电子显微学报杂志

Charge： Glowing in the Dark

透射电镜原子像的数值分析

关键词: 原子像  数值分析  透射电镜  高分辨电子显微术  材料结构  图像处理技术  结构信息  hrtem  

高分辨电子显微术（HRTEM）已广泛应用于材料结构的测定，且分辨率已达到原子尺度。特别是近年来球差校正电子显微术的发展大大增加了获取各种材料结构原子像的可行性。然而，球差校正的高分辨电子显微像并未像人们期望的那样以信息分辨极限的分辨率直接反映材料结构，它们仍需要配以计算像模拟或图像处理技术才可给出可靠的结构信息。

由电子能量损失谱计算过渡金属d电子数的浮动窗口方法

关键词: 电子能量损失谱  过渡金属  电子数  浮动窗口  谱计算  高空间分辨率  电子结构  宏观性能  

材料宏观性能的差异归根到底来源于其电子结构的差异。在过去半个多世纪里，过渡金属的d电子一直是固体物理领域内研究的一个重要内容；同时，在过渡金属形成合金的过程中，究竟是发生了“电荷转移”，还是保持“局域电中性”，文献中一直存在着争议。所有这些都依赖于对过渡金属中d电子的精确测量。近年来，电子能量损失谱（EEKS）已发展成为一...

Mo和Ta的有效电子能量损失函数

关键词: 电子能量损失谱  损失函数  表面等离子体激元  carlo方法  ta  mo  电子激发  介电函数  

在用Monte Carlo方法模拟电子与物质相互作用过程时，常用Mott截面描述电子与原子的弹性碰撞，而用介电函数理论描述电子的非弹性散射。Penn利用光学能量损失函数Im{-1／ε（q=0，ω）}外推法获得了描述动量转移不为零的能量损失函数Im{-1／ε（q，ω）}。该介电函数主要描述由于体激发而引起的能量损失，但当入射电子能量降低，或电子掠入、出射时...

TIE相位回复方法在空间电场分布研究中的应用

关键词: 相位变化  空间磁场  电场分布  tie  复方  transport  透射电子显微镜  应用  

透射电子显微镜成像电子束的相位变化能够提供样品及其周围空间电磁场的信息。一些文献已报道过用相位回复方法研究材料的内势、不同材料间的接触势差、A-B效应以及样品周围空间磁场和电场分布。非干涉性的相位回复方法可以用来研究空间静电场分布问题，其原理是通过记录波传递过程中不同成像平面上的像强度，代入到强度分布传递方程（transport...

掺杂机制的电子能量损失谱（EELS）研究

关键词: 电子能量损失谱  掺杂机制  宽禁带半导体  p型掺杂  原子位置  杂质原子  元素掺杂  过渡金属  

近年来宽禁带半导体的研究发展十分迅速。P型掺杂及稀磁掺杂问题都是目前研究的热点。例如：氧化锌（ZnO）的P型掺杂，氧化锌、氮化镓的过渡金属元素掺杂等等。虽然实验上取得了一定的进展，但其掺杂机制并不十分清楚。尽管理论上已经有很多相应的掺杂模型，但如何从实验上确定实际样品中杂质原子所处的原子位置并不容易，因而理论模型也就难以...

ZnGeN2晶体的结构和物性表征

关键词: 晶体生长  物性表征  结构  带隙宽度  gan  晶格常数  物理性能  化合物  

ZnGeN2的带隙宽度与GaN仅相差100meV，而且其相似的化合物ZnSiN2和ZnSnN2分别具有较大和较小的带隙宽度，因此，ZnGeN2-ZnSiN2-ZnSnN2合金有潜力形成类似于GaN-AlN-InN的半导体体系。此外，ZnGeN2的晶格常数与GaN相差不到百分之一，也有可能作为GaN晶体生长的基体。但是，目前对ZnGeN2晶体生长，结构和物理性能研究的报道较少。

镁铝合金（AZ91D）时效过程的透射电子显微镜实时原位观察

关键词: 时效过程  透射电子显微镜  原位观察  镁铝合金  az91镁合金  电子显微镜观察  实时  固溶处理  

对铸态镁合金，主要是通过固溶和时效方式改变力学性能。Celotto与肖晓玲等报道了用电子显微镜观察的固溶处理后AZ91镁合金在时效过程中连续析出γ-Mg17Al12相的形态有三种常见的类型。第一种呈薄片状，与基体相（α-Mg）保持Burgers位向关系，惯习面为（0001）α//（110）γ。

β-Ca0.33V2O5晶体的电子衍射与高分辨像研究

关键词: 高分辨像  电子衍射  晶体  结构模型  物理化学性能  碱土金属  v2o5  化合物  

在准一维β-AxV2O5化合物中，A可以为一价的碱金属（Li，Na，K…），或二价的碱土金属（Ca，Sr，Ba…），这类材料大多属于vanadium bronzes结构，空间群为C2/m。基本结构模型如图1所示，以V2O5为框架，沿b轴方向是三种类型的钒氧长链。由于此类金属钒氧化合物其结构特殊，及丰富的物理化学性能，引起了人们极大的研究热情。

Al_10Cu_10Fe_1相低温变体Φ_2相结构的电子显微分析

关键词: 相结构  电子显微分析  变体  低温  三元系统  化合物相  热力学  

1939年，Bradley等最早对Al-Cu-Fe三元系统进行了系统研究。他们鉴定出4种热力学上稳定的、结构未确定的三元化合物相，分别是Al5Cu2Fe，称为ψ相；Al7Cu2Fe，称为ω相；Al10Cu10Fe，称为φ相；Al18Cu10Fe，称为χ相。迄今，除了χ相未被进一步确认外，其余三相及其结构都已被确认，尽管φ相的结构还有争论。

高压合成Nb1-xB2（0〈x〈0．7）超导体的结构转变、电子结构和超导电性研究

关键词: 结构转变  电子结构  高压合成  超导体  超导电性  电子能量损失谱  二元化合物  第一原理计算  

自从MgB2（Tc=39K）超导体发现以来，AlB2型结构的二元化合物在实验和理论研究中都受到了日益广泛的关注。最近，我们利用高温高压方法合成了一系列具有Nb缺位的Nb1-xB2（0〈x〈0．7）化合物，得到了单相AlB2结构的样品。当0．2≤x〈0．5时，样品在8K附近出现明显的超导转变。结构分析表明，随着Nb含量的减少，晶格参数在x≈0．2处发生突变，在a...

钼蓝青铜晶体结构的电子显微学研究

关键词: 电子显微学  晶体结构  蓝青铜  钼蓝  电荷密度波  扫描隧道显微镜  电子辐照  电输运特性  

钼蓝青铜系列包括K0.3MoO3、Rb0.3MoO3、Tl0.3MoO3（基本结构一致）是一种准一维电荷密度波材料，具有准一维的电输运特性。伴随着电荷密度波（CDW）的产生，在180K左右时会发生从金属到半导体（绝缘体）的相变。运用X射线、中子衍射的手段，已经观察到低温下电荷密度波并确定了其矢量；也有人通过扫描隧道显微镜在实空间观察了其表面电荷密度波...

原位电子束诱导碲化锑（Sb2Te3）及硅掺杂的晶化

关键词: 电子束诱导  晶化过程  硅掺杂  原位  透射电子显微镜  随机存储器  功能材料  相变特性  

Sb2Te3是一种基础的功能材料，在掺杂基础上主要应用其温差电特性作为新型能源如太阳能和应用其固态相变特性作为随机存储器的关键材料。其中下一代基于CMOS（complementary metal oxide semiconductor）技术的电脉冲致相变随机存储器需要在GeTe-Sb2Te3体系的背景下寻找更合适的材料。电脉冲和高速运动的电子在材料中有近似的作用，利用透射电子...

原位观察Shockley不全位错的发射

关键词: 位错发射  不全位错  原位观察  纳米晶体材料  晶界扩散  形变机制  分子动力学  多晶材料  

纳米晶体材料与传统的多晶材料相比，具有较高的强度和硬度，其优越的力学性能归因于它们独特的变形机制。在纳米材料中，随着晶粒尺寸的不同，其形变方式主要有晶界转动、晶界扩散、不全位错发射形成层错、孪晶等，这些形变机制已被分子动力学模拟计算所预测。

最大熵解卷用于La0.4Ca2.6Mn2O7超结构的研究

关键词: 超结构  熵解  四方晶系  电子衍射  本结构  钙钛矿  空间群  掺杂量  

双层钙钛矿晶体La2-2xCa1-2xMn2O7一般具有Sr3Ti2O7类型的基本结构，空间群为I4/mmm，属于四方晶系，但对于不同的La掺杂量，晶格将畸变而使对称性改变。x=0.8的氧化物La0.4Ca2.6Mn2O7电子衍射的研究发现，a，b方向不等价，因此不属于四方晶系。

RFe2O4体系电荷有序及相变研究

关键词: 电荷有序  相变  电子设备  铁电材料  研究人员  控制性能  子位移  铁电性  

铁电材料广泛应用于包括记忆装置在内的现代电子设备中。传统的铁电性主要来源于离子位移，但研究人员在RF32O4结构的混合价氧化物中发现了一种基于有序电子的新机制，这种类型铁电材料的出现，使研制具有更高可控制性能的器件成为可能。

超导氧化物Li1-xNbO2的高分辨电子像衬度研究

关键词: 超导氧化物  高分辨  衬度  电子  超导转变温度  超导电性  六角晶系  晶体结构  

1990年Geselbracht等人在Li1-xNbO2体系中发现了超导电性，从非超导的化合物LiNbO2中提取大约x≈0.5的Li，样品即呈现超导性，超导转变温度Tc≈5K。化合物LiNbO2属六角晶系，空间群为P63/mmc。Kellerman等人用中子衍射证明：超导体Li1-xNbO2（x≈0.7）具有和非超导体LiNbO2一样的晶体结构。

Ca0.28Ba0.72Nb2O6晶体结构的高分辨电子显微学研究

关键词: 晶体结构  高分辨电子显微学  离子选择性  铁电材料  有效半径  光折变  x射线  钨青铜  

Ca0.28Ba0.72Nb2O6（CBN28）晶体是一种新型的铁电材料，对其电光、压电、热电和光折变等性能的研究引起广泛的兴趣。X射线研究表明，Ca0.25Ba0.75Nb2O6（CBN25）结构上类似于四方钨青铜（TTB）晶体Sr0.5Ba0.5Nb2O6（SBN）。TTB晶体骨架由Nb-O八面体共顶点相连而成，沿c方向形成三角、四方和五角通道，不同有效半径的掺杂离子选择性地占据不同的...

ZSM-5沸石结构的高分辨电子显微学研究

关键词: 高分辨电子显微学  沸石结构  择形催化剂  过渡族金属  化工领域  脱氢反应  正交结构  

ZSM-5是石油化工领域中使用的一种重要的择形催化剂，ZSM-5中掺杂进过渡族金属会促进烷烃的脱氢反应。ZSM-5为正交结构，点阵参数a=2.01，b=1.99，c=1.34nm，空间群Pnma，沿[010]方向的直线型孔道是椭圆形开口，长轴为0.58nm，短轴为0.478nm，每个十元环被8个五元环和2个六元环包围，沿[100]方向的正弦型孔道开口近似为正十元环，直径为0.53nm。

电镜样品制备方法对非晶合金结构的影响

关键词: 大块非晶合金  合金结构  制备方法  电镜样品  x射线衍射技术  非晶态  结构特征  晶粒尺寸  

非晶合金，特别是大块非晶合金，以其优异的性能而引起人们广泛的关注。通常情况下，人们普遍采用X射线衍射技术（XRD）来反映非晶合金的非晶态结构特征。然而当晶粒尺寸非常小时（如小于10nm），X射线衍射技术无法将非晶态和晶态严格地区分开。

正交相SnO2纳米带的电子显微学研究

关键词: sno2纳米带  电子显微学  一维纳米材料  正交相  纳米碳管  科学研究  物理性质  结构特性  

自从1991年，Iijima发现纳米碳管以来，一维纳米材料（包括纳米线、纳米带、纳米棒等）成为材料科学研究中一个崭新的热点。由于它们独特的结构特性和因此而具有的不同于传统二维三维材料的新颖物理性质，这些一维纳米材料有着很大的基础研究价值和潜在的应用价值，从而受到人们的广泛关注和研究。

ZnO纳米棒的制备与表征

关键词: zno  纳米棒  表征  制备  一维纳米材料  纳米电子器件  化学气相沉积  光电子器件  

近年来，一维纳米材料如纳米管、纳米线、纳米棒等由于在纳米电子器件和光电子器件中的潜在应用前景而吸引了众多科研小组的兴趣。ZnO纳米材料作为一种宽带系半导体，因其可以在各种高科技产品中的应用如光催化剂、气敏元件、光电二极管、变电阻等已引起人们广泛的研究，到现在为止，许多方法用来制备一维ZnO纳米材料，如电弧法、化学气相沉积、...

电场诱导生长阵列碳纳米管及模拟计算

关键词: 生长过程  模拟计算  电场诱导  碳纳米管  阵列  cnts  有限元方法  生长机制  

电场诱导生长阵列碳纳米管（CNTs）是最有效、易控制的方法，在场发射等方面具有重要的应用前景。与CVD和电弧法等相比，火焰法具有设备简单容易施加电场等特点。有限元方法（FEM）已成功地应用于模拟计算CNTs的各种性能。本工作利用FEM建模，定量计算CNTs在生长过程中受到的电场力，从理论上更全面地解释CNTs的阵列生长过程和生长机制。

不同生长条件下Ag／SiOx纳米结构形态的演变

关键词: 结构形态  纳米材料  生长条件  siox  演变  ag  纳米结构  物理机制  

纳米材料因为其潜在的优异性能引起了研究者们极大的兴趣，同时小尺度下的纳米结构也向人们呈现了丰富而美丽的形态。人们还不完全了解这些形态背后的物理机制，研究纳米结构形态之间的演变可以对物理机制的理解提供实验证据，从而更好地控制纳米结构的生长，为纳米器件的制备提供良好的材料基础。

“镍纳米线／多壁碳纳米管／非晶碳纳米管”一维轴向异质结的结构与伏安特性

关键词: 多壁碳纳米管  镍纳米线  异质结  轴向  一维  伏安特性  非晶  

将电化学沉积方法和化学气相沉积（CVD）方法结合起来，以多孔阳极氧化铝（AAO）为模板，开发出一种用于制备一维金属／半导体轴向异质结阵列的普适性方法，成功制备多种不同种类的一维金属，半导体轴向异质结的整齐阵列。其中，由单晶Ni纳米线、多壁碳纳米管（MWCNT）和非晶碳纳米管（a-CNT）首尾连接而成Ni／MWCNT／a-CNT一维轴向异质结。

热氧化法制备ZnO纳米针的微结构与场发射性质研究

关键词: 纳米材料  zno  发射性质  热氧化法  微结构  宽禁带半导体材料  制备  激子结合能  

ZnO是一种重要的宽禁带半导体材料，室温下带隙宽3.37eV，激子结合能高达60meV，在短波激光器、太阳能电池、压电材料、发光照明材料等方面具有广泛的应用前景。一维ZnO纳米材料具有高的长径比、良好的物理化学等性能，其合成备受关注。

氧化锡超细单晶纳米线的制备和结构表征

关键词: 结构表征  纳米线  氧化锡  一维纳米结构  制备  单晶  超细  集成电路设计  

近年来，氧化物一维纳米结构的研究成为物理、材料、化学领域的热点课题。氧化物一维纳米结构有着优异的物理和化学性质，同时又易于构建纳米器件以形成工业化生产，因而在激光器件、纳米电子学、纳米光子学以及未来新一代集成电路设计里有广阔的应用前景。

弯曲生长SiC纳米线的TEM表征

关键词: tem表征  纳米线  宽带半导体材料  生长  弯曲  一维纳米材料  集成电子器件  

由于纳米线/管/棒在力学、电学、光学等方面巨大的潜在应用价值，近年来人们投入了越来越多的兴趣来合成和表征各种一维纳米材料。其中立方结构的β-SiC纳米线帖于其优越的物理、力学性能（如高的硬度、强度、高的抗氧化和腐蚀性能、低的密度和热膨胀系数和高的热转换能力）受到广泛的关注，此外，β-SiC是一种宽带半导体材料，在高温、高频、大功...

自组装ZnO孪晶纳米结构的透射电镜研究

关键词: 纳米结构  透射电镜  zno  自组装  孪晶  宽带隙半导体材料  一维纳米材料  tem  

由于一维纳米材料在发光等领域的巨大的应用潜力，近年来对纳米材料的研究也成为热点。ZnO作为一种宽带隙半导体材料，其纳米结构的研究受到了广泛关注。本文对自组装ZnO孪晶纳米结构进行了系统的透射电镜（TEM）研究。图1a为ZnO纳米结构的低倍TEM像，表明该纳米结构由三个成份A，B，C组成。

聚焦电子束辐照原位制备单晶纳米棒

关键词: 电子束辐照  纳米棒  原位制备  聚焦  低维纳米材料  气相沉积法  电子束诱导  单晶  

低维纳米材料相对于传统材料因其独特的物理化学性能已经成为研究热点。其制备方法主要有气相沉积法、电化学沉积法、模板法和聚焦电子束诱导沉积法等。所谓聚焦电子束诱导沉积法是指将电子束汇聚到几纳米区域的基材上，同时注入适当气氛，进而在基材上生成纳米线、纳米锥、纳米棒和纳米点等低纳纳米材料的方法。

钛酸铅超细纳米晶及纳米线的制备与结构表征

关键词: 制备技术  纳米线  结构表征  一维纳米材料  纳米晶  钛酸铅  超细  低维纳米材料  

近来，一维纳米材料吸引了物理学、材料学和化学界的广泛关注，成为纳米材料研究的热点。纳米线是物质在纳米尺度上的一种特殊结构，其优异的光学、电学和力学性能，在纳米器件的应用领域极具发展前景。纳米线的制备技术及物性的测量是材料在纳米原型器件制作和应用的关键，不断探索低维纳米材料的制备新技术，合成出多种材料的纳米线具有重要意...

GaS亚微米管的几何构造和结构应变

关键词: 结构应变  几何构造  gas  微米管  日本物质材料研究所  透射电子显微术  半导体化合物  层状结构  

GaS是一种具有六方层状结构（P63/mmc）的半导体化合物，类似于石墨。多年前的理论计算表明GaS层状结构也可以弯曲形成稳定的管状结构。参考碳纳米管的结构表征术语，GaS可形成锯齿形、椅形以及具有不同螺旋度的几何形状（图1）。去年，国外3个研究小组同时报道了他们成功制备出GaS的纳米管和亚微米管，本工作采用透射电子显微术研究了由日本物...

五角星形纳米线形貌的电镜表征

关键词: 纳米线  表征  形貌  一维纳米材料  电镜  星形  晶体取向  体材料  

由于纳米材料所表现出的不同于体材料的特性，近年来对纳米材料的制备和表征进行了大量的研究，尤其是准一维纳米材料，如纳米线等。纳米线的性质不仅与其体材料的性质有关，而且还与其直径、长度、晶体取向和形状有关。因此有必要对纳米线的特殊形貌进行表征，从而研究纳米线的结构、形貌与性能之间的关系。

六方柱状SiC纳米线的TEM表征

关键词: 纳米线  sic  tem表征  一维纳米材料  集成电子器件  柱状  六方  电学性能  

自Iijima发现碳纳米管以来，一维纳米材料（纳米管、纳米线、纳米棒、纳米带等）由于优异、有趣的性能，引起了人们极大的兴趣，对各种纳米材料的制备、结构、性能的研究已广泛地开展起来。SiC纳米线由于具有优越的力学、热学、电学性能和高的物理、化学稳定性、热导率、临界击穿电场、电子饱和迁移率等特性，在高温、高频、大功率、高密度集成...

Ni（OH）1.4（SO4）0.3纳米带和相关的结构演变

关键词: 结构演变  纳米带  氢氧化镍  碱性蓄电池  正极活性物质  六角晶系  

氢氧化镍作为碱性蓄电池的正极活性物质，广泛应用于镍氢、镍镉和镍锌等电池。＋2价氢氧化镍主要有α和β两种晶型。β-Ni（OH）2属于六角晶系（单胞参数为：a=0．313nm，c=0．463nm），其中OH^-为六角密积形成等间距层状结构，氢氧键平行于c轴，Ni^2＋处于层间八面体位置。α-Ni（OH）2晶化程度相对较差，其结构仍属于六角晶系（单胞参数为：a=0．3...

电沉积镍纳米晶对碳纳米管生长的影响

关键词: 生长形态  碳纳米管  电沉积镍  纳米晶  cnts  前期研究  沉积参数  表面形貌  

我们的前期研究发现，通过制备脉冲电沉积镍（Ni）纳米晶作为催化剂，在火焰中可以生长出直径均匀的碳纳米管（CNTs），还可以通过改变电沉积参数获得不同尺寸的纳米晶晶粒，从而达到控制CNTs管径的目的。本工作进一步研究Ni纳米晶的表面形貌的CNTs生长形态和机理的影响。

多种形貌Ag2S纳米颗粒的制备及表征

关键词: 纳米颗粒  ag2s  结构表征  半导体材料  制备  形貌  量子尺寸效应  纳米材料  

Ag2S是一种化学稳定性高的窄能带半导体材料，广泛应用于光电池、光电导器件、红外检测器和快离子导体等领域，而纳米Ag2S由于高的比表面积和量子尺寸效应，可以表现出与体材料不同的性能；除了尺度，纳米颗粒的形状也会影响其物性。因此，对特定形状纳米材料的合成与结构表征是纳米材料研究的一个重要内容。

不同石墨化处理工艺对碳微球形貌和结构的影响

关键词: 石墨化处理  碳微球  结构  形貌  工艺  实验条件  cvd法  甲苯  

碳微球因其独特结构和优异性能引起了科学界的重视，使之受到越来越多的关注。本研究以乙炔和甲苯为原料，在一定的实验条件下，以CVD法成功地研制出大量形貌较好尺寸均匀的碳微球。对所得碳微球经过不同的石墨化处理工艺，考察不同处理工艺对其形貌和结构的影响。

Pt／洋葱状富勒烯复合纳米微粒的制备

关键词: 洋葱状富勒烯  复合纳米微粒  fullerenes  制备  纳米材料科学  生物医用材料  特殊性能  金属碳化物  

洋葱状富勒烯（OLFs）是继C60、碳纳米管之后人们发现的又一种崭新的全碳物质，自1992年Ugarte发现洋葱状富勒烯（onion-like fullerenes，OLFs）以来，其研究成为物理、化学和纳米材料科学等领域的热点。OLFs独特的中空笼状及同心壳层结构，可以容纳原子团簇、纳米微粒和金属碳化物等，具有许多特殊性能，有望在能源材料、高性能高温耐磨材料、...

PEI修饰的锰锌铁氧体磁性纳米粒子的制备与表征

关键词: 磁性纳米粒子  锰锌铁氧体  表面修饰  pei  制备  生物医学工程  表征  化学共沉淀法  

本文采用改良的化学共沉淀法制备了纳米锰锌铁氧体，并用PEI（聚乙烯亚胺）对其进行了表面修饰，使其形成表面偶联活性有机功能集团的具有核壳结构的磁性纳米粒子（MNPs）。讨论了PEI的加入对其部分理化特性的影响，为进一步探讨其在生物医学及生物医学工程中的应用，如作为基因载体提供实验、理论基础。