半导体信息杂志

发展5G是国家战略 基础研究是重中之重

关键词: 信息通信技术  新京报  信息通信领域  技术前沿  高端对话  产业趋势  创新应用  企业家  

据新京报报道,世界5G大会“2019未来信息通信技术国际研讨会”近日在北京举行。本次大会以“5G改变世界,5G创造未来”为主题,将集聚全球信息通信领域最具影响力的科学家和企业家,以及相关政府的领导人围绕5G领域的技术前沿、产业趋势、创新应用等发表演讲和进行高端对话。

科技部:我国6G研发正式启动

关键词: 国家发展改革委  工业和信息化部  技术论证  科研院所  布局建议  科技部  基金委  政府部门  

5G刚刚启动商用,6G研发已经开始布局。科技部日前会同国家发展改革委、教育部、工业和信息化部、中科院、自然科学基金委在北京组织召开了6G技术研发工作启动会。据了解,会议宣布成立国家6G技术研发推进工作组和总体专家组,其中,推进工作组由相关政府部门组成,职责是推动6G技术研发工作实施;总体专家组由来自高校、科研院所和企业共37位专家组成...

注册资本2041.5亿元 大基金二期正式成立

关键词: 产业投资基金  法定代表人  集成电路  注册资本  企业信用信息公示  正式  二期  

国家企业信用信息公示系统显示,10月22日,国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司(以下简称“大基金二期”)于北京市工商行政管理局正式注册成立。根据资料,大基金二期注册资本2041.5亿元人民币,楼宇光为法定代表人、董事长,丁文武为总经理。

UnitedSiC首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET具有更高效率和更低损耗

关键词: 电池充电器  固态断路器  碳化硅  rds  fet  sic  逆变器  

美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布将推出四种新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mQ,并可提供前所未有的性能和高效率,适用于电动汽车(EV)逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。在这四款全新UF3C SiC FET器件中,一款产品额定电压值为650V,RDS(on)为7 md,另外三款电压额定值为1200V,RDS(on)分别为9和16 m...

北京5G产业白皮书:重点支持6英寸SiC和GaN芯片工艺平台

关键词: 示范效应  工艺平台  信息化  产业创新发展  白皮书  重要支撑  

近日,北京市经济信息化局了《北京市5G产业发展白皮书(2019年)》(以下简称白皮书),梳理了北京市5G产业下一步重点工作,重点应用到2022年年底前将形成示范效应,为北京市5G产业创新发展提供重要支撑。

科锐Cree完成首批200mm(8英寸)碳化硅晶圆制样

关键词: 硅晶圆  奥尔巴尼  纽约州  前期准备  碳化  

10月下旬,美国科锐Cree在纽约州立理工学院奥尔巴尼分校成功完成了首批200mm(8英寸)碳化硅晶圆样品的制备,为其此前宣布的量产计划做好了前期准备。今年5月初,Cree宣布了一项公司迄今为止最大的投资项目——将在5年内投资10亿美元用于扩大碳化硅晶圆产能。

Pre-Switch的软开关IGBT和SiC栅极驱动架构大幅降低了太阳能逆变器的成本

关键词: 绝缘栅双极晶体管  太阳能逆变器  栅极驱动  软开关  初创公司  功率转换  switch  

美国加州坎贝尔市的Pre-Switch公司是一家为DC/AC和AC/DC功率转换提供软开关的初创公司,该公司表示其软开关绝缘栅双极晶体管(1GBT)和碳化硅(SiC)栅极驱动器架构,包括由Pre-Flex现场可编程门阵列(FPGA)供电的Pre-Drive3控制器板,以及谐振功率栅极(RPG)驱动器板,可以显着降低太阳能逆变器的成本。两级架构据称可提供与五级设计相同或更高的开关损...

Soitec宣布与Applied Materials联合开发下一代碳化硅衬底的开发计划

关键词: 行业领导者  半导体材料  碳化硅衬底  联合开发  电动汽车  交易所  开发计划  电信  

该计划旨在提供技术和产品来改善碳化硅的性能和可用性,以满足电动汽车,电信和工业应用不断增长的需求。法国贝尔宁一设计和制造创新半导体材料的行业领导者Soitec(巴黎泛欧交易所)宣布了与Applied Materials联合开发下一代碳化硅衬底的计划。对碳化硅基芯片的需求一直在增长,特别是在电动汽车,电信和工业应用中。

II-VI签署史上金额最大订单超1亿美元为5G基站射频功率放大器提供碳化硅衬底

关键词: 射频功率放大器  化合物半导体  无线服务  无线基站  碳化硅衬底  rf功率放大器  供应链  生态系统  

II-VI公司是工程材料和化合物半导体领域的领导者,它签署了一项价值超过1亿美元的多年协议,这是II-VI历史上最大的一笔协议,旨在供应碳化硅(SiC)衬底用于部署在5G无线基站中的氮化镰(GaN)RF功率放大器。5G无线服务的加速部署正在推动5G无线供应链生态系统中更深的战略关系,以满足市场窗口。

英国科学家发现砷化镓存不稳定性或可为汽车等研发更好的电子产品

关键词: 笔记本电脑  电子产品  砷化镓  电子设备  半导体材料  复合半导体  智能手机  不稳定性  

据外媒报道,英国卡迪夫大学(Cardiff University)的研究人员首次发现,一种普通半导体材料的表面具有以前从未被发现的“不稳定性”。该发现可能对为日常生活提供能量的电子设备材料的未来发展产生深远影响。从智能手机、GPS到卫星和笔记本电脑,复合半导体是此类电子设备不可或缺的一部分。该项新发现揭示了一种常用的复合半导体材料-砷化镓(GaA)...

日本团队开发新型GaN晶体制造装置

关键词: 科学技术厅  团队开发  研发部门  小组开发  研究成果  

日本科学技术厅(JST)日前宣布,成功研制出一种基于THVPE方法的高质量大块GaN生长装置,这是新扩展技术转移计划(NexTEP)的开发课题。2013年8月至2019年3月,根据东京农业科技大学Akinori Koukitsu的研究成果,日本三雄株式会社(Taiyo Nippon Sanso)的创新与研发部门进行了商业适用性开发。该研究小组开发了一种GaN晶体制造装置,实现了高速、高质量...

英飞凌在CoolGaN产品组合中增加了400V和600V器件

关键词: 电子管放大器  音频设计  音频系统  输出级  gan  smps  产品组合  最终用户  

德国慕尼黑的Infineon Technologies AG已通过两种新器件扩展了Cool-GaN系列。CoolGaN 400V器件(IGT40R070D1 E8220)专为高端HiFi音频系统量身定制,在该系统中,最终用户需要高分辨率音轨的每个细节。传统上,这些已由庞大的线性或电子管放大器解决。相反,音频设计人员可以将CoolGaN 400V开关用作D类输出级。CoolGaN 600V工业级器件(IGLD6OR19OD1)...

金刚石热管理技术提高了氮化镓晶体管的功率

关键词: 氮化镓晶体管  外延生长  硅衬底  氮化铝镓  功率密度  gan  热管理技术  金刚石  

据《今日半导体》2019年5月2日报道,美国海军研究实验室(NRL)的一组研究人员声称,他们记录了氮化铝镓(AlGaN)势垒高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流功率密度。研究人员用金刚石替换外延生长III族氮化物器件层的硅衬底,来实现晶体管的髙功率,增强热管理能力。

北京大学借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长

关键词: gan薄膜  外延生长  宽禁带半导体  石墨烯  北京大学  单晶  

近日,北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作,成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长,相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登。

GaN(氮化镓)逆变器成功应用于电动汽车有望实现节能再增20%

关键词: 电动汽车  半导体材料  研究团队  逆变器  节能  

日本一研究团队近日宣布,他们利用半导体材料氮化镓(GaN)研发的逆变器,已首次成功应用在电动汽车上,有望让电动汽车节能20%以上。该研究团队由2014年诺贝尔物理学奖得主之一、日本名古屋大学教授天野浩领导。

Nexperia推出高性能高效率氮化镓功率器件(GaN FET)

关键词: 工作温度范围  mosfet器件  氮化镓  低导通电阻  功率器件  场效应管  开关切换  栅极电压  

分立、逻辑和MOSFET器件的专业制造商Nexperia,推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用,栅极电压(VGS)为+/—20V,工作温度范围为一55至+175°C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻(最大RDS(on)仅为60mQ)以及快速的开关切换;效率非常高。

FBH主导的“基于A1N的功率晶体管(ForMikro-LeitBAN)”的项目启动

关键词: 功率晶体管  功率半导体  莱布尼兹  人工智能  费迪南德  ban  电动汽车  项目启动  

由德国柏林的莱布尼兹技术研究所(FBH)费迪南德•布劳恩研究所(Ferdinand-Braun-Institut)主导的“基于A1N的功率晶体管(ForMikro-Leit-BAN)”联合项目于近日启动,该项目旨在开发高效的功率半导体,可以应用于电动汽车、人工智能等各种新兴领域。

Vishay推出新款共漏极双N沟道60V MOSFE

关键词: 漏极  n沟道  直插式  电池管理系统  无线充电器  功率密度  

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用小型热增强型Power-PAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60V MOSFET—SiSF20DNo Vishay SiliconixSiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60V共漏极器件,专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。

ADI的RF前端系列支持实现紧凑型5G大规模MIMO网络无线电

关键词: 无线电技术  蜂窝基站  多路输出  频谱效率  网络无线电  传输可靠性  数据服务  同样大小  

在4G LTE蜂窝基站后期部署中,普遍采用大规模多路输入、多路输出(MIMO)无线电技术,特别是在密集的城市地区,小型蜂窝有效地填补了蜂窝覆盖的空白,同时提高了数据服务速度。此架构的成功清楚印证了其价值。因为这种架构本身具备所需的频谱效率和传输可靠性,它将成为新兴的5G网络无线电的首选架构。让5G变成现实的挑战在于,设计人员必须大幅增加同...

世界首次Plessey宣布开发出硅基InGaN红光LED

关键词: 红光led  绿光led  腔损耗  ingan  边缘效应  颜色转换  硅基  

TDK推出用于5G网络毫米波段的积层带通滤波器

关键词: 带通滤波器  移动通信设备  毫米波段  插入损耗  杂散信号  rf收发器  群延迟  积层  

TDK公司推出了全球首个5G移动通信网络28GHz频段用积层带通滤波器,进一步丰富了公司高频积层产品阵容。这个新的高频元件基于TDK的低温共烧陶瓷(LTCC)材料和精密积层技术,插入损耗低至1分贝,衰减高达30分贝,低群延迟只有0.25毫微秒。由于采用先进的端子设计,该新元件能够可靠地将频率波动抑制在毫米波段内。新的MMC系列尺寸仅为2.5X2.0X0.9mm,因...

2020年半导体有望复苏 预计获利年增8至12%

关键词: 半导体市场  半导体产业  美中贸易  分析师  复苏  存储器  预估计  营收  

据柜亨网报道,摩根大通(J・P・Morgan)分析师Harlan Sur近日研究报告,认为半导体市场明年将复苏,预测到2020年半导体产业整体营收将增长4至7%,获利也将增长8至12%。Sur指出,今年芯片股饱受美中贸易战摧残,需求下滑,半导体业绩疲弱,他预估计今年半导体产业整体营收(不包含电脑存储器)将下滑6至8%,逊于2018年整体增长8%。

半导体市场随5G崛起迎来复苏

关键词: 半导体市场  市场咨询公司  收入  下跌  

根据市场咨询公司IHS Markit|Technology的数据,在2019年下跌12.8个百分点之后,全球半导体市场收入在2020年会出现反弹,将增长5.9%,两年间产生大约18个百分点的波动。2020年全球半导体市场收入将从2019年的4228亿美元上升到4480亿美元。

GaN和SiC增利效应拉高 市场竞逐日趋白热化

关键词: 功率半导体  gan  允许电流  晶体管  能量损失  sic  供应商  太阳能  

多家供应商正在推出下一波基于氮化镣(GaN)和碳化硅(SiC)的功率半导体浪潮,从而为在市场上与传统的硅基器件进行对决奠定了基础。功率半导体是专门的晶体管,结合了GaN,SiC和硅等竞争技术。功率半导体在汽车,电源,太阳能和火车等高压应用中用作开关。这些设备允许电流在“开”状态下流动,并在“关”状态下停止电流。它们提高了效率,并将系统中的...

2023年RF GaN市场增长至17亿美元,Qorvo等受益

关键词: gan  年复合增长率  rf  半导体  4g  基站  

根据Strategy Analytics先进半导体应用(ASA)报告显示,RF GaN市场2018年-2023年间年复合增长率将超过22%,2023年预计达到17亿美元,推动这一增长的动力将是不断部署4G和新兴的5G基站,以及国防应用。

电动车技术持续演进 SiC厂商积极布局抢占市场

关键词: 成长速度  纯电动车  行驶距离  数据显示  油电混合  抢占市场  消费者接受度  持续演进  

根据拓埃数据显示,伴随车厂推出的各类电动车款增加,2020年电动车(纯电、插电混合式、油电混合式)有望攀上600万辆大关,目前以油电混合的成长速度较快,但就长远来看,纯电动车仍持续占有重要份额,为提升消费者接受度,高端电动车在性能与行驶距离的技术上还有进步空间。

打造产业地标 国基南方射频集成电路产业化项目启动

关键词: 射频集成电路  南方集团  地标  核心芯片  自主可控  产业化项目  半导体  打造  

12月16日,中电国基南方集团射频集成电路产业化项目在南京江宁开发区正式启动,将打造涵盖一、二、三代半导体的射频集成电路产业地标,推动实现射频集成电路核心芯片自主可控。

日本化学厂扩产抢5G商机住友化学GaN晶圆扩产至3倍

关键词: 晶圆  gan  扩产  商机  

据日刊工业新闻近日报导,为了抢攻5G服务相关商机,日本各家化学大厂纷纷增产5G用材料,住友化学旗下子公司SCIOCS已将基站上用的高频元件的氮化镓(GaN)外延晶圆(Epitaxial Wafer)产能提高至2017年的3倍水准。

总投资不低于600亿元8英寸和12英寸晶圆项目在绍兴奠基

关键词: 计划总投资  管理团队  科学园区  集成电路  产业园  牵头组织  绍兴市  奠基仪式  

11月16日,绍兴市举行两岸集成电路创新产业园项目奠基仪式。据了解,该项目由上海中天传祺基业有限公司牵头组织实施,计划总投资不低于600亿元人民币,将建设8英寸和12英寸晶圆制造基地,同时导入200家上下游集成电路相关企业和台湾科学园区管理团队。

200亿元功率芯片项目落户赣州

关键词: 电子科技大学  电子信息工程  江西赣州  新闻报道  经开区  项目总投资  管委会  签约仪式  

近日,江西赣州经开区成功举行名冠微电子(赣州)有限公司功率芯片项目(以下简称“功率芯片项目”)签约仪式。据赣州经开区微新闻报道,该功率芯片项目由名芯有限公司(香港)、赣州经开区管委会、电子科技大学广东电子信息工程研究院共同投资,项目总投资约200亿元、用地550亩。

总投资62亿元 山东有研12英寸大硅片项目落地山东德州

关键词: 股权投资基金  山东德州  合作项目  合伙企业  集成电路  项目落地  产业化项目  硅片  

12月18日,山东德州市政府与有研科技集团有限公司、株式会社RS Technologies,德州汇达半导体股权投资基金合伙企业共同签约12英寸集成电路用大硅片产业化项目。这是继8英寸硅材料项目今天顺利封顶后,德州与有研集团又一重点合作项目。建设目标为年产360万片12英寸硅片,预计投资额62亿元人民币。

总投资15亿元的氮化镓半导体材料项目开工建设

关键词: 高新技术产业开发区  辽宁盘锦  销售收入  辅助产业  产业园  氮化镓  半导体科技  高新区  

据辽宁盘锦高新技术产业开发区报道,近日,辽宁百思特达半导体科技有限公司氮化镓项目正式开工建设,这距离该项目10月4日落户盘锦高新区还不足一个月时间。资料显示,该项目总投资15亿元,计划占地440亩,以氮化镓半导体材料为主,相关配套辅助产业为辅,并在盘锦建立新材料闭环产业园,达产后预计可实现销售收入4亿元,税收7000万元。

总投资25亿元的集成电路制造项目签约落户浙江嘉兴

关键词: 智能移动终端  集成电路制造  天然辐射  半导体材料  通信设备  数据中心  通讯基站  射频器件  

11月7日,氮化傢(GaN)射频及功率器件产业化项目正式签约落户嘉兴科技城。该项目将新建大型规模化的GaN射频器件与功率器件生产基地,总投资25亿元,占地110亩。项目全部达产后可实现年销售30亿元以上,年税收7000万元以上。GaN属于第三代高大禁带宽度的半导体材料,和第一代的Si以及第二代的GaAs等相比,具有高工作频率、电子迁移速率、抗天然辐射及...

投资50亿元 中国最大碳化硅材料供应基地即将投产

关键词: 技术创新中心  碳化硅材料  供应基地  智能制造  产业基地  人民网  电子装备  光伏新能源  

据人民网报道,该项目计划用5年时间,建成“一中心三基地”,即:中国电科(山西)碳化硅材料产业基地、中国电科(山西)电子装备智能制造产业基地、中国电科(山西)三代半导体技术创新中心、中国电科(山西)光伏新能源产业基地。项目达产后,预计形成产值100亿元。

总投资10.5亿元 浙江省首个第三代半导体材料项目落户宁波

关键词: 新能源汽车  宽禁带半导体材料  外延片  全资子公司  轨道交通  碳化硅衬底  宁波杭州湾新区  项目总投资  

近日,宁波杭州湾新区与中国电子信息产业集团有限公司全资子公司一华大半导体有限公司完成宽禁带半导体材料项目签约,为“名城名湾”建设再添“芯”动能。据宁波杭州湾新区指出,该项目系浙江省首个第三代半导体材料项目,项目总投资10.5亿元,计划年产8万片4-6吋碳化硅衬底及外延片、碳化硅基氮化稼外延片,产品可广泛应用于5G通讯、新能源汽车、轨...

再砸20亿元搞芯片 格力电器参与三安光电定增

关键词: 格力电器  非公开发行  自有资金  led芯片  三安光电  目标瞄准  收购  认购合同  

继出资30亿元参与闻泰科技收购安世集团项目后,格力电器日前再向芯片领域砸下20亿元,这次将合作目标瞄准了LED芯片龙头三安光电。20亿元参与三安光电定增11月11日,格力电器公告显示,公司与三安光电签订了《三安光电股份有限公司非公开发行A股股票之附条件生效的股份认购合同》(以下简称《股份认购合同》)。格力电器拟以自有资金20亿元认购三安光...

士兰微增资两参股公司 加快建设12吋IC芯片等两条生产线

关键词: 参股公司  半导体生产线  ic芯片  注册资本  增资  微电子  集成电路芯片生产线  

日前,士兰微公告宣布拟向两参股公司分别增资乙507.35万元、5,111.1万元,助推12吋集成电路芯片生产线和化合物半导体生产线的建设。公告显示,公司参股公司厦门士兰集科微电子有限公司(以下简称“士兰集科”)拟新增注册资本50,049万元。

国内首家规模最大半导体大硅片基地:中欣晶圆半导体项目正式投产

关键词: 试生产  官方消息  半导体  自主核心技术  晶圆  竣工投产  硅片  量产  

11月22日,中欣晶圆半导体大硅片项目竣工投产活动在杭州钱塘新区举行。据中欣晶圆官方消息,这标志着杭州中欣晶圆半导体股份有限公司大硅片项目由建设进入到试生产直至量产的全新阶段,也意味着国内首家规模最大、技术最成熟、拥有自主核心技术的真正可量产半导体大硅片生产工厂成功开启!

加码布局第三代半导体耐威科技拟投建氮化镓晶圆制造项目

关键词: 项目公告  晶圆制造  青岛西海岸新区  互利共赢  合作框架协议  第三代半导体  友好协商  法律法规  

11月6日,耐威科技公告称,其与青岛西海岸新区管委签署协议,拟在青岛西海岸新区投资建设氮化镓(GaN)晶圆制造项目。投建氮化镓(GaN)晶圆制造项目公告显示,耐威科技与与青岛西海岸新区管委签署《合作框架协议》,双方根据国家有关法律法规及青岛西海岸新区发展规划,本着共同发展、互利共赢的原则,经友好协商,就耐威科技拟在新区投资建设氮化镓(GaN)...

全球最大硅基OLED生产工厂合肥视涯建成投产

关键词: 头盔显示  综合保税区  oled  应用领域  高新区  智能眼镜  超小型  工厂  

11月21日上午,合肥视涯项目投产仪式在合肥新站高新区内隆重举行,标志全球最大的硅基OLED生产工厂正式投产。视涯硅基OLED微型显示器项目于2017年9月签约,该项目位于合肥市新站区合肥综合保税区内,主要应用于头盔显示、智能眼镜、电子取景器、VR/AR等领域近眼显示系统以及其他超小型、高分辨显示应用领域。