关键词：跨阻放大器 rgc结构 等效输入噪声电流谱密度 cmos工艺 

摘要：采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标间的折中。测试结果表明单端跨阻增益高达78dB·Ω,-3dB带宽超过300MHz,100MHz处的等效输入噪声电流谱密度低至6.3pA/√Hz,功耗仅为14.4mW。芯片面积（包括所有PAD）为500μm×460μm。

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