电源学报杂志是由中华人民共和国自然资源部主管，中国电源学会;国家海洋技术中心主办的一本北大期刊。
电源学报杂志创刊于2002，发行周期为双月刊，杂志类别为电力类。
杂志介绍
电源学报杂志
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主管单位：中华人民共和国自然资源部
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主办单位：中国电源学会;国家海洋技术中心
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国际刊号：2095-2805
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国内刊号：12-1420/TM
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发行周期：双月刊
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全年订价：￥280.00
杂志介绍
电源学报杂志是由中华人民共和国自然资源部主管，中国电源学会;国家海洋技术中心主办的一本北大期刊。
电源学报杂志创刊于2002，发行周期为双月刊，杂志类别为电力类。
主管单位：中华人民共和国自然资源部
主办单位：中国电源学会;国家海洋技术中心
国际刊号：2095-2805
国内刊号：12-1420/TM
发行周期：双月刊
全年订价：￥280.00
关键词: 氮化镓 si衬底上gan功率电子器件 gan mosfet器件 产业化
氮化镓（GaN）材料具有优异的物理特性,非常适合于制作高温、高速和大功率电子器件,具有十分广阔的市场前景。Si衬底上GaN基功率开关器件是目前的主流技术路线,其中结型栅结构（p型栅）和共源共栅级联结构（Cascode）的常关型器件已经逐步实现产业化,并在通用电源及光伏逆变等领域得到应用。但是鉴于以上两种器件结构存在的缺点,业界更加期待能...
关键词: 常关型 mosfet 选择区域外延 阈值电压稳定性
高性能GaN常关型功率开关器件的实现是目前研究的热点。槽栅结构GaN常关型MOSFET以其栅压摆幅冗余度大、栅极漏电流小等优势受到广泛关注。制备槽栅结构GaN常关型MOSFET需要的刻蚀方法会在栅极沟道引入缺陷,影响器件的稳定性。首先,提出选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET,期望避免刻蚀对栅极沟道的损伤;再通过改进选择区域外延工艺（...
关键词: 电动汽车 sic mosfet pspice模型
为了基于PSpice电路对电动汽车DC/DC变换器中的碳化硅（SiC）MOSFET的工作特性进行实时准确地仿真,针对SiC MOSFET提出了一种新型的电压控制电流源型VCCST（voltage-controlled current source type）PSpice仿真模型。首先,为了获得SiC MOSFET准确的静态特性建立了电压控制电流源作为SiC MOSFET的内核,以描述SiC MOSFET的转移特性和输出特性;然...
关键词: sic mosfet spice模型 温控模型
在高温、高压和高频的电力电子应用中,碳化硅（SiC）MOSFETs展现出了巨大的潜力。为了在宽温度范围内更准确地反映SiC MOSFETs的转移特性,提出了一种简化的含温控电源的SiC MOSFETs的Spice电路模型。温控模型的引入补偿了器件在宽温度范围内阈值电压的变化率和跨导系数,在LTspice电路仿真软件中模拟了SiC MOSFETs在25℃和125℃下的转移特性。与...
关键词: 碳化硅 输出特性 漏电流 双脉冲测试 buck电路
搭建了输出特性测试电路、漏电流测试电路、双脉冲测试电路和Buck电路,对1 200 V SiC MOSFET和Si IGBT的输出特性、漏电流、开关特性和器件损耗进行了对比研究,分析了SiC MOSFET的主要优缺点。分析结果表明,SiC MOSFET在高温条件下依然拥有稳定的阻断能力;在同样的工作条件下,SiC MOSFET损耗更小,适合在高频率、大功率场合下使用;SiC MOSFET的跨...
关键词: sic mosfet 器件建模 驱动电路 emi抑制
SiC MOSFET（silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）以其优越的特性受到国内外学者的广泛关注,采用SiC器件的变换器能够采用高的开关频率、适应高温工作,实现高的功率密度,在一些应用场合能够代替Si基高频开关器件而显著提高电能变换装置的性能。然而,SiC器件与Si器件存在较大的差异,在实际应用中直接替换使用会...
关键词: 宽电压输入 双管正激式 碳化硅功率器件
提出了一种高输出功率、宽输入电压范围、良好输出动态特性的太阳能并网逆变器供电电源。该电源采用碳化硅SiC双管正激电路拓扑,输出功率为1 000 W,通过高效的PWM调制控制,可以保证在电池板电压变化很宽的范围内,电源输出直流电压的稳定。首先介绍了碳化硅SiC功率器件的主要特性,分析了双管正激电路拓扑的原理及优点,同时对一些碳化硅SiC-MOSFET...
关键词: 碳化硅 宽禁带 双向逆变器 反并联二极管 第3象限
研究了基于新一代宽禁带1 200 V碳化硅（SiC）MOSFET三相双向逆变器,由于SiC MOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性,逆变电路的拓扑结构得到简化,并提高了功率密度和可靠性。同时,利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性,与硅基IGBT相比省略了开关器件的反并联二极管。20 k VA实验样机验证了在该中大功率三相双向逆变器中SiC MOSFET相比硅基...
关键词: 航空静止变流器 sic mosfet 级联逆变器 损耗分析 驱动电路
航空静止变流器实现机载直流电到交流电的转换,对功率密度、效率、环境适应性、可靠性和电气性能等有较高的要求。碳化硅（SiC）半导体器件的开关速度快、高温特性好,在航空静止变流器中有很好的应用前景,但目前关于宽禁带器件在航空静止变流器中应用的研究比较少。首先结合现有的典型航空静止变流器电路拓扑分析了SiC MOSFET应用的关键问题;然...
关键词: 高效率 碳化硅器件 零电压开通
半桥功率因数校正PFC（power factor correction）拓扑由于其具有较少的电流回路器件数,因而导通损耗小、效率高。但是,该拓扑中开关器件电压应力大,因此如果选用高压的IGBT作为开关器件,则开关损耗很大。新型的碳化硅MOSFET由于兼顾了高耐压与低通态电阻,其具有较小的开关损耗,可以降低开关损耗,尤其是关断损耗。但由于高频工作时其开通损耗仍...
关键词: gan fets 高频 谐振变换器 寄生电感
随着Si材料半导体器件性能逐步达到瓶颈,宽禁带半导体器件（GaN、SiC）在诸多方面展现出了很好的性能,如低导通阻抗,小输入、输出电容等,这些特性使得GaN和SiC器件能够应用在更高的开关频率条件,从而提高系统的功率密度。针对基于GaN FETs构成的高频半桥谐振变换器进行设计,分析了高频条件下寄生电感参数对系统驱动电压及漏源极电压的影响,同时...
关键词: 死区时间 氮化镓器件 同步buck型开关电源
氮化镓功率器件以其优异的高速、高效特性而有望在电源转换领域取得广泛应用。在Buck开关电源应用中,系统采用GaN HEMT替换传统Si功率器件后,系统死区损耗成为阻碍系统效率提升的一个重要因素。针对GaN器件的电源转换系统死区功耗展开理论及仿真讨论,详细分析Si功率器件与GaN HEMT在buck型开关电源系统中不同的工作机制以及死区时间对系统功耗的...
关键词: llc谐振变换器 gan器件 同步整流 平面变压器
现代开关电源的发展呈现高效率和高功率密度的趋势。基于GaN器件LLC谐振变换器,采用同步整流技术,通过平面变压器的设计和结构优化大大减小了变换器的高度和体积,同时也减少损耗,提高了系统的功率密度和效率。搭建了1 MHz/120 W同步整流LLC谐振变换器硬件电路,对设计进行了实验验证。样机的功率密度达到了262 W/in~3,最高效率达到了94.9%。
关键词: 碳化硅 高功率密度 硬开关 单相逆变器 封装集成技术
针对目前家用光伏系统、电动汽车（EV）和航空航天等领域中对单相逆变器的高功率密度需求,首先提出了一种基于新型碳化硅（SiC）功率模块的高功率密度单相集成逆变器。该单相逆变器采用直流侧并联BoostAPF抑制二次纹波,以此减小直流侧电容;采用高频低损的新型宽禁带SiC器件,将boostAPF和逆变器的开关频率提高到100kHz,显著地减小无源元件的体积...
关键词: 共源极电感 开关损耗
共源极电感同时存在于功率MOSFET的功率回路和门极驱动回路中,影响器件的开关特性和开关损耗。共源极电感的影响将随着器件开关速度和开关频率的提高而显得更为严重。碳化硅（SiC）MOSFET相对于硅器件的材料优势使其可以实现更快速的开关过程,共源极电感的影响更加需要考虑。首先分析了现有功率开关损耗测量方法的优劣,然后选用一种通过测量结温...
关键词: 宽禁带器件 碳化硅 氮化镓 电动汽车
硅基电力电子器件经过长期的发展,其性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能,成为电力电子器件新的研究发展方向。首先主要介绍了电动汽车对电力电子变换器的要求及宽禁带器件的发展,然后对宽禁带器件在电动汽车中的研究现状进行了分析和展望...
关键词: 耐高温变换器 极宽温度范围 新型封装
耐高温变换器在多电飞机、电动汽车和石油钻井等恶劣环境中具有十分重要的应用价值。碳化硅功率器件具有高结温工作能力、较低损耗以及良好的温度稳定性,有利于实现耐高温变换器。首先简要阐述了耐高温变换器的应用领域和SiC基耐高温变换器各组成部分的技术发展现状,再介绍了SiC基耐高温变换器应用实例,最后探讨了SiC基耐高温变换器的关键问题和...
关键词: 碳化硅sic 固态变压器 故障隔离装置 三电平npc 软开关
碳化硅SiC（silicon carbide）是目前最为成熟的宽禁带半导体材料之一,在高压、高温、高频等领域,碳化硅器件的研究和应用已成为当前的研究热点。针对碳化硅器件目前的生产使用状况,简述了与碳化硅主要生产商CREE紧密合作的FREEDM中心的研究情况,重点分析了高压SiC MOSFET,IGBT,ETO,JFET在SST（Solid State Transformer）和FID（Fault Isolation...
关键词: 双馈风电机组 次同步振荡 滤波
首先基于次同步振荡理论,研究了双馈风电机组在弱电网并网情况下的机组脱网问题。研究发现,输电线路的串补投入和变流器控制策略对低频振荡敏感的因素导致了次同步振荡的发生;然后提出一种在网侧变流器中加入带阻尼特性的特定滤波器策略,该策略能够有效抑制风电机组与电网之间的振荡;最后,仿真结果验证了该方法的有效性。
关键词: 多电平 谐振变换器 级联式 控制策略研究 河南理工大学 级联型 换流器 电气工程 交通大学 自动化学院
为表彰《电源学报》的优秀论文,调动作者投稿的积极性,扩大同行对学报的关注度,特开展了《电源学报》2015年度优秀论文评选活动,现本次评选工作已结束。本次论文评选共有114篇文章参选,经过学报编委会专家的初选和复选两轮投票,共评出优秀论文10篇,
关键词: 中国电源学会 邮发代号
《电源学报》代表中国电源科技界最高学术水平,是中国科学引文数据库（CSCD）收录期刊。主办单位：中国电源学会;国内统一连续出版物号：CN12-1420/TM;国际标准连续出版物编号：ISSN 2095-2805;邮发代号：6-273。一、征稿范围1.节能减排与应对气候变化2.电源技术、产业发展展望3.新颖开关电源4.逆变器与UPS5.加热、电焊等特种电源6.LH）驱动电源...
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