电子器件杂志是由中华人民共和国教育部主管，东南大学主办的一本北大期刊。
电子器件杂志创刊于1978，发行周期为双月刊，杂志类别为电子类。
杂志介绍
电子器件杂志
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主管单位：中华人民共和国教育部
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主办单位：东南大学
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国际刊号：1005-9490
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国内刊号：32-1416/TN
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发行周期：双月刊
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全年订价：￥310.00
杂志介绍
电子器件杂志是由中华人民共和国教育部主管，东南大学主办的一本北大期刊。
电子器件杂志创刊于1978，发行周期为双月刊，杂志类别为电子类。
主管单位：中华人民共和国教育部
主办单位：东南大学
国际刊号：1005-9490
国内刊号：32-1416/TN
发行周期：双月刊
全年订价：￥310.00
关键词: 氧化镁 污染物 吸气法
在PDP技术中，MgO的关键作用已经被认识。二次电子的高释放能力，低溅射率和高电阻率使得这个材料适用于PDP中。然而，在PDP的生产过程中，MgO层将要经受几次在苛刻环境条件下的高温循环。在这个过程中，由于水气和二氧化碳的出现，进入MgO而形成污染，这种污染行为已广泛被报道。镁的氢氧化物和镁的碳氧化物都很容易飞溅，会减少平板的寿命，增...
关键词: 柔性显示 交流电致发光粉 平版印刷
平板印刷柔性的电致发光显示器的交错对插的电极。根据电致发光的荧光粉颗粒尺寸的大小采用的不同的方法将其沉积。小颗粒荧光粉分子可以很容易地与印刷油墨混合。使用这种交错对插电极的柔性显示器不需要透明的导电氧化物作为阳极，容易实现大规模生产，造价低。这种显示器使用ACEL可以实现多色彩显示。ACEL可以发射出从绿光到使用ZnS；Cu，X（...
关键词: 表面光源 等离子体显示板pdp成象 发光效率
利用等离子体显示板自发光、薄型、亮度高、发光均匀的特点，开发出基于等离子体显示机理的薄型等离子体面光源，用于需要薄型照明的特定场合。为克服等离子体显示板发光效率过低的不足，对面光源显示板的结构、材料、工艺和驱动电路诸方面进行多项改进，经改进后的等离子体面光源最小厚度不大于4mm，亮度〉350cd／m^2，色温为6500K，发光效率〉...
关键词: oled 效率 缓冲层 氧化铝
在采用α-naphtylphenyliphenyl diamine（NPB）和tris-8-hydroxyquinoline aluminum（Alq3）材料的双层有机电致发光器件（OLED）中，在阳极与有机层间插入纳米级厚度的氧化铝作为缓冲层来提高器件的效率。研究了氧化铝的厚度对器件性能的影响，并提出一种模型解释该现象。实验发现，当氧化铝的厚度为0．3m时，器件的亮度提高30％，同时在相同电...
关键词: 空穴阻挡层 有机发光二极管 寿命
为研究空穴阻挡层对有机发光二极管寿命的影响，制备了含有空穴阻挡层的典型双层结构有机发光二极管，其中八羟基喹啉铝（Alq3）为发光层和电子传输层，BCP为空穴阻挡层。器件的寿命随着发光层的厚度减小而降低，实验结果表明积累在发光层的空穴和激子可能是影响器件寿命的主要原因之一。
关键词: 白光发光二极管 发光特性 伏安特性 功效
将GaN基蓝光激发YAG荧光粉的成白光发光二极管（W-LED）优选后，以串联形式集成为W-LED发光模块。分别测试了W-LED集成光源模块的光电特性、发光效率以及不同电流驱动下的光源衰减率，并与白炽灯和荧光灯等传统照明光源进行了比较。实验表明：当驱动电流为14-18mA时，W-LED集成光源模块的发光效率可达到64．46lm／W，而功耗仅为2．4W，发挥出了W...
关键词: lif 空穴阻挡层 有机发光二极管 效率
通过引入LiF，明显提高了基于八羟基喹啉铝双层有机发光二极管的发光效率。2Din厚的LiF空穴阻挡层可将器件的发光效率从2．6cd／A提高到6．3cd／A，研究结果表明，LiF空穴阻挡层可以有效调节空穴的注入与传输，平衡器件中的空穴与电子，提高有机发光二极管的发光效率。
关键词: 有机发光二极管 zns薄膜 空穴缓冲层 电流效率
用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件（OLEDs）的空穴缓冲层，使典型结构的OLEDs（ITO／TPD／Alq／LiF／Al）的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明，当ZnS缓冲层厚度为5nm时，器件的亮度增加了2倍多；当ZnS缓冲层厚度为5、10nm时，器件的发光电流效率增加40％。研究结果表明ZnS薄膜是一种好的缓冲层材料，它...
关键词: 碳纳米管 场发射 发光性能
通过化学气象沉积的方法用甲烷作为碳源在金属钨作为衬生长的碳纳米管，我们能发现碳纳米管与催化溶液（Fe（NO3）s．9H2O）在2．5摩尔的浓度。在金属钨做衬底的碳纳米管的场发射电流可以达到100微安时场发射增强因子大约为5008。通过用一个简单的玻璃真空管结构作为真空腔，我们可以证明场发射发光管和研究这个发光器件的特性。这个发现为制作...
关键词: 碳纳米管 场发射阴极 电泳工艺
本研究探索了一种电泳选域组装碳纳米管发射器到正栅极结构的衬底中作为三极管结构的场发射显示阴极的工艺。在这个工艺中，悬浊液中的碳纳米管在施加于栅极电极和阴极电极的电压的作用下移向并淀积到三极管结构的衬底中。同时，这个栅极电极的正电压能够排斥悬浊的碳纳米管，使栅极电极不吸附碳纳米管。实验结果表明，碳纳米管选域组装到栅极孔...
关键词: 单量子井 光激反射 光激发光 fwhm
用光的反射光谱和光的光致发光光谱的测量对Ga0.69In0. 31NxAs1-x/GaAs的单量子阱的光学特性作了研究，在单量子阱的反射光谱中，观察到GaAs能隙之上的Franz-Keldysh振荡和来源于量子阱区的各种类激子跃迁，Franz-Keldysh振荡确定量子阱的内建电场并发现它是随N的浓度增加而增加；反射信号随样品中氮耦合增强而减弱，因为温度降低时载流子的定域...
关键词: mocvd 表面处理 gan薄膜
采用化学方法腐蚀部分C-面蓝宝石衬底，在腐蚀区域形成一定的图案，利用LP-MOCVD在此经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射（DCXRD）、光致发光光谱（PL）、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量。分析结果表明，GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致，即透射率越大，半高宽越小，...
关键词: gan 超晶格 位错密度
为了降低MOCVD外延生长Si基CaN的缺陷密度，尝试引入超晶格插入层。界面突变的超晶格插入层能有效地阻挡由缓冲层延伸出来的位错。即使超晶格本身也产生位错，但位错的产生率比阻挡率低，所以超晶格总体起阻挡作用，可以减少后续生长的HT-GaN（高温氮化镓）的位错密度。研究了超晶格厚度对HT-GaN的位错密度的影响，比较了超晶格厚度不同的3个样...
关键词: 三维立体显示 多光子 荧光材料 玻璃与非晶态材料
Tb^3＋掺杂SrO-TiO2-SiO2玻璃在800nm的飞秒激光照射下可以观察到红外至可见的上转换现象。由飞秒激光激发的上转换荧光光谱与267nm氙灯激发的荧光光谱非常相似。其上转换荧光可归因于Tb^3＋的^5D3→^7F4和^5D4→^7Fj（J=6，5，4，3）能级跃迁。由发光强度和泵浦光源能量之间的关系可以得出此上转换过程为三光子同时吸收过程。基态电子同时吸收...
关键词: 腐蚀相位光栅 分光元件 激光景观照明 景观效果
利用腐蚀法制作的石英光栅作为分光元件，将其应用拓展到激光景观工程领域中，产生了全新的激光景观效果．给出了一种适用于室外复杂环境用于激光景观照明系统中的光栅分光原理、制作工艺过程等，发展了采用光栅分光元件产生多种不同激光景观照明效果的控制系统，并与利用高速扫描振镜实现的激光照明系统的景观效果进行了比较．
关键词: 纳米金刚石膜 透过率
讨论大面积4cm×4cm纳米金刚石膜制备工艺．采用电子辅助-热丝化学气相沉积法（EA-HFCVD）在硅片上沉积纳米金刚石膜．生长过程中，预先加6安培偏流生长1小时，然后在0．8千帕条件下，无偏流生长3小时．原子力镜表征晶粒尺寸为30纳米．样品上任意三点采用原子力镜表征，表现出良好均匀性．采用偏振光椭圆率测量仪和分光计分别表征样品的折射率和...
关键词: ltps 栅极驱动器 数据驱动器 移位寄存器 amoled
低温多晶硅（LTPS：Low-temperature poly-Si）技术已经成为薄膜晶体管（TFT：thin film transistor）制作中最具吸引力的技术，并应用在AMOLED显示器中。P-type技术能够简化TFT的制作过程。本文提出了一种应用p-type多晶硅TFT的AMOLED驱动电路结构，包括栅极驱动器、数据驱动器以及像素阵列。数据驱动器采用分块方法，使得显示屏的输出线数大大...
关键词: 电极 指向矢 透射光强 差分方法 边缘效应
利用差分方法通过解二维非线性偏微分方程，得到了液晶盒中液晶指向矢的空间分布，在此基础上，进一步得到了透射光强的分布，我们发现，一方面，电极边缘处透射光强分布不同于电极中间处；另一方面，其它条件不变，逐渐减小电极间间隙宽度，会造成液晶屏相邻像素之间难以分辨。通过分析知道，这是由电极的边缘效应和VA显示模式自身电光特性共同...
关键词: 液晶 stokes参量 傅里叶分析法
本文提出了一种测量扭曲向列相液晶盒盒厚与扭曲角的新方法，在液晶盒和检偏器之间放置四分之一波片，通过旋转此四分之一波片，测量各个调制点的光强，用傅里叶分析法计算线偏振光穿过液晶盒后的stokes矢量，从而求出液晶盒盒厚以及扭曲角。实验证明，用此方法测量盒厚比较小的液晶盒厚有较高测量精度。另外，此方法也可以应用到单偏振片反射式...
关键词: 计算机模拟 ocb模式 预倾角 弱锚定
利用计算机模拟的办法，计算了光学补偿弯曲（OCB）模式和无偏压光学补偿弯曲（NBB-OCB）模式这两种液晶显示模式下数种液晶材料的电压-透过率曲线和动态响应曲线，验证了NBB-OCB模式能有效降低驱动电压。另外比较了NBB-OCB模式与弱锚定OCB模式降低驱动电压的能力，并详细研究了在OCB模式中预倾角大小与展曲态-弯曲态转换电压之间的关系。
关键词: cds纳米粒子 液晶显示器件 开启电压 频率调制
降低能耗对于液晶显示器件，尤其是移动显示尤为重要。在本研究中，3nm和5nm两种不同尺寸的CdS纳米粒子被用来掺杂入5CB液晶材料。掺杂浓度分别为0．1wt％和0．2wt％。掺杂所得到的液晶显示器件的开启电压由于纳米粒子的影响而被降低，最多可达到25％。并且，相比于前期报道的金属纳米粒子掺杂的液晶显示器件，CdS纳米粒子显示出稍弱的频率调制...
关键词: 模拟缓冲器 互补式电流镜 资料驱动电路 低温多晶硅 薄膜晶体管液晶显示器
取代传统运算放大器和临界电压补偿型模拟缓冲器，提出了一种新型的互补式电流镜模拟缓冲器，可以利用在低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器驱动电路上。使用N型电流镜和P型电流镜来交互使用以达到较大的电压输出范围，并且使用一开关控制电路实时控制切换，所以可以提出的电压缓冲器不需要电容或时脉讯号就可以运作，这样可以节省很多布局时所需要...
关键词: 液晶 射频 识别 通信 低功耗 实时系统
提供了一种用于便携式射频识别读写器的低功耗液晶实时显示系统，工作频率在125kHz国际通用频段。基于降低功耗的考虑，采用当前先进的超低功耗的片上系统（SOC-System On Chip），将外围电路尽可能地放置于SOC芯片内，运用了集成在控制器内部的液晶驱动电路。运用软件实现了解码、数据校验、识别、实时处理和数据显示等功能。从而简化了传统的...
关键词: 薄膜晶体管 tft 微晶硅 大面积电子
近年来，微晶硅（μc-Si：H）被认为是一种制作TFT的有前景的材料。采用PECVD法，在低于200℃时制作了微晶硅TFTs，其制作条件类似于非晶态TFTs。微晶硅TFTs器件的迁移率超过了30cm^2／Vs，而阈值电压是2．5V。在长沟道器件（50-200μm）中观测到了这种高迁移率。但对于短沟道器件（2μm），迁移率就降低到了7cm^2／Vs。此外，该TFTs的阈值电压随着...
关键词: 氧化锌 薄膜晶体管 mocvd
通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长ZnO薄膜。XRD测试显示出（002）晶面的强衍射峰，表明生长的ZnO薄膜是主度的C轴取向。基于ZnO薄膜基础，我们制备了ZnO基薄膜晶体管。
关键词: 多晶硅薄膜晶体管 表面势 薄层电荷模型
本文利用薄层电荷理论，建立了一个基于表面势的、物理的多晶硅薄膜晶体管（Polysilicon Thin-Film Transistors，poly-Si TFTs）的电流模型．且该模型适用于电路仿真。推导了poly-Si TFTs表面势的近似解法，该求解法非迭代的计算大大地提高了计算效率，且精确度高并得到实验验证。基于物理的迁移率方程考虑了晶界势垒高度，和由于声子散射与表...
关键词: 氧化锌 透明 薄膜晶体管 mocvd
以玻璃为衬底，利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法，在360℃附近实现ZnO薄膜的生长。利用ZnO为有源层制备底栅型薄膜晶体管。SiO2被用作栅绝缘材料以有效的抑制漏泄电流的产生，达到氧化锌薄膜晶体管（ZnO-TFT）成功运作目的。ZnO-TFT的电流开关（on／off）比达到10^4以上。ZnO-TFT在可见光区平均光透过率大约为80％。以上表明利用ZnO替代...
关键词: 应力效应 可靠性 放电路径 闸驱动器 薄膜电晶体 液晶显示器
为了降低TFT-LCD闸驱动电路中电晶体因长期承受高的闸电压应力造成门限（Threshold）电压之劣化现象，本研究中采用双下拉结构与放电路径方式设计了一个高可靠性的TFT-LCD面板整合（On-panel）闸驱动电路。其中，交互道通的双下拉结构减少下拉电晶体的承力时间；放电路径则将输出驱动电晶体高的闸极电压及时泄放。所提结构由台积电（TSMC）0．35...
关键词: 微晶硅 薄膜晶体管 结构和电学各向异性 自恢复现象
本文在微晶硅材料性能研究的基础上制备了微晶硅薄膜晶体管（TFT）。发现微晶硅的柱状生长模式会导致其结构和电学性能的不均匀性。由于材料的柱状生长模式使得其晶化百分比、晶粒尺寸和暗电导受到薄膜厚度的调制。平行于衬底和垂直于衬底方向的电导率随着材料沉积条件的变化呈现出不同的变化规律，后者始终保持在10^-6s／cm～10^-5s／cm量级。...
关键词: lcos芯片 参考电压产生器 dac 缓冲器
在LCoS显示芯片内集成参考电压产生器有很多优点，能产生更精确的参考电压、LCoS屏接口的外围引线更少、芯片系统的整体功耗更低、可靠性更高等。提出了集成LCoS芯片内的可编程多通道参考电压产生器的设计，分析了LCoS显示系统中参考电压的作用，给出了部分电路的原理图、版图以及电路低功耗的实现方法。整个电路系统有I^2C接口电路、多通道寄存...
关键词: 光方向耦合器 光方向完全耦合器 绝热式光方向完全耦合 光波道 田口实验优化法
本研究利用田口实验优化法配合光束传播法设计优化光方向完全耦合器sin-square函数，能麴达到低串扰与短耦合器长度的目标，在田口实验优化法中我们选择直交表L9做为我们的实验平台。研究结果显示，使用BPM辅助设计方式配合田口方法可有效的减少设计优化光方向完全耦合器的实验数。在实验过程中我们尝试去找出并设定符合低串扰与短耦合器长度的...
关键词: 光方向耦合器 汉明权重函数
研究绝热式方向性偶合器修正型汉明权重函数之适当波导长度与结构影响。传统的光方向耦合器之理论是由绝热条件下所获得之结果，因此在波导耦合长度不绚长时则变得可疑，有鑑于此需要依靠光束模拟软件。文中主要的指标为修正型汉明权重函数之低串扰、宽频宽和较短的耦合器长度。最后由结果得知我们所提出使用的修正型汉明权重函数在此架构下能获...
关键词: 直下式背光模组 光跻模拟 均齐度 光使用效率 最佳化
在直下式背光模组中，除了均齐度之外，光使用效率在背光模组也是很重要的考虑量，在此将直下式背光模组底部反射板改变构造，在每支灯管之间添加三角形的反射物，使光绿经由三角反射物反射后，其角度与法绿之夹角变小，进而导正光绿的方向。将光缘在三角反射物模组之追跻情形与统计强度分布到优化功能建立于程式中，以缩短模拟时程，同时对均齐...
关键词: 发光二极管 微型投影机 照度均匀性 使用效率 半强角度
研究以配合新型单片式液晶显示面板结构，设计一个发光二极体灯罩模组，套用于发光二极体晶片上，使其出光达到准直及均匀的光束，便将出光直接投射到液晶显示面板上，我们先以点光源计算求出灯罩模组相关参数，再配合ZEMAX^TM及ASAP^TM光学软体进行优化模拟，在此我们以1mm×1mm之Lambertian分布光源做模拟，在有效面积里面的均匀度为85．4％，...
关键词: 光方向耦合器 汉明权重函数
在本文章中研究光方向耦合器汉明函数之波导结构影响。传统的光方向耦合器之理论是由绝热的条件下所获得之结果，因此在波道耦合长度不够长时则变得可疑，有监于此需要依靠光束模拟软体。在文章中有两个主要的指标：第一个为理论所适用的范围，第二个为最佳化低串扰、宽频宽和较短的耦合器长度。最后由结果得知我们所提出使用的汉明权重函数在此...
关键词: 荧光粉油墨 发射性粘结层 绝缘体
文章介绍了两种移植和可控纳米沉积荧光粉颗粒和纳米铁电体颗粒的载体。第一种载体是一种可以悬浮和沉积合成的具有亚微米级尺寸大小的荧光粉颗粒的油墨。解决了该油墨的聚集和沉降问题，并发现该油墨具有良好的液流学性能，从而可用于印刷高分辨率的荧光粉。测量了相关的单个象素的阴极发光密度以评定这种丝网印刷油墨的可重复性。第二种载体是...
关键词: 碳纳米管 丝网印刷 场发射
采用丝网印刷法制备了不同碳纳米管含量的冷阴极。研究了不同碳纳米管含量的冷阴极的场发射特性与其微结构和电学特性的关系。实验发现，碳纳米管冷阴极的导电性和场发射特性受碳纳米管含量影响，具有适当的碳纳米管含量的冷阴极的场发射特性最佳。
关键词: 碳纳米管 场致发射 后处理
采用丝网印刷法制备了由不同填充材料组成的碳纳米管冷阴极，并采用电场处理来改善其场致发射性能。采用扫描电子显微镜对处理前后样品的表面进行表征，结果表明了电场处理会使阴极中的碳纳米管暴露出来。通过优化填充材料并结合阴极的后处理，我们得到了低电压工作下的均匀发射，并实现了在二极结构场发射显示器中的可寻址显示。
关键词: acel荧光粉 电子陷阱 热释光
ZnS：Cu，X（X=Cl，Br，I）ACEL荧光粉的性质主要决定于Cu发光中心的电子发光复合、ZnS点阵中电子的注入效率、诱捕电子和逃逸电子的比率。热致发光中的电子陷阱依赖于掺杂剂以及荧光粉制备方法。文章描述了ACEL荧光粉的退火过程对其电致发光性质的深远影响。从热释光发光曲线上，我们可以看到烧结条件对电子陷阱特征的作用。由于荧光粉的ACEL性...
关键词: 阴极射线发光 荧光粉
本文研究了采用高温固相法合成的Ba3Ga（PO4）3：Dy^3＋荧光粉的阴极射线发光特性。测试并比较了电子轰击前后荧光粉的CL谱、色坐标以及PL谱变化。Ba3Ga（PO4）3：0．06Dy^3＋荧光粉的色坐标为x=0．454，y=0．424，Tc=2889．3K。测试结果显示该荧光粉是一种低色温、暖白光荧光粉，并且具有高的饱和电流，有耐大电流密度电子束轰击的能力。
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