极电流
英国斯旺西大学和塞尔维亚尼斯大学的研究人员声称他们首次制造出氮化镓（GaN）磁性高电子迁移率晶体管（MagHEMT）。可以看出器件采用的是分流式漏极,这可以评估由于与磁场相互作用引起的电子路径偏差。这些器件的相对灵敏度由漏极端子之间的电流差相对于特斯拉（T）中磁场上的总漏极电流给出。
关键词: 功率模块 芯片集成 sic mosfet sbd barrier 高功率密度 三菱电机
三菱电机开发了首款6.5kV全SiC（Silicon Carbide）功率模块,采用高绝缘耐压HV100标准封装（100mmí140mm）。通过电磁仿真和电路仿真,优化了HV100封装的内部设计,并通过实际试验验证了稳定的电气特性。6.5kV HV100全SiC功率模块为了提高功率密度,将SiC SBD（Schottky Barrier Di-ode）与SiCMOSFET芯片集成在一起。
关键词: mosfet sic 肖特基二极管 se公司 ic器件 最终用户 碳化硅 产品
Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC器件,使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的产品更加丰富。在产品LSIC1MO170E1000中已经将该公司早前已的1200V SiC MOSFET和肖特基二极管运用到其中。Littelfuse公司表示,最终用户将由此获得更紧凑,更节能的系统并且将会降低使用的总体成本。Littelfuse还表示.
关键词: 车载充电器 碳化硅 硅产品 车用 半导体元件 混合动力车 二极管 能量损失
据外媒报道,在今年的纽伦堡PCIM欧洲展会上,英飞凌（Infineon）推出了首款车用碳化硅产品,肖特基（Schottky）二极管,并为其新创了一个品牌名CoolSiC。此二极管专为混合动力车和电动车中的车载充电器（OBC）应用而设计。基于碳化硅的半导体元件肖特基（Schottky）二极管与传统硅元件相比更具能效,因此能量损失也更低。同时,此类半导体元件还能在...
关键词: mosfet器件 coolmos smps 股份公司 智能电表 低功率 高密度 充电器
更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司推出CoolMOS~（TM） P7系列的新成员950V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求：用于照明、智能电表、移动充电器、笔记本适配器、AUX电源和工业SMPS应用。
关键词: rf功率晶体管 大功率 半导体 输出功率 晶体管数量 频率范围 电源供电 功率效率
埃赋隆半导体（Ampleon）近日宣布推出大功率坚固型BLF189XRARF功率晶体管，用于88—108MHz频率范围内的广播FM无线电应用。BLF189XRA采用业界标准的50V电源供电，输出功率超过1，600W（CW）。该晶体管具有同类最佳的工作功率效率（〉82％），这一“绿色”凭证有助于提供环保性能，并且，能够通过单个SOT539封装提供这样的功率水平，也可减少整...
关键词: integra公司 航空电子设备 微波晶体管 敌我识别器 射频 输出功率 电子战 碳化硅
Integra技术公司正在推出用于电子战、雷达、航空电子设备、国防、通信，以及情报、监视和监控（ISM）应用的IGN1011L120IFF晶体管。通过使用氮化镓（GaN）和碳化硅（SIC）技术，该晶体管可提供120瓦的峰值输出功率。
关键词: ldmos晶体管 粒子加速器 功率效率 rf功率晶体管 射频 法兰螺栓 工作效率 半导体
埃赋隆半导体（Ampleon）近日宣布推出一款750W的Gen9HV LDMOS RF功率晶体管BLF13H9L750P,专门设计用于工作在1.3GHz频谱的粒子加速器应用。该晶体管采用陶瓷4引脚SOT539形式并采用法兰螺栓固定封装（BLF13H9L750P）和法兰无耳封装（BLF13H9LS750P），可提供优于629／6、据信是同类产品中最高的效率。凭借如此高的工作效率规格，该晶体管与其他...
关键词: 射频信号 产品 科技 英国 矢量网络分析仪 频率范围 合成器 慕尼黑
英国比克科技（Pico Technology）于2018年9月25日在慕尼黑印度电子展和欧洲微波展同时两款射频新产品：快速射频信号合成器AS108和矢量网络分析仪标准检测件TA430和TA431。PicoSource AS108快速射频信号合成器是一种紧凑的、低成本的、基于PC的、能快速建立的信号源。频率范围300KHZ到8GHz.
关键词: empower 放大器 rf 系统 gan systems web服务 应用程序
Empower RF Systems公司近期推出了一款单波段固态氮化镓（GaN）系统放大器。该款放大器能够整个0．6-6GHz频段内提供至少150W的功率。Model2223型配有内部DDC，外部前向和反向采样端口，以及带有专用功能的web服务GUI，可简化与测试应用程序的集成。并且它同样适合于生产车间，工程实验室或消声室使用。
关键词: integra公司 功率放大器模块 航空电子系统 碳化硅基 l波段 氮化镓 射频 性能
美国Integra Technologies公司推出了一款射频功率放大器模块IGNP1011L2400,旨在解决高性能L波段航空电子系统中多种尺寸、重量、功率和成本（SWaP-C）挑战。IGNP1011L2400是一款高功率碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）射频功率放大器模块,专为IFF/SSR系统而设计,该系统或用于S ELM（48×{32μs开、18μs关闭}.
关键词: 单刀双掷开关 宽带通信系统 gaas 电子战 优化 应用 美国 技术组合
近日,美国Macom公司新的MASW-011102SPDT非反射开关,扩展了其RF开关技术组合。基于Macom的GaAs基单刀双掷（SPDT MASW）系列开关的既定性能标志,新型MASW-011102针对跨越测试和测量、电子战和宽带通信系统的应用进行了优化。Macom的新型MASW-011102低功耗SPDT非反射型开关支持从直流到30GHz的宽带操作，插入损耗低至1．8dB，30GHz时的高隔离度为...
关键词: pin二极管 射频开关 单刀双掷 产品线 高功率 反射式设计 移动无线电 欧姆
业界领先的射频、微波及毫米波产品供应商美国Pasternack公司推出一系列适用于发射和接收信号路由应用的单刀双掷（SPDT）高功率PIN二极管射频开关新产品。这些产品的典型用途包括雷达系统、电子战、基站基础设施、中继器、军用／微波无线电、公共安全／陆地移动无线电、UHF／VHF无线电以及测试测量。
关键词: 半导体封装 gaas器件 ge公司 gan 高速高效 美国 高频 公司简介
美国StratEdge公司将在2018年10月举办的三个行业研讨会上展示其高频、高速、高效的氮化镓（GaN）和砷化镓（GaAs）封装。公司简介美国StratEdge公司是微波、毫米波和高速数字器件的高性能半导体封装制造商,其封装满足GaN和GaAs器件的极端环境需求.
关键词: 功率电子器件 混合材料 高频 高电子迁移率晶体管 研究人员 扩展缺陷 氮化物 碳化硅
瑞典的研究人员在碳化硅（SiC）上生长出更薄的IIIA族氮化物结构,以期实现高功率和高频薄层高电子迁移率晶体管（T-HEMT）和其他器件。新结构采用高质量的60nm无晶界氮化铝（AlN）成核层,而不是大约1-2μm厚的氮化镓（GaN）缓冲层,以避免大面积扩展缺陷。
关键词: 半导体 市场发展 世界 市场规模 电子系统 ic
据IC Insights预测：2018年世界半导体市场规模预计可达5091亿美元,较2017年增长14.00%,占到2018年世界电子系统市场的31.4%。2017年占比为28.8%,2019年占比为31.4%、2020年占比为30.2%、2021年占比为30.5%、2022年占比为31.5%,创出历史新高记录。
关键词: 毫米波系统 波束形成器 收发器 strategy 焦点 taylor 天线增益 客户端系统
Strategy Analytics近期的研究报告《5G毫米波系统，RF前端元件和过程技术预测2018—2024》指出，对5G毫米波系统至关重要的收发器和波束形成组件将在五年内每年出货量达到数亿部。Strategy Analytics射频和无线元件研究服务总监兼报告作者Christopher Taylor表示，“每个5G毫米波智能手机，基站和客户端系统将使用多个收发器，波束形成器和天线...
关键词: 半导体分立器件 销售额 集成电路 行业概况 批量生产 元部件 体积小 功能
分立器件行业概况分立器件的＂分立＂一词是相对集成电路而言的,分立器件是单一的一个器件,具有单一的基本功能,而不像集成电路,需要很多元部件组成来提供放大、开关、延时等功能。分立器件是集成电路的始祖,电路最开始由元件一个个搭起来的。集成电路出现后,集成电路因为体积小和批量生产的优势成为趋势。
关键词: mems传感器 市场规模 售价 平均 半导体传感器 压力传感器 加速度计 年增长率
据麦姆斯咨询报道,近日,IC Insights最新MEMS报告,2018年MEMS传感器产品预计将占据93亿美元半导体传感器产品市场的73%,占全年241亿颗总出货量的47%。包括加速度计、陀螺仪、压力传感器产品和麦克风等在内的MEMS传感器产品市场规模，预计将以10％的年增长率，从2017年的61亿美元增长至2018年的68亿美元。
关键词: 半导体 投资 内存 资本支出 dram 存储器 ic
IC Insights预测,今年半导体资本支出总额将增至1020亿美元,这是该行业年均支出总额首次超过1000亿美元。今年1020亿美元的支出水平比2017年的933亿美元增长了9%,比2016年增长了38%。预计存储器IC占2018年半导体支出的53%,其中,闪存占资本支出的份额最大,而DRAM资本支出今年将以最高的速度继续增长。
关键词: 硅晶圆 碳化硅 供不应求 产能 性能优势 市场规模 助烧剂 元件
相较于硅（Si）,采用碳化硅（SiC）基材的元件性能优势十分的显著,尤其是在高压与高频的性能上,然而,这些优势却始终未能转换成市场规模,主要的原因就出在碳化硅晶圆的制造和产能的不顺畅。由于碳化硅需要在2000℃以上高温（硅晶仅需在1500℃）,以及350MPa以上才能达成。若透过添加一些特殊的助烧剂，或者气体沉积的方式.
关键词: 功率半导体 sic 产能 半导体市场 倍增 ic工艺 研究机构 市场规模
X-FAB计划将6英寸SiC工艺产能提高一倍。根据市场研究机构Yole Développement的数据,全球SiC功率半导体市场将从2017年的3.02亿美元,快速成长至2023年的13.99亿美元,2017～2023年的市场规模年复合成长率（CAGR）为29%,推动力来自混合动力及电动汽车、电力和光伏（PV）逆变器等方面的需求。
关键词: 智能功率模块 生产线 投产 厦门 国内 sic 集成电路产业 碳化硅
9月18日,国内首条碳化硅智能功率模块（SiC IPM）生产线在厦门芯光润泽科技有限公司正式投产,标志着我国在碳化硅芯片这个战略新兴行业又实现了一次重要的突破。芯光润泽实现＂从0到1＂的突破,是我市半导体和集成电路产业高质量发展的一个缩影。半导体和集成电路产业是我市重点发展的千亿产业链群之一。
关键词: 上海浦东新区 生产线 集成电路 产品制造 纳米芯片 光刻机 工业区 硅片
继5月21日首台光刻机移入后,华力二期12英寸先进生产线（华虹六厂）再次迎来重大进展。10月18日,华力二期12英寸先进生产线项目在上海浦东新区康桥工业区建成投片,首批12英寸硅片也正式进入工艺机台,开始28纳米芯片产品制造。这比原先预计于2018年12月底首批试流片的工期时间提前了2个月。
关键词: 功率半导体 投产 试生产阶段 半导体芯片 封装测试 重庆 芯片制造 投资总额
我国首家12英寸功率半导体芯片制造及封装测试生产基地项目试生产阶段取得实质性进展。据悉，该项目封装测试厂试生产阶段月产能40亿颗，预计10月份正式投产，年底月产能将达到180亿颗。作为全球第一家集12英寸芯片及封装测试为一体的功率半导体企业，该项目投资总额10亿美元，分两期建设。一期投资5亿美元，主要建设规模为月产2万片12英寸功率...
关键词: 半导体生产线 芯片生产线 厦门市 半导体器件 战略合作 人民政府 电子公司 化合物
10月18日,杭州士兰微电子股份有限公司厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线的开工典礼在厦门市海沧区隆重举办。2017年12月,士兰微电子与厦门市海沧区人民政府签署了《战略合作框架协议》。士兰微电子公司与厦门半导体投资集团有限公司共同投资220亿元人民币,在厦门规划建设两条12英寸90～65nm的特色工艺芯片生产线和一条4/6时兼容先...
关键词: 三星电子 制程技术 路线图 芯片 主规划 半导体工艺 极紫外光刻 制程工艺
近日,三星电子在位于美国的2018年三星半导体代工论坛上,公布其全面的芯片制程技术路线图,目前已经更新至3nm工艺。据介绍,三星的7nm LPP将成为该公司首款使用EUV（极紫外光刻）方案的半导体工艺技术。以往三星的制程工艺都会分为LPE和LPP两代.
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