关键词：sic材料 sic器件 研究现状 关键技术 发展趋势 

摘要：SiC单晶因其宽的禁带宽度、高的电子饱和速度、大的临界击穿场强、高的热导率和热稳定性等特性而成为制作高频、大功率和耐高温器件的理想材料。综述了SiC材料及器件的研究现状、关键技术和发展趋势;分析了我国的研究现状和存在的差距。

材料导报杂志要求:

{1}每篇论文的参考文献不应少于15条，井要求中文文献有相应的英译，所引用的期刊文献一般应为近5年所发表的。

{2}文责作者自负。本刊编辑部对来稿可作必要修改。

{3}凡采用的稿件1个月内通知作者，期间未收到通知者，可自行处理。请勿一稿多投。本刊对决定采用的稿件有权进行修改、删节。

{4}来稿如为各种基金项目资助文章，按照国家有关部门正式规定的名称填写基金项目名称，并注明项目编号。

{5}篇名要简明、具体、确切，一般不超过20个字，且应避免使用缩略词、字符、代号和公式等。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社