半导体信息杂志是由中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所主管，中国半导体行业协会分立器件分会;中国电子科技集团公司第五十五研究所主办的一本部级期刊。
半导体信息杂志创刊于1990，发行周期为双月刊，杂志类别为电子类。
杂志介绍
半导体信息杂志是由中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所主管，中国半导体行业协会分立器件分会;中国电子科技集团公司第五十五研究所主办的一本部级期刊。
半导体信息杂志创刊于1990，发行周期为双月刊，杂志类别为电子类。
关键词: 国防科技工业 科学技术委员会 领域专家 副主任 局长
11月13日,国防科工局在京组织召开,国防科技工业科学技术委员会成立大会。国防科工局局长、国防科技工业科技委主任张克俭出席会议作重要讲话,并向科技委季员、领域专家代表颁发证书并为科技委揭牌。国防科工局副局长张建华宣读科技委成立文件,国防科工局副局长田玉龙主持会议,国防科技工业科技委名誉主任、副主任、委员和领域专家等出席会议。
关键词: 产业联盟 江苏省 5g 试验网 试点城市 连续覆盖 试点应用 理事长
近日,江苏省5G产业联盟成立大会在南京举行,江苏移动担任5G产业联盟理事长单位。据悉,目前南京、苏州两个国家试点城市的试验网规模组网工作正有力推进,江苏已建成5G试验基站130个,形成试点片区连续覆盖,并启动行业试点应用。预计到年底,江苏将全面完成,5G规模组网试验。
关键词: 研发工作 下载速度 工信部 无线技术 概念设计 工作组 俄罗斯 行相关
近日,工信部IMT-2020(5G)无线技术工作组组长粟欣表示,6G概念研究在今年启动。目前,除了中国外,美国、俄罗斯、欧盟等国家和地区也在进行相关的概念设计和研发工作。据了解,未来6G技术理论下载速度可以达到每秒1TB,预计到2020年将正式开始研发,2030年投入商用。此前工信部部长苗圩也表示,中国已经在今年3月份开始着手研究6G。
关键词: 合作开发 hemt 氮化镓高电子迁移率晶体管 宾夕法尼亚州 晶圆制造 工程材料 战略合作 创新公司
美国宾夕法尼亚州Saxonburg的工程材料公司Ⅱ-Ⅵ Inc宣布与住友电工株式会社的子公司日本住友电器设备创新公司(SEDI)展开战略合作,建立垂直整合的150mm晶圆制造平台,用手制造下一代5G无线网络的碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。
关键词: 氮化镓 英飞凌 半导体厂商 高功率密度 hemt 运行成本 资本支出 科技股
近日,全球知名的半导体厂商英飞凌科技股份公司推出了氮化镓(GaN)解决方案CoolGaN 600V增强型HEMT和氮化镓开关管专用驱动IC(GaNEiceDRIVER^TM IC)。据悉,英飞凌产品的优越性包括:它们具备更高功率密度,可实现更加小巧、轻便的设计,从而降低系统总成本和运行成本,以及减少资本支出。
关键词: 肖特基势垒二极管 氧化镓 低泄漏 美国康奈尔大学 管具 沟槽 漏电流密度 泄漏电流
美国康奈尔大学和日本的新型晶体技术公司近期声称单斜形β-多晶型氧化镓(β-Ga2O3)肖特基势垒二极管(SBD)具有最低的泄漏电流。在相对较高的击穿电压1232V下,显示出低的泄漏电流密度小于1μA·cm^-2。
关键词: 结型场效应晶体管 氮化镓 垂直 沟道 外延结构 表面钝化 高功率密度 工业大学
德国亚琛工业大学在氮化镓(GaN)外延结构中首次实现了垂直沟道结型场效应晶体管(vc-JFET)。垂直器件对于高功率密度应用是很有应用价值的,因为通过该结构将峰值电场从表面推入散装材料,从而避免了对表面钝化或场板的需要。
关键词: gan 千瓦级 半导体技术 功率转换 慕尼黑 氮化镓 电动车 服务器
氮化镓(GaN)半导体技术厂商Exagan日前于慕尼黑电子展(Electronica Trade Show)上,高功率转换解决方案。服务器与电动车将成为率先导入的两大应用领域。
关键词: 氮化镓 光电探测 紫外 丝阵 硅基 华南师范大学 北京大学
华南师范大学和北京大学在(100)硅上开发了基于氮化镓(GaN)微丝阵列的紫外(UV)金属-半导体-金属(MSM)探测器。(本文在ACS Photonics于2018年11月1日在线发表).
关键词: 电子应用 功率 gan fet ti 德州仪器公司 场效应晶体管
总部位于达拉斯的德州仪器公司(TI)推出了即用型600V氮化镓(50mΩ和70mΩ功率级)LMG341x系列,该系列可支持10kW的应用条件。该公司表示,与在AC/DC电源、机器人、可再生能源、电网基础设施、电信和个人电子应用中的硅场效应晶体管(FET)相比,其LMG341x系列可以使其应用在更小,更高效和更高性能的设计应用上。
关键词: 功率整流器 浙江大学 gan 垂直 折叠 电流 导通电阻 定量评估
浙江大学近期首次报道了没有电流折叠(即没有动态导通电阻降低)的垂直GaN功率整流器(GaN-on-GaN)。这款功率整流器即使在从高反向应力偏置切换到500V后也仅需200ns,性能也超过了目前最先进的硅(GaN-on-Si)器件上的横向氮化镓。同时,研究团队通过使用高速双脉冲测试电路在各种开关条件下定量评估动态导通电阻,验证了垂直GaN功率整流器中实验无电...
关键词: mosfet 碳化硅 半导体 电力电子技术 体重 电子学会 ieee 博览会
11月4—7日,由中国电源学会与IEEE电力电子学会联合主办的第二届国际电力电子技术与应用会议暨博览会(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重举行。基本半导体,重磅推出碳化硅MOSFET产品。
关键词: 三菱电机公司 功率半导体 东京大学 sic 可靠性 机制 加利福尼亚州 电子设备
在美国加利福尼亚州旧金山举行的IEEE第64届国际电子设备会议(IEDM 2018)(12月1日至5日)上,三菱电机公司和东京大学提出了提高SiC功率半导体可靠性的新机制。这个新机制是通过确认栅极氧化物和SiC之间的界面下的硫捕获器件电流路径中的一些电子传导,增加阈值电压而不改变器件的导通电阻而实现的。
关键词: mosfet器件 fast 碳化硅 产品 栅极驱动电路 开关速度 抗电磁干扰 配置技术
UnitedSiC宣布推出采用标准TO-247-3L封装的UF3C FAST系列650V和120V高性能碳化硅FET。与现有的UJC3系列相比,FAST系列具有更快的开关速度和更高的效率水平。基于UnitedSiC专有的共源共栅配置技术,新的系列产品在具备更高开关速度的同时,也能够为大多数TO-247-3L IGBT、Si-MOSFET和SiC-MOSFET器件提供“直接”替代解决方案。这意味着系统可以轻...
关键词: 功率模块 高可靠性 sic 极端环境 日本 商业化 rohm公司 半导体制造商
近日,日本功率半导体制造商ROHM公司宣布开发出额定功率为1700V/250A的SiC功率模块,该功率模块可提供业界最高水平的可靠性,针对室外发电系统和工业高功率电源等领域应用的逆变器和转换器应用了进行优化。
关键词: 肖特基二极管 安森美半导体 汽车应用 碳化硅 可靠性 sic
推动高能效创新的安森美半导体了碳化硅(SIC)肖特基二极管的扩展系列,包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。新的符合AEC-Q101车规的汽车级SiC二极管提供现代汽车应用所需的可靠性和强固性,以及等同于宽禁隙(WBG)技术的众多性能优势。
关键词: 光电二极管 波长响应 德国 sic 开发 弹性特性 活性材料 泄漏电流
几十年以来,德国ifw Optronics公司的紫外(UV)光电二极管系列一直是“黑马”探测器,这部分地归因于活性材料碳化硅(SIC)的高弹性特性,其宽带隙提供低泄漏电流、优异的辐射硬度和温度不敏感性。由于它们重量轻、体积小、价格合理,这使得这些器件非常适用于太空、X射线和恶劣的环境应用。
关键词: 晶体管数量 澳大利亚 墨尔本 金属基 抗辐射能力 空气 开发 大学
普遍预测,随着技术达到其物理极限,每两年单位面积内硅晶体管数量倍增将在2025年左右结束。澳大利亚墨尔本皇家理工大学(RMIT University)研究人员开发出金属基场发射空气沟道晶体管(ACT),可以在二十年内保持晶体管的继续倍增,研究成果发表在Nano Letters。
关键词: 晶体管 开关转换器 拓扑结构 意法半导体 谐振软开关 软开关技术 中等功率 lc谐振
意法半导体推出MDmesh^TM系列600V超结晶体管,该产品针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计。针对软开关技术优化的阈值电压使新型晶体管非常适用于节能应用中的LLC谐振转换器和升压PFC转换器。电容电压曲线有助于提高轻载能效,最低16nC的栅极电荷量(Qg)可实现高开关频率,这两个优点让MDmesh M6器件在硬开关拓扑结构中也有良...
关键词: vishay 高稳定性 红外led gaas 电压 光耦 产品组合 工业设备
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出两款光可控硅输出光耦,两款器件均采用紧凑型扁平SOP-4封装,进一步扩展光电产品组合:VOT8024AM和VOT8121AM。Vishay Semiconductors VOT8024AM和VOT8121AM断态电压为800V,dV/dt为1000V/μs,具有高稳定性和噪声隔离能力,适用手家用电器和工业设备。
关键词: vishay 红外收发器 高集成度 模块 设计人员 新器件 pcb 标准
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,公司将为设计人员提供符合IrDA^R标准的红外(IR)收发器模块——TFBR4650,这款新器件采用标准6.8mm×2.8mm×1.6mm封装。Vishay Semiconductor的TFBR4650完全可以直接替代其他厂商的器件。在竞品停产的情况下,这种直接替换可避免任何重新设计PCB。
关键词: mems谐振器 村田制作所 研发 mems技术 电子元器件 esr特性 频率精度 低功耗
全球知名的电子元器件制造商,村田制作所(以下简称“村田”)充分利用已被汽车等行业采用的Murata Electronics Oy(原VTI Technologies)的MEMS技术,研发出了有助于IoT设备和可穿戴设备等的小型化和低功耗的超小32.768kHz MEMS谐振器,实现了比现有小型产品更小50%以上、低ESR特性、出色的频率精度和低功耗。村田计划将该产品作为MEMS谐振器“WMRAG...
关键词: finfet mosfet 技术选择 纳米线 技术节点 退化机制 晶体管 纳米片
近日,比利时微电子中心(IMEC)表示为在N3技术节点引入带有垂直堆叠纳米线和纳米片的全环栅(GAA)晶体管的过程中取得的重大进展。包括改进的Si GAA器件、更好地理解锗(Ge)纳米线pFET中的应变工程,以及对纳米线FET可靠性和退化机制的全面理解。
关键词: 功率半导体 ga2o3 sic gan 电气工程 可再生能源 应用科学 电动汽车
半导体世界可能会有一个新的参与者,它以氧化镓技术的形式出现。根据布法罗大学(UB)工程与应用科学学院电气工程副教授Uttam Singisetti博士的说法,这种材料可以在改善电动汽车、太阳能和其他形式的可再生能源方面发挥关键作用,他说,“我们需要具有更强大和更高效的功率处理能力的电子元件。氧化镓开辟了我们用现有半导体无法实现的新可能性。”
关键词: 美国海军研究实验室 佛罗里达大学 宽带隙半导体 氧化镓 韩国 评估 应用物理学 研究人员
美国佛罗里达大学、美国海军研究实验室和韩国大学的研究人员在AIP出版的《应用物理学》上发表了研究有关,展现最具前景的超宽带化合物——氧化镓(Ga2O3)的特性、能力、电流限制和未来发展前景。
关键词: 无线应用 数据中心 晶圆制造 生产技术 硅锗 工艺 原型设计 光纤网络
格芯近日宣布其先进的硅锗(SiGe)产品9HP目前可用于其300mm晶圆制造平台的原型设计。这表明300mm生产线将形成规模优势,进而促进数据中心和高速有线/无线应用的强劲增长。借助格芯的300mm专业生产技术,客户可以充分提高光纤网络、5G毫米波无线通信和汽车雷达等高速应用产品的生产效率和再现性能。
关键词: 芯片尺寸 尺寸缩小 英特尔 cmos 技术 自旋电子学 研究人员 加州大学
12月4日,英特尔在一项名为“自旋电子学”的技术领域取得了进展,未来芯片尺寸可缩小5倍,能耗最多可降低30倍。英特尔和加州大学伯克利分校的研究人员展示了他们的“自旋电子学”方面的研究进展,这项新技术可以将未来的芯片尺寸缩小到目前的五分之一,能耗将降低10到30倍。
关键词: 纳米技术 台积电 三星 超车 制程技术 晶圆代工 电子元件 性能验证
根据外媒报道,日前三星晶圆代工业务负责人Eun Seung Jung在国际电子元件会议(IEDM)上表示,三星已经完成了3纳米制程技术的性能验证,并且正在进一步完善该制程技术的情况下,目标将是预计在2020年大规模量产,而这个时程也将超前台积电在2022年正式量产3纳米制程技术的计划。
关键词: 半导体 贸易统计 市场规模 分离器件 预测 增长率
近日,世界半导体贸易统计WSTS(World Semiconductor Trade Statistics)了最新的全球半导体预测数值。按照他们的预测显示,2018年全球半导体市场规模增加到4,780亿USD,2019年增加到4,900亿USD。其中2018年比去年同期增长15.9%。以上数字反应了主要领域的情况:Memory(内存)增长率为.33.2%,其次是Discretes(分离器件)为11.7%,最后光电零件为11.2%. ...
关键词: 化合物半导体 semi 功率 场效电晶体 晶圆薄化 半导体产业 半导体市场 氮化镓
根据SEMI(国际半导体产业协会)最新报告,预测2017~2022年之间全球将兴建16座功率及化合物半导体晶圆厂,每月投片量将冲上120万片8寸约当晶圆规模。法人表示,金氧半场效电晶体(MOSFET)及绝缘闸双极电晶体(IGBT)等功率半导体市场明年续旺,氮化镓(GaN)及碳化矽(SiC)等化合物半导体将是未来主流,IDM厂会把晶圆薄化制程大幅委外代工,这样就会给相关企...
关键词: 市场规模 年增长率 射频器件 爱尔兰 氮化镓 预测 mr
根据爱尔兰Fact.MR公司研究报告预测,2017~2026年,氮化镓(GaN)射频器件市场将以18.4%的复合年增长率增长,市场规模将在2026年底超过15亿美元。
关键词: 企业成长 射频 空间 国产 市场集中度 集成电路产业 发达国家 董事长
在2018中国集成电路产业促进大会上,北京中科汉天下公司董事长杨清华认为,全球射频产品前端市场总规模呈现稳定增加趋势。从目前来看,全球射频产品前端市场集中度较高,前四大厂商Skyworks、Qorvo、Avago、Murata占据着全球85%的市场,且均是日美发达国家企业,而这也意味着国产射频产品企业的成长空间巨大.
关键词: 半导体器件 制作技术 制造能力 高新区 外延片 氮化镓 高科技 第三代
近日,聚力成半导体(重庆)有限公司奠基仪式在大足高新区举行,该项目以研发、生产全球半导体领域前沿的氮化镓外延片、芯片为主。这项拟投资50亿元的高科技芯片项目,有望突破我国第三代半导体器件在关键材料和制作技术方面的瓶颈,形成自主制造能力。
关键词: 半导体设备 投资额 南京 富士康 智能制造 产业基地 占地面积 建筑面积
近日,南京半导体产业基地暨半导体设备制造项目总投资额20亿元,占地面积约426.5亩,建筑面积为39万平方米,分两期建设。一期项目计划于2019年3月开始动工,预计于2019年年底前竣工投产。该项目将打造以半导体高端设备为主的智能制造产业园,业务涵盖半导体高端设备、智能制造、整机及零部件研发生产。该项目将进一步优化开发区智能制造产业链,在智...
关键词: 半导体产业 半导体市场 拐点 周期 中美贸易 智能手机 供需平衡
《日本经济新闻》12月3日报道称,此前保持迅速增长的世界半导体市场将迎来转折点。存储器市场此前被认为2019年将增长约4%,但在最近的调查中转为预计减少0.3%。智能手机市场的缩小和中美贸易战正在投下阴影,供需平衡的恶化也在招致价格下跌。2017年首次突破40万亿日元的半导体市场出现的异变,是暂时性的调整局面,还是处于进一步下滑的人口?在世...
关键词: monolith 开发商 mosfet 碳化硅 硅二极管 收购 器件技术 round
位于美国伊利诺伊州芝加哥市的Littelfuse公司已完成对美国德克萨斯州Round Rock的初创公司Monolith Semiconductor Inc的收购,该公司主要是对碳化硅(SiC)功率器件技术进行开发研究。Littelfuse于2015年便开始与Monolith合作,过去三年中在开发了一系列技术和商业产品的同时,逐步增加了对Monolith公司的所有权。
关键词: 功率半导体器件 混合动力汽车 市场规模 燃料电池车 节约能源 材料特性 碳化硅 sic
“功率半导体在节约能源方面起着重要的作用,然而之前令人无奈的是市场却很小,但是,2017年世界市场规模超过了2兆日元(约1,200亿人民币),特别是EV、混合动力汽车、燃料电池车等方面发展迅猛。尤其是SiC(碳化硅)被高度评价具有优越的材料特性。”
关键词: vcsel 传感技术 厂商 3d 产业链 梳理 iphone 摄像头
自iphone X上首次搭载3D摄像头后,业界对VCSEL的关注度只增不减,且VCSEL相关厂商的数量也“直线攀升”。
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