电子显微学报杂志

单斜η-Al11Cr2相的确定

关键词: 晶体学参数  透射电子显微学  包晶反应  

本文用高温快冷的方法得到了Al-Cr二元合金系中η-Al11Cr2相的单晶,综合单晶X射线衍射、选区电子衍射以及高分辨电子显微像等研究方法确认η-Al11Cr2为单斜相,a=1.77348（10）nm,b=3.04555（17）nm,c=1.77344（10）nm,β=91.0520（12）°,空间群为C2/c。通过对名义成分为Al11Cr2的铸锭在不同温度下进行退火处理后的金相分析,首次观察到了包晶反应μ-A...

钛铝合金中的形变诱发γ→DI-α2相变

关键词: 钛铝合金  高分辨电子显微术  形变诱发相变  孪晶交截  

本文运用高分辨电子显微术研究了TiAl合金中形变诱发的γ→DI-2α相变（本文中DI-表示形变诱发）。研究表明,无论是高温变形还是室温变形,形变诱发的γ→DI-α2相变都可在孪晶交截等孪晶受阻的区域内发生。尽管变形条件截然不同,但该相变却未表现出任何差异。高分辨观察表明,DI-α2相与γ基体之间仍然具有典型的取向关系：（001）DI-α2//{111}γ,[11 20...

Al-Ni-Rh复杂合金相中特殊面缺陷的电子显微学研究

关键词: 高分辨透射电子显微镜  近似相  相子  面缺陷  重叠覆盖模型  

利用高分辨透射电子显微学方法,研究了复杂合金相ξ-′Al-Ni-Rh和-ξAl-Ni-Rh相中一种特殊类型面缺陷。这种面缺陷的晶体学特点是,其结构特征不仅涉及描述通常晶体中面缺陷的平移矢量,而且还涉及原子团簇之间的位置交换。而后者通常出现在不具平移周期性的准晶中,称为相子缺陷。研究表明,这种特殊的面缺陷不仅呈现随机分布状态,也可周期性排列形成...

La0.9Sr0.1MnO3/Si体系界面的电子显微学研究

关键词: 界面结构  成分分布  

本文利用透射电子显微术,研究了通过激光分子束外延方法在Si基体上生长的La0.9Sr0.1MnO3功能薄膜的显微结构特征及界面处的微区成分分布规律。结果表明,在Si基体上生长的La0.9Sr0.1MnO3薄膜由单相多晶体构成。这些多晶体颗粒以柱状结构生长,柱状晶垂直于界面并一直贯穿整个LSMO薄膜。La0.9Sr0.1MnO3薄膜具有正交点阵结构,其颗粒大小为10 nm~20 n...

孪晶界移动的动态过程

关键词: 原位透射电镜  孪晶界移动  纳米片层  shockley不全位错  铜  

通过原位拉伸高分辨透射电镜观察,研究纳米孪晶铜中孪晶界的动态形变过程。实验发现,与以往分子动力学模拟计算预测的结果不同,Shockley不全位错主要从孪晶界与晶界的交叉点处发射,沿着孪晶界面运动,导致孪晶界移动。并对孪晶界移动作为纳米孪晶铜在塑性变形初期的一种主要形变方式进行了讨论。

原位电子束诱导沉积制备碳纳米结构

关键词: 碳纳米管  纳米线  纳米结构修饰  原位生长  电子显微学  

以多壁碳纳米管为基本材料,利用电子束诱导沉积的方法进行了纳米结构加工、修饰研究。电子束诱导沉积实现了二个碳纳米管端部之间的牢固焊接,实现了纳米材料间的几乎无损伤连接。原位测量表明多壁碳纳米管间的连接为欧姆接触。进一步对碳纳米管施加外电场可以使端部碳原子间的π键打开,外部碳原子经电子束诱导沉积在碳纳米管的端部,并定向生长成...

应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究

关键词: 应变硅  金属氧化物半导体场效应晶体管  大角度会聚束电子衍射  

本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管（PMOSFET）沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征。由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变。利用大角度会聚束电子衍射（LACBED）测量了沟道区的压应变和切应变,并讨论了沟道区产生巨大压应变（2%以上）的原因。

SiC纳米线的孪晶机制的透射电子显微学研究

关键词: 会聚束电子衍射  会聚束电子衍射的动力学模拟  

本文对溶胶-凝胶法制得的SiC微孪晶纳米线进行了微结构与孪晶机制的详细研究,利用会聚束电子衍射（CBED）及其动力学模拟技术间接证明了它是一种关于（111）面的60°旋转孪晶。并在此基础上对SiC微孪晶纳米线的生长机理进行了讨论。

双壁碳纳米管的电子显微学研究

关键词: 碳纳米管  透射电子显微术  电子衍射  电子辐照  螺旋度  

本文分析研究了甲酸镍二水合物作为催化剂前驱体,多壁管为原料,采用氢电弧放电法制得的双壁碳纳米管样品中不同管壁数目碳纳米管的分布及双壁碳管直径分布,发现样品中单壁和双壁碳管占主要地位,双壁管的内径主要分布在1.67 nm-3.67 nm之间,外径主要分布在2.33 nm-4.33 nm之间。此外,精确测定了三个双壁碳纳米管的螺旋指数,分别为[（28,3）（29,1...

CuSn系超结构的电子衍射与能量分析

关键词: cusn超结构  电子衍射  几何优化  edshammar多面体  

本文首先根据CuSn合金的选区电子衍射图构建出一种新的三次超结构的单胞和五次超结构η-′Cu6Sn5相与六角CuSn相的取向关系。然后对CuSn合金几种可能的超结构进行能量计算,发现晶胞中的空位占有率和优化前后几何变化率成线性关系,以及超结构中Edshammar多面体中心的多余Cu原子和同一平面Sn原子之间键长对晶胞的稳定性至关重要。

精确测定碳纳米管螺旋度的电子衍射方法

关键词: 碳纳米管  电子衍射  纳米结构  纳米材料  

本文介绍精确测定碳纳米管原子结构的电子衍射方法。电子衍射方法利用碳纳米管的电子衍射图与碳纳米管螺旋指数（u,v）间的内在关系,可以从（a）衍射层线上的电子散射强度分布或（b）衍射层线间距的比例测定碳纳米管的螺旋指数。电子衍射方法是迄今为止测定碳纳米管的螺旋指数的最有效方法。电子衍射方法除具有结果精度高外,亦可用于测定多层碳...

钢铁材料晶界结合和冲击断裂特征的电子能量损失谱研究

关键词: 电子能量损失谱  钢铁材料  电子结构  晶界  断裂模式  

本文采用电子能量损失谱（EELS）研究了不同商用钢铁材料的晶界,计算了晶界处和晶粒内铁原子的3d电子占据态密度,并将其和晶界性质以及材料的宏观断裂性能相联系。结果表明,当样品晶界处铁的3d电子占据态密度高于晶粒内时,晶界结合强度低于晶内,晶界表现出脆性,材料的冲击断裂方式主要为脆性的沿晶断裂;反之,如果样品晶界处铁的3d电子占据态密度...

利用扫描隧道显微镜构建纳米结构

关键词: 扫描隧道显微镜  原子操纵  pb  纳米结构  

通过对在Si（111）-7×7表面上生长的Pb岛施加脉冲偏压,Pb岛受到触发而自发再生长。通过调节操纵参数（如脉冲电压的大小和时间）,岛的高度及形状可以较精确地控制。用这种方法,我们可以制造出一些特定形状的纳米结构,例如中空和半中空的纳米阱等,还可以在更大尺度（微米）上进一步构建由这些纳米结构单元构成的图案。在纳米结构的构建过程中,还...

STM/STS在纳米结构电子态和输运性质研究中的新进展

关键词: 量子点  单分子  纳米结构  电子态  电子输运  

本文介绍了扫瞄隧道显微术及扫描隧道谱（STM/STS）半导体、金属量子点及单分子电子态和电子输运性质研究的最新进展。STM具有高的空间和能量分辨率,不仅可用于表面和纳米体系的结构表征,而且可用于研究表面和纳米结构局域电子态和电子输运性质。半导体、金属量子点及单分子通常具有分立的电子能级结构。利用STM的探针空间局域的探测能力和较高...

《电子显微学报》征稿简则

《郭可信先生纪念文集》编辑委员会

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