电子元件与材料杂志

金红石型纳米TiO2粉体的制备及其分散

关键词: 无机非金属材料  二氧化钛  金红石型  纳米粉体  分散  

为使金红石型纳米TiO2在水溶液中良好稳定地分散,采用Ti(SO4)2水热合成法,在低温下制备了纳米TiO2粉体,并选取几种无机、有机分散剂对合成的TiO2在水中的分散行为进行了比较.XRD图谱显示,合成的TiO2为金红石型;TEM照片表明,TiO2颗粒粒径在100nm左右,且基本为球状颗粒;分散测试得出以质量比为1:1混合的三聚磷酸钠和1631作为复合分散剂具有最佳的...

退火条件对FeSiCoB薄膜应力阻抗效应的影响

关键词: 电子技术  磁弹性薄膜  多层膜  应力阻抗  磁控溅射  退火处理  

为了提高FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜的磁弹性能,利用磁控溅射方法在玻璃基片上沉积制备薄膜样品,并在真空中退火.测试了不同温度退火后,薄膜样品的应力阻抗效应.结果表明,退火处理条件对薄膜的应力阻抗效应有较大的影响.在6.4kA·m-1磁场下,薄膜经300℃、40min退火处理后,单层FeCoSiB和多层FeCoSiB/Cu/FeCoSiB的应力阻抗效应分别为1....

FeCuNbCrSiB薄膜的制备及其巨磁阻抗效应研究

关键词: 电子技术  巨磁阻抗效应  fecunbcrsib薄膜  三明治薄膜  

采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了非晶的Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9薄膜及三明治结构M/C/M(M为Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9;C为Cu)的多层膜.在频率(1～40)MHz下,研究了薄膜材料的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场的变化关系.结果表明:单层膜的GMI效应较小,只有4.4%;而三明治结构多层膜的GMI效应,比单层膜有较大幅度的提高,在5MHz、120Oe下,纵向和横向...

TCL率先启动“零铅工程”

关键词: tcl公司  彩电生产  

日前，TCL彩电已经率先启动一项名为“零铅工程”的计划，即从2004年开始，在彩电生产过程中引入“无铅焊接”技术，利用该技术生产的电视产品将完全符合欧盟颁布的《报废电子电气设备指令》和《关于在电子电气设备中禁止使用某些有害物质指令》，同时也符合我国即将颁布的《电子信息产品污染防治管理办法》规定。

二次热处理的SrTiO3压敏陶瓷电性能的研究

关键词: 电子技术  钛酸锶压敏陶瓷  表面氧化层  晶界势垒  二次热处理  srtio3  

采用逐层研磨及电测量的方法,对800～1050℃不同温度下,热处理的SrTiO3陶瓷电容–压敏元件的表面氧化层进行了研究.结果表明:该类元件存在明显的表面氧化层结构,且随着热处理温度升高,表面氧化层厚度增大,800～1000℃不同温度热处理的样品,其表面氧化层厚度为26～107μm;表面氧化层内扩散氧的浓度和晶界势垒的高度是由表及里逐渐减小的.

2005年PCB业将呈现六大特点

关键词: 2005年  pcb业  市场行情  产业链  

从日本、韩国、中国三地业界对2005年PCB产业前景的展望中，可以总结出如下特点。

sol-gel法制备之纳米钡铁氧体微波性能的研究

关键词: 电子技术  柠檬酸  纳米钡铁氧体  微波性能  

利用柠檬酸sol-gel法合成了六方晶系M型钡铁氧体,采用XRD、原子力显微镜对其晶型、粒径分布及显微结构进行了研究,利用网络分析仪对铁氧体的微波性能进行了分析,并分析了其改性思路.结果表明:实验制得粉体为纯净的M型钡铁氧体,其粒度在50nm左右,并且在4.5～5.5GHz范围内,具有良好的吸波性能.

国家应充分重视SMT技术开发

关键词: smt技术  电子制造产业  工艺技术水平  国际合作  超小型电子管  

如何从SMT大国向SMT强国转变，得到政府有关部门的重视与关注是关键。政府主管部门应制定出加快提升我国电子制造产业工艺技术水平与SMT产业技术水平的强力措施。

悬臂梁式硅微加速度计的研制

关键词: 电子技术  mems  硅微加速度计  多芯片组装  

全国电子陶瓷器件无铅化学术研讨会征文通知

切丝重熔法制备的BGA焊球及其表面形貌

关键词: 电子技术  bga封装  焊球  制备技术  

BGA及μBGA、CSP、MCM封装片及倒装片与基板的连接过程中,其关键与核心是钎料凸点的制作技术.制作这种凸点可以采用事先制作好的焊球,介绍了BGA焊球的实验室制备方法--切丝重熔法,用该方法可获得尺寸准确,表面质量较好的焊球.并对焊球颗粒的表面显微结构进行了分析.

日本平板显示器新品

关键词: 日本  平板显示器  65英寸  等离子显示器  液晶显示屏  夏普公司  性能  

65英寸全球最大液晶显示屏，65英寸世界最大等离子显示器。

PLD法生长硅基ZnO薄膜的特性

关键词: 半导体技术  zno薄膜  pld  六方纤锌矿结构  

用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜.XRD在2θ为34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽仅0.85°;傅里叶红外吸收(FTIR)在413.08cm-1附近出现了对应Zn-O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于330,368,417和467nm处的室温光致发光峰;SEM和TEM显示了薄膜的表面形貌以及结晶程度.ZnO单晶薄膜具有c轴取向高度一致的六方纤锌...

奚国华在“2005全球NGN高峰论坛”上指出积极推动新技术新业务发展

关键词: 奚国华  新技术  新业务  信息产业部  国际合作  

3月24目，“2005全球NGN高峰论坛”在北京举行。信息产业部副部长奚国华在开幕式上发言，指出要积极推动新技术、新业务的发展。

Sn-9Zn无铅电子钎料助焊剂研究

关键词: 电子技术  无铅钎料  助焊剂  润湿性  

Sn-9Zn共晶合金在一般松香助焊剂条件下润湿性较差.开发了一种新的改性松香助焊剂.用铺展面积测量和润湿天平两种手段,表征不同助焊剂条件下Sn-9Zn合金对铜的润湿性,用失重测量表征助焊剂对铜和焊料合金的腐蚀性.结果表明:在乙醇–松香中加入少量SnCl2作为助焊剂可大大改善Sn-9Zn对铜的润湿性,但对焊料合金有一定的腐蚀性.选择了一种具有较强活...

sol-gel法制备（002）高度定向的Li：ZnO薄膜

关键词: 无机非金属材料  氧化锌薄膜  掺杂  定向  

用sol-gel法在玻璃载玻片上旋涂3～9层制备氧化锌薄膜.用X射线衍射、扫描电镜等研究了掺Li、旋涂层数、溶胶的浓度以及热处理温度对氧化锌薄膜(002)定向性的影响.结果表明,溶胶中掺入一定量的Li可显著地促进ZnO沿(002)生长;浓度为0.45mol/L旋涂3层或浓度为0.25mol/L旋涂7层的样品,即使有Li的掺入也不能呈现较好的(002)定向性,这是由于薄膜太薄所...

中温烧结CLNT微波介质陶瓷

关键词: 无机非金属材料  低温烧结  微波介质陶瓷  介电性能  三氧化二铋  

研究了Bi2O3对CLNT陶瓷的烧结性能、物相和介电性能的影响.添加4%～10%(质量分数)Bi2O3,在液相Bi2O3和Bi2O3-TiO2两重作用下,烧结温度降至1050℃.XRD分析表明:斜方钙钛矿相出现分裂,产生第二相.随Bi2O3含量增加,Q·f值下降,τf向负温度系数方向移动,当0＜w(Bi2O3)≤4%,εr基本不变;w(Bi2O3)＞4%,εr因气孔增加而减小.4%Bi2O3试样在1050℃烧结4h,εr为...

卷绕式聚吡咯铝电解电容器的制备工艺研究

关键词: 电子技术  聚吡咯  化学氧化聚合法  铝电解电容器  制备工艺  

采用化学氧化聚合法在铝电解电容器的芯子中形成聚吡咯.使用四种不同的工艺方法制作了卷绕式的PPy(聚吡咯)铝电解电容器,研究了电容器的各项电性能,如:电容量-频率特性、损耗-频率特性、阻抗-频率特性.发现工艺方法三、四制得电容器的各项性能均比一般同类产品优良,解决了聚吡咯不易在电容器芯子内部形成的难题.

PZT铁电薄膜的印迹研究

关键词: 无机非金属材料  锆钛酸铅铁电薄膜  印迹  矫顽电压  界面层  

印迹(Imprint)是造成铁电存储器失效的一个重要因素,通过分析不同厚度的PZT薄膜电容的界面层后认为,造成印迹的原因是上下电极与铁电薄膜之间界面层厚度的不同,导致了铁电薄膜表面极化钉扎状态的差异.矫顽电压偏移量对铁电薄膜的厚度依赖性,以及矫顽电压的偏移量随时间变化规律,很好地证实了笔者的设想.

一次性烧成晶界层半导体陶瓷电容器

关键词: 电子技术  晶界层半导体陶瓷电容器  一次性烧成  联体炉  

采用一次性烧成技术研制了晶界层半导体陶瓷电容器,在瓷料配制过程中先后加入施主杂质和含有受主杂质的晶界助烧剂,两者在还原烧成时促使晶粒生长并半导化,助烧剂在氧化时有利于晶界绝缘层形成.在一台联体烧成设备中,采用大梯度温度和气氛变化,连续完成还原烧成和氧化处理.还原烧成时,升温速度大于400℃/h.在还原烧成温度下保温后,立即在几分钟...

用于超电容器的高性能活性炭研究

关键词: 电子技术  超级电容器  双电层电容器  活性炭  比容  

运用化学活化法制备了超电容器用高比表面积活性炭.利用碘吸附、亚甲蓝吸附和BET测试,对样品的孔隙性进行了分析.以制备的活性炭为超电容器电极材料,利用循环伏安和恒流充放电测试其电容特性.结果表明,实验研制的活性炭的比表面积为173m2·g-1,平均孔径为2.36nm,绝大部分孔径都在5nm以内;在10-2A·cm-2的电流密度下活性炭的比容达180F·g-1,基于研...

彩色TFT-LCD是家用电视主流替代产品

关键词: 家用电视  主流替代产品  亮度  响应速度  性能  高清晰度数字电视  

20世纪90年代末，由于日本在TFT-LCD上的投资大大落后于韩国和我国台湾省，使日本在液晶电脑屏(LCD-PC)的生产上无法与韩国和我国台湾省竞争，促使以夏普为代表的日本LCD产业大力开发液晶电视(LCD-TV)。经过几年的发展，彩色ITT-LCD的响应速度已经由50，30发展到16，8ms。视角由90°、120°发展到170°。亮度由200cd／m^2发展到350cd／m^2以上，色...

环氧模塑封材料的热-机械疲劳失效分析

关键词: 电子技术  模塑封材料  拉伸实验  疲劳实验  疲劳寿命预测  

封装材料的热疲劳失效是封装器件失效的主要原因之一.对在微电子封装中应用很广的环氧模塑封装材料进行了常温和高温下的拉伸、疲劳实验.基于以疲劳模量作为损伤因子的疲劳寿命预测模型,相应的材料参数通过实验获得.并通过实验得出了该环氧模塑封装材料考虑温度影响的疲劳寿命预测模型,利用该模型可以对微电子封装用高聚物的疲劳寿命进行预测.

MLCC制造中产生内部开裂的研究

关键词: 电子技术  mlcc  内部开裂  内电极浆料  设计  

从内电极设计、内浆(内电极浆料)的选择、内电极干燥工艺等方面对MLCC内部开裂的原因进行了深入研究,结果表明,通过测试瓷膜与内浆的热收缩曲线,选择收缩率相接近的瓷膜与内浆来制作MLCC;调试选用合适的内电极干燥温度、时间;改变内电极设计,在产品中间层加一个厚度2～5倍于其它介质厚度的不错位夹层,MLCC内部开裂几率由原来的5.1%下降到目前的0...

稀土掺杂Y2O3纳米晶发光材料的研究进展

关键词: 无机非金属材料  稀土掺杂  综述  氧化钇  纳米晶  发光  上转换  

总结了近几年稀土掺杂Y2O3纳米晶发光材料的研究工作.回顾了Y2O3:Eu3+纳米晶的制备方法及发光性质,特别是采用溶胶–凝胶热解过程,在激发光谱中观察到同基质晶格和粒径相关的蓝色位移(≈600cm-1).详细介绍了Er3+和Ho3+掺杂的Y2O3纳米晶的上转换机理,由于纳米晶表面容易吸附空气中的CO2和H2O,使得上转换性能明显低于体材料.通过对其进行表面改性...

氧化锌铝薄膜的光电特性、制备技术及应用

关键词: 电子技术  zao薄膜  综述  光电特性  制备方法  应用前景  

ZAO薄膜具有低电导率、高可见光透射率、高红外光反射率及其它半导体特性,应用于平板显示器件、太阳能电池、反射热镜、气体敏感器件、特殊功能窗口涂层等领域.ZAO薄膜原料易得,制造成本低廉,无毒,易于实现掺杂,且在等离子体中稳定性好,易刻蚀,因而有可能成为ITO的替代产品,尤其是在太阳能电池透明电极领域.

涉足移动通信领域长虹完成3C架构

关键词: 移动通信  长虹公司  3c架构  企业策略  

3月28日，长虹公司在绵阳召开的“中国科技城投资合作洽谈会暨电子信息产业投资合作论坛”高峰会上宣布，随着“国虹通讯数码集团有限责任公司”、“长虹信息技术有限责任公司”两家新公司的正式成立，长虹高调涉足移动通信终端领域和当前以ADSL、视讯业务、IPTV等为主要内容的3C业务领域。这是长虹去年10月成立长虹朝华信息产品有限责任公司进...

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