半导体材料发展前景模板(10篇)

导言：作为写作爱好者，不可错过为您精心挑选的10篇半导体材料发展前景，它们将为您的写作提供全新的视角，我们衷心期待您的阅读，并希望这些内容能为您提供灵感和参考。

篇1

1 对现阶段我国电子科学技术发展进程向前推进的过程中所使用到的半导体材料进行分析

1.1 元素类半导体材料在我国电子科学技术发展初级阶段得到了较为广泛的应用

作为出现最早并且得到了最为广泛的应用的第一代半导体材料，锗、硅是其中典型性相对来说比较强的元素半导体材料，第一代半导体材料硅因为存储量相对来说比较大、工艺也相对来说比较成熟，成为了现阶段我国所生产出来的半导体设备中得到了最为广泛的应用，锗元素是发现时间最早的一种半导体材料。在我国电子科学技术发展初级阶段因其本身所具有的活泼，容易和半导体设备中所需要使用到的介电材料发生氧化还原反应从而形成GEO，使半导体设备的性能受到一定程度的影响，致使人们在使用半导体设备的过程中出现各个层面相关问题的几率是相对来说比较高的，并且锗这种元素的产量相对于硅元素来说是比较少的，因此在我国电子科学技术发展初级阶段对锗这种半导体材料的研究力度是相对来说比较小的。但是在上个世纪八十年代的时候，锗这种半导体材料在红外光学领域得到了较为广泛的应用，并且发展速度是相对来说比较快的，在此之后，GE这种半导体材料在太阳能电池这个领域中也得到了较为广泛的应用。

1.2 对现阶段我国电子科学技术发展进程向前推进的过程中所使用到大化合物半导体材料进行分析

现阶段我国电子科学技术发展进程向前推进的过程中所使用到的化合物半导体一般情况下是可以分为第III和第V族化合物（例如在那个时期半导体设备中所经常使用到的半导体材料GaAs Gap以及石墨烯等等），第II和第VI族化合物（例如在半导体设备中所经常使用到的硫化镉以及硫化锌等等）、经过了一定程度的氧化反应后的化合物（Mn、Cu等相关元素经过了一定程度的氧化反应后形成的化合物）。在上文中所叙述的一些材料一般情况下都是属于固态晶体半导体材料所包含的范畴之内的，现阶段我国电子科学技术发展进程向前推进的过程中研发出来的有机半导体与玻璃半导体等非晶体状态的材料也逐渐成为了半导体设备中所经常使用到的一种材料。

2 对现阶段我国电子科学技术发展进程向前推进的过程中半导体材料使用阶段发生变化的进行分析

在现阶段我国半导体设备中所经常使用到的半导体材料硅遵循着摩尔定律所提出的要求发展进程不断的向前推进，现阶段我国半导体设备中所使用到的硅的集成度已经逐渐接近了极限范围，现阶段我国所研发出来的晶体管逐步向着10nm甚至7nm的特征尺寸逼近。但是因为硅材料本身在禁带宽度、空穴迁移率等各个方面存在一定程度的问题，难以满足现阶段我国科学技术发展进程向前推进的过程中对半导体材料所提出的要求，在10nm这个节点范围之中，GE/SIGE材料或许是可以代替硅材料成为半导体设备所需要使用到的主要材料的。在2015年的时候，IBM实验室在和桑心以及纽约州立大学纳米理工学院进行一定程度的相互合作之后推出了实际范围内首个7nm原型芯片，这一款芯片中所使用到的材料都是被人们称作黑科技的“锗硅”材料，取代了原本高纯度硅元素在半导体材料中所占据的主导地位。

3 对现阶段新兴半导体材料的发展趋势进行分析

因为在经济发展进程向前推进的背景之下，人们对半导体设备的性能所提出的要求也在不断的提升，人们对半导体设备中所需要使用到的半导体材料在集成度、能耗水平以及成本等各个方面提出的要求到达了新的高度。现阶段，第三代半导体材料已经之间的成为了半导体设备中使用到的主要材料之一，作为在第三代半导体材料中典型性相对来说比较强的材料：GaN、SIC以及zno等各种类型的材料在现阶段发展进程向前推进的速度都是相对来说比较快的。

4 对现阶段碳化硅这种材料的发展和在各个领域中得到的应用进行分析

碳化硅是一种典型性相对来说比较高的在碳基化合物所包含的范围之内的半导体材料，其本身所具有的导热性能相对于其它类型的半导体材料来说稳定性是相对来说比较强的，所以在某些对散热性要求相对来说比较高的领域中得到了较为广泛的应用，现阶段碳化硅这种半导体材料在太阳能电池、发电传输以及卫星通信等各个领域中得到了比较深入的应用，在此之外，碳化硅这种半导体材料在军工行业中所得到的应用也是相对来说比较深入的，在某些国防建设相关工作进行的过程中都使用到的了大量的碳化硅。因为和碳化硅这种材料相关的产业的数量是相对来说比较少的，现阶段我国碳化硅行业发展进程向前推进的速度是相对来说比较缓慢的，但是现阶段我国经济发展进程向前推进的过程中所重视的向着环境保护型的方向转变，碳化硅材料能够满足这一要求，所以我国政府有关部门对碳化硅这一种创新型的半导体材料越发的重视了，随着半导体行业整体发展进程不断的向前推进，在不久的将来我国碳化硅行业的的发展一定会取得相对来说比较显著的成果的。

5 对现阶段我国所研发出来的创新型半导体材料氧化锌的发展趋势进行分析

作为一种创新型的半导体材料，氧化锌在光学材料以及传感器等各个领域中得到了较为广泛的应用，因为这种创新型的半导体材料具有反应速度相对来说比较快、集成度相对来说比较高以及灵敏程度相对来说比较高等一系列的特点，和当前我国传感器行业发展进程向前推进的过程中所遵循的微型化宗旨相适应，因为氧化锌这种创新型的半导体材料的原材料丰富程度是相对来说比较高的、环保性相对来说比较强、价格相对来说比较低，所以氧化锌这种创新型的半导体材料在未来的发展前景是相对来说比较广阔的。

6 结束语

现阶段我国经济发展进程向前推进的速度是相对来说比较稳定的，并且当今我国所处的时代是一个知识经济的时代，人们对半导体设备中所需要使用到的半导体材料提出了更高的要求，针对半导体设备中所需要使用到的半导体材料展开的相关研究工作的力度也得到了一定程度的提升，摩尔定律在现阶段电子科学技术发展进程向前推进的过程中仍然是适用的，随着人们针对半导体材料展开的研究相关工作得到了一定的成果，使用创新型半导体材料的半导体设备的性能得到了大幅度的提升，相信在不久的将来，半导体材料市场的变化是相对来说比较大的。

参考文献

[1]王欣.电子科学技术中的半导体材料发展趋势[J].通讯世界，2016，08：237.

[2]王占国.半导体材料发展现状与趋势[J].世界科技研究与发展，

1998，05：51-56.

[3]杨吉辉.光伏半导体材料和Cu基存储材料的第一性原理研究[D].复旦大学，2013.

[4]张绍辉，张金梅.主要半导体材料的发展现状与趋势[J].科技致富向导，2013，12：72.

[5]蒋荣华，肖顺珍.半导体硅材料的进展与发展趋势[J].四川有色金属，2000，03：1-7.

篇2

关键词：

光电信息；功能材料；研究进展

随着我国科学技术的日新月异，有力的推动着社会的发展与进步。光电信息功能材料作为新材料，能够得到充分的研发，并广泛应用于社会众多行业领域中。在光电子时代背景下，光电信息功能材料具有稳定性的良好性能，在社会众多行业领域中的应用，有着良好的发展前景。目前，我国关于光电信息功能材料的研究进展主要表现在光折变材料、半导体材料、纳米材料等方面，能够在一定程度上推动我国电子时代的发展进程。1光电信息功能材料的概述在信息时代背景下，材料领域的研究更为广泛，走在国家科研的前沿之路，为现代化科学奠定坚实的基础条件。光电信息功能材料的研究，主要以量子论为基础，相关人员对电子物理运动规律进行一系列探究，偶助于推动光电信息技术的研究和开发。基于此，光电信息功能材料得以开发和应用，主要包括光折变材料、半导体材料和纳米材料，其信息存储容量更大，且信息传输和处理速度更快，适应我国社会发展和人类进步的发展趋势，同时能够在一定程度上促进信息技术的发展[1]。

1光电信息功能材料的制备方式

目前，光电信息功能材料受功能、尺寸等因素的影响，使其制备方式可能存在差异性，因而能够适应于不同社会领域的实际需求。但是，就光电信息功能材料制备方式而言，主要表现在微波反应烧结、溅射法、PCVD等。通过合理方式对光电信息功能材料的制备，可以增强材料的性能和充分发挥其积极作用，有助于推动我国光电信息技术的快速发展[2]。

2光电信息功能材料的研究进展

2.1光电信息功能材料之光折变材料

光折变材料是光电信息功能材料之一，主要是在光的照射下，发生电荷转移，形成空间电场，最终在电光效应的影响下而产生的光电材料。光折变材料在人类社会众多领域中有着广泛的应用。现阶段，我国关于光折变材料的研究主要表现在数据存储、测量、光放大、图像处理等方面。对于光折变材料而言，主要包括无机光折变材料和有机光折变材料两种。首先，无机光折变材料主要有三类，分别为：以LiNbO3、BaTiO3为主的铁电晶体；以Bi12GeO20为主的非铁电体；以GaAs、CdTe、CdSe为主的化合物半导体。其次，有机光折变材料中，聚合物的应用更具优势，在社会众多领域中有着广泛应用，其发展空间较为广阔，能够为相关技术人员创造良好的条件。总之，随着光折变材料的研究进程加快，相关科技人员能够通过聚乙烯咔唑对图像进行识别，为后期三维体全息图存储奠定良好条件，同时促进光电信息存储的广泛应用。

2.2光电信息功能材料之半导体材料

半导体材料是导体材料和绝缘体材料之间的一种材料，能够实现电能和光能之间的相互转换。新时期，我国对半导体材料的研究相对较多，且该材料的应用范围较广。其研究进展主要表现在以下方面：首先，硅微电子技术材料。该材料是制成半导体集成电路、光伏太阳能电池的重要材料，属于我国新能源产业。随着硅材料技术的不断发展和应用，促进硅材料产业的快速发展。其次，对量子级联激光器材料的研究，该材料主要在光通信、移动通信等领域中有着广泛的应用，能够在一定程度上推动着人类工业化的发展进程。最后，对光子带隙材料的研究相对较多[3]。

2.3光电信息功能材料之纳米材料

纳米技术近年来比较热门的研究话题，而纳米光电材料是光电信息功能材料的重要组成部分。光能与电能、化学能等能源之间转换过程中，可以形成全新的纳米材料，在社会众多领域中的应用，具有一定的优势，如发展前景良好、性能优良等，尤其在光的通信、存储中有着更为深入的应用。现阶段，我国对纳米光电材料的研究相对较多，并取得良好的进展。在纳米电子器件的发展条件下，纳米光电子学得以快速发展，其研究领域主要表现在：一是关于纳米粉末在光电探测器中应用的系列研究，二者能够相互作用，且纳米粉末可以改善SOI的不良性能；二是对一维纳米材料应用的相关研究；三是对纳米硅薄膜应用的研究，其独特性质，能够充分发挥量子尺寸效应，有助于科技人员对纳米光电材料的深入研究。

3结论

随着社会的发展与进步，科学技术日新月异，造福于人类。近年来，光电信息功能材料的研究有较大进展，取得良好的成果，能够以光电为信息载体，促进人们对量子物理的深入研究。由于光电信息功能材料能够在人类社会生活众多领域中有着广泛的应用和充分发挥其积极作用。所以，相关人员有必要加强对光电信息功能材料研究进展问题的研究，能够为相关科技人员提供有力的参考依据，有助于推动光电信息功能材料的研发进程。

参考文献：

[1]王智玮，刘丽媛，陈润锋，等.基于芳香性聚酰亚胺的光电功能材料及器件研究进展[J].科学通报，2013（26）：2690-2706.

篇3

2、受益半导体行业规模的扩张；

3、强势研发团队掌控核心技术。

上海新阳半导体材料股份有限公司（以下简称“上海新阳”，代码300236）专业从事半导体行业所需电子化学品的研发、生产和销售服务，并致力于为客户提供化学材料、配套设备、应用工艺、现场服务一体化的整体解决方案。产品主要包括半导体封装领域所需的引线脚表面处理电子化学品，晶圆镀铜、清洗电子化学品及与它们配套的设备。

财务数据显示，2008年-2010年，上海新阳净利润分别为1956.73万元、2887.79万元、3337.22万元，体现了良好的成长性。此次公司拟公开发行2150万股，募集资金1.75亿元用于原有产品产能的扩张及技术研发中心的建设。项目实施后，预计将年增半导体专用化学品产能3600万吨，发展前景广阔。

行业佼佼者客户覆盖广泛

截至2010年年底，上海新阳已经具备了3000吨/年的电子化学品产能，下游拥有超过120家的客户，遍布华东、华南、东北、西北等全国各地。同时，公司还通过了多家国内以及国际知名的半导体封装企业严格的供应商资格认证，知名企业如长电科技、通富微电等都是上海新阳的固定客户群体，在新产品的研发和产业化方面都建立了长期的合作伙伴关系。

以上仅仅是在半导体封装领域的客户，在芯片制造领域，公司也同如中芯国际、江阴长电等高端芯片制造企业建立了合作关系。

上海新阳是中国集成电路封测产业链技术创新联盟理事单位，国家02重大科技专项科研任务的承担单位之一，在国内的半导体材料业内具有突出的行业地位。行业佼佼者加上与各领域的知名企业的长期合作将极大得保障公司未来稳定的收入来源。

受益半导体行业规模扩张

半导体行业作为电子信息高新技术产业的核心，未来仍将会有较快的发展，而对电子化学品的需求也将随着半导体行业规模的扩大而增加。根据中国半导体协会的预测，2013年引线脚表面处理所需的电子化学品的市场规模可达10亿元，而据Yole Development2009年10月的预测，2015年晶圆镀铜、清洗电子化学品市场规模可达10亿美元。

未来，在国家相关产业政策的支持下，利用本土竞争优势，公司产品对进口产品的替代以及相关产品技术储备的市场推广进程的加速，上海新阳的市场地位将进一步突出、稳固。在此背景下，上海新阳未来将极大得受益于行业规模的扩大。

强势研发团队掌控核心技术

篇4

随着我国经济的发展，我国的电力企业也取得了较大的发展，这种情况下电力技术的发展，不仅能够优化供电结构和形式，还能带动企业的更好更快的发展，下文中笔者将从几个方面，就我国电工新技术的发展现状进行分析。

1超导体和半导体材料在电力工业中被广泛的应用。下超导体和半导体材料的应用可以分为以下几个阶段，下文中笔者将进行详细论述。a.20世纪60年代初，实用超导体被研发出来并且应用于电工领域，至此超导体材料进入了电工生产，以其应用中的优势逐渐的取代了其他材料。尤其是20世纪80年代中后期，高临界温度的超导体的发现，更奠定了超导体材料在电工生产中的地位。b.半导体的发现和应用给电力设备和仪器提供了新型的电子元件，使得电力设备在不断的发展过程中，向着自动化前进。

2计算机和微电子技术在电力工业中被广泛的应用。下文中笔者将对该问题进行详细的分析：a.电磁场的数值计算对于电力设备的发展有着非常重要的意义，也是近些年来有关单位和部门的研究重点，而计算机技术的应用使得这一计算中的复杂分析和精密实验问题都得到了解决，大大的推动了电磁场的数值计算的发展。b.数控系统的发展同样使得电机控制向着更加自动化和全面化的方向发展，使得电机系统的整体使用功能得到了很大的提升。c.电力电子技术作为能源扩展的一个重要的技术，对于提高用电效率和能源的使用率都有着非常重要的意义。

对电工新技术未来的展望

上文中我们分析了电工新技术的发展的必要性和基本现状，下文中笔者将结合自己的工作经验，分析未来我国的电工新技术的发展的趋势和方向，并将其同新能源的开发和利用结合起来进行探讨。

1太阳能发电技术。太阳能作为目前最受瞩目的新能源，其发电技术对于日后的新能源的发展和使用有着非常重要的意义。因为太阳能的获取的便利以及利用形式的多样化，使得其在众多的新能源中成为了开发重点。而太阳能的使用也将很大程度上改变现有的能源利用方式，所以太阳能发电技术的未来发展前景是十分广阔的。

2风能发电技术。风能作为新能源的一种，其最主要的应用特点就是其具有较好的清洁性和可再生性，因此也被广泛的应用于新能源的开发领域。就目前风能的发展速度来看，已经超越了太阳能，成为了世界上发展最快的可再生能源，我国对于风能的发展也给予了多种政策上的支持，所以风能发电将会取得更好的发展成就。

3核能发电技术。受控核聚变的发展以及利用可以提供取之不竭的清洁能源，从根源上解决经济与能源和环境的协调发展问题。核聚变具有极为重要的科学现实性，它依靠核工业技术以及电工新技术的结合，为能源的利用提供更加便利的方式，核聚变电站的建立还可以促进新兴电工产业的发展。

4水力发电技术。我国的水力资源比较丰富，在水力资源集中的中南以及西南地区已经建成了多所发电站。对于水力资源未来的发展以及开发规划已经进行了较为详细的策划和前期的准备工作。重点对金沙江以及黄河上游和湘西等水电基地进行开发，这样就可以在最大程度上对可开发的资源进行利用，促进水力发电技术的发展。

篇5

关键词：薄膜太阳电池；光伏；分类；概况

1.引言

目前，市场上的太阳能电池以单晶硅、多晶硅为主，但其工艺复杂，成本^高，而成本一直是光伏产业能否大范围普及的关键。薄膜太阳能电池能够大幅度降低电池成本，近年来得到了较快的发展。

2.薄膜电池分类以及发展

薄膜太阳能电池具有多种分类[1]，按照吸收层材料，可分为硅系、多元化合物和有机薄膜太阳电池。硅系薄膜主要包括非晶硅薄膜，多晶硅薄膜；多元化合物薄膜主要包括III-VI族二元化合物，如碲化镉、硫化镉薄膜；III-V族二元化合物，如砷化镓、磷化铟薄膜太阳电池；I-III-VI2族三元化合物，如铜铟硒、铜铟硫薄膜；有机薄膜主要包括染料敏化剂薄膜和聚合物薄膜。上述的电池的结构以及优点各不相同，分别进行介绍。

2.1硅系薄膜太阳电池

硅薄膜太阳能电池按照材料可细分为非晶硅、多晶硅和微晶硅薄膜太阳电池；其中以多晶硅薄膜太阳电池的应用最为广泛。

2.1.1非晶硅薄膜太阳电池

1976年，非晶硅薄膜太阳电池由RAC实验室的Carlson等研制成功，也是最早实现商业化[2]。随后，其得到了较快的发展。钟迪生等采用等离子体化学气相沉积法特别是RF辉光放电法制作高质量的非晶硅薄膜；United Solar Ovonic完成了面积929cm2的a-Si薄膜太阳能电池，转换效率达9.8%，利用减反射层可使小面积的电池效率达到12%；日本的Ichikawa等使用柔性树脂薄膜衬底，利用roll-to-roll CVD在50cm×1km的树脂基底上制备a-Si/a-SiGe太阳能电池，效率达10.1%；日本中央研究院制的的非晶硅电池的转化效率已经达到13.2%。

国内，中科院半导体所研制的玻璃衬底非晶硅单结太阳能电池，效率达11.2%；南开大学薛俊明等采用PECVD技术制备非晶硅顶电池，采用甚高频PECVD技术制备出微晶硅底电池，研制出效率达9.83%的薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳能电池；美国国家再生能源实验室利用堆叠技术，制得三结叠层太阳能薄膜，转换率达到12%。但是非晶硅的带隙为1.7eV，对应吸收波长为730nm，与太阳光谱长波区域不匹配，理论上限制了其转换效率的提高。此外，随光照时间的延长，转化效率会明显衰减。目前，稳定的单结非晶硅薄膜太阳能电池的转换效率最高达9.5%，而量产的效率只维持在8%左右。

2.1.2多晶硅薄膜电池

多晶硅薄膜太阳电池以生长在衬底上具有纳米尺寸和具有不同晶面的小晶粒构成的多晶硅薄膜作为吸收层，通常可以采用化学气相沉积法、液相外延法、金属诱导晶体法、非晶硅薄膜固相晶化法或等离子喷涂法形成。Kaneka公司设计的STAR结构的多晶硅薄膜电池，效率已经达到了10.7%，厚度小于5um，并且无光致衰减现象；另一种SIO结构的多晶硅薄膜电池100cm2，获得了14.22%的效率；H.orikawa等制备出了效率高达16%的多晶硅薄膜电池；日本三菱公司用该法制备电池，效率达到16.42%。德国费来堡太阳能研究所采用区域在再结晶技术在Si衬底上制的多晶硅电池转换效率为19%。理论计算表明，多晶硅薄膜太阳能电池的最高效率可达28%。与单晶硅电池相比，多晶硅薄膜电池厚度约为前者，大大的降低了生产成本，且在长波段具有高光敏性，吸光好，稳定性高，无光致衰退效应，制作工艺简单，具有广阔的发展前景。

2.2多元化合物薄膜太阳电池

2.2.1II-VI族薄膜电池

在II-VI族化合物半导体材料主要包括碲化镉、硫化镉，用该半导体制作的太阳能电池有很高的理论转换效率。CdTe薄膜电池通常以CdS/CdTe异质结作为吸收层，填充因子高达FF=0.75，并且其容易沉积得到大面积的薄膜，沉积速率也较高，膜的厚度通常为1.5-3μm。因而CdTe薄膜电池制造成本也得以大大的降低低，应用前景良好。它已经成为欧美、日、韩等国研究开发的主要对象。托莱多大学的鄢炎发博士采用溅工艺制得效率为14%的碲化镉太阳能电池；采用近空间升华法制得效率高于15.8%的碲化镉太阳能电池。在国内，四川大学太阳能材料与器件研究所的冯良恒，制备出转换效率高达11.6%的碲化镉薄膜太阳能电池，进入了世界先进行列。CdS半导体具有纤锌矿结构，属于直接带隙半导体材料，带隙宽度为2.4eV，光吸收系数较高，透光性好，主要用于薄膜太阳电池的n型窗口材料，可以与碲化镉、铜银硒形成良好的异质结结构。但是，由于Cd元素对环境污染严重，阻碍了CdS/CdTe电池的应用。

2.2.2I-III-VI2族化合物薄膜太阳电池

I-III-VI族化合物半导体是指以具有黄铜矿、闪锌矿晶体结构作为吸收层的太阳电池，通常可以掺入即形成四元化合物半导体吸收层。I-III-VI2族化合物半导体的研究集中在CuInSe2、Cu（In，Ga）Se2、CuInS2等材料，上述半导体材料具有禁带宽度连续可调，吸收系数高的优点。日本昭和石油公司创下了CIS系薄膜太阳能电池转换效率的最高世界纪录，面积为864cm2的薄膜太阳电池转换效率为14.3%，该公司完成了使用该太阳能电池的日本第一个太阳能发电系统，使得该电池的实用化向前迈进了一大步。

国内，南开大学研发的电池光电转换效率已经达到14%，接近世界先进水平。目前，Cu（In，Ga）Se2薄膜太阳电池实验室最高转换效率达到了20.3%（3）。黄铜矿系薄膜太阳能电池是未来的太阳能电池主流产品之一，可广泛用于大型太阳能电站、节能楼宇玻璃及航空航天等军事用途，有着巨大的市场需求。

2.2.3砷化镓、磷化铟薄膜太阳电池

首次发现GaAs材料具有光伏效应在1954年，至今已有50多年。在1956年，LoferkiJ.J.研究探讨了制造太阳电池的最佳材料的物性；20世纪60年代，Gobat等研制出第1掺锌GaAs太阳电池，转化率仅为9%～10%；20世纪70年代，IBM公司和前苏联loffe技术物理所等研究单位，采用液相外延技术引入GaAlAs异质窗口层，降低了GaAs表面的复合速率，使GaAs太阳电池的效率达16%；不久，美国HRL等通过改了LPE技术使得电池平均效率提高到18%，并实现了批量生产；从上世纪80年代后，GaAs太阳电池技术经历了从LPE到MOCVD，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构的几个发展阶段，其发展速度日益加快，效率也不断提高。目前实验室最高效率已达到50%，产业转化率可达以上30%。

2.3有机薄膜太阳电池

有机太阳电池主要包括染料敏化、聚合物薄膜太阳电池，其原理与光合作用类似，通过载有染料的半导体电极将光能转换为电能。早期以载有单层染料分子的平板电极作为吸收层，转换效率较低。1991年Gratzel教授首次使用载有染料光敏剂的多孔TiO2替代平板电极，将转换效率提高到了 7.1%。从此，染料敏化薄膜太阳电池得到了较快的发展。2001年澳大利亚STA公司建立了第一个DSCS工厂；2003年台湾工业技术研究院能源研究所开发出纳米晶体染料敏化薄膜太阳电池，将光电转换效率提高到了8%-12%；2004年日立成功研制了大尺寸染料敏化薄膜太阳能电池，光电转换效率达9.3%；同年，Peccell Technologies公司开发出高压（4V）的染料敏化纳米晶薄膜太阳电池，可作为下一代薄膜电池。目前，染料敏化薄膜太阳电池实验室最高效率达到了11.4%。

与染料敏化薄膜太阳电池相比，有机聚合物薄膜电池具有柔韧性好、成本低廉、容易加工等优点，其研究处于刚刚起步阶段，使用寿命和电池效率不能和其他成熟的电池产品相比。目前，有机聚合物薄膜电池实验室光电转换效率为10%左右。

3.小结

综上所述，薄膜太阳能电池在节约能源、降低成本方面具有较大的优势与发展前景。但薄膜太阳能电池的转换效率还有进一步提升的空间，通过不断出现的新技术，如量子点、纳米表面结构、背反射技术等等，将会进一步提升电池效率，推动薄膜太阳电池上一个新的台阶。

篇6

勤奋钻研，铸就科研里程碑

早1995年大学毕业后，胡鉴勇在家乡的一所中学担任了9年的化学教师；2004年留学于日本佐贺大学获得工学博士学位，随后进入日本山形大学有机光电子研究中心，OLED研究世界权威科学家城户淳二教授（Prof. Junji Kido）研究室进行博士后研究，并在日本世界级科研中心-日本理化学研究所RIKEN，跟随著名有机半导体材料科学家龙宫和男教授（Prof. Kazuo Takimiya）从事特别研究员工作；2015年由陕西师范大学以海外高层次人才-陕西省“百人计划”特聘教授身份引进到陕师大材料科学与工程学院工作。

“勤奋、刻苦、创新、突破”是胡鉴勇博士的特点，在日本求学工作期间，他参与过一项日本国家研发课题（高效有机电子器件研发），承担过日本文部科学省、日本新能源和产业技术开发机构（NEDO）和日本科学技术振兴机构（JST）资助的多项研究课题。

在有机深蓝荧光材料的研究方面胡鉴勇博士贡献卓著。高效率的深蓝发光能最大限度地提高全彩显示品质或照明的显色指数，有效降低OLED显示器的功耗，开发性能好的蓝光材料，尤其是具有高的发光效率和CIE色度坐标Y值小于0.10的深蓝光材料对于实现高性能的OLED器件意义重大，胡鉴勇博士设计合成了一类新的蒽类衍生物―基于双蒽的D-A型深蓝延迟荧光材料，通过对传统的蓝光始祖材料蒽分子进行一系列结构上的修饰，包括采取苯基为中心桥链和pi共轭阻隔基团，在其对位上分别引入以单蒽为核的电子供体单元（D）和电子受体单元（A），形成了具有独特的双蒽结构的D-A型材料分子，以该类材料为发光体，成功实现了满足高清晰度电视（HDTV）蓝光标准的高效率器件，对实现高性能OLED器件具有“里程碑”式的创新意义。该工作发表在材料领域国际顶尖期刊《先进功能材料》上（Adv. Funct. Mater. 2014， 24， 2064），并入选SCI高被引论文（top 1%）。

在空气稳定的、高迁移率的双极性有机半导体材料的研究方面胡鉴勇博士成绩斐然。开发空气稳定的、高迁移率的n型和双极性有机半导体材料，是实现高性能OFET的前提。胡鉴勇博士和团队成员一起合作开发了一种全新的电子受体单元―萘并二噻吩二酰亚胺（NDTI），以其为共聚电子受体中心的D-A型聚合物实现了空气稳定的，高迁移率的n型和双极性有机场效应晶体管，该成果发表在美国化学会上（J. Am. Chem. Soc. 2013， 135， 11445），并入选SCI高被引论文（top 1%）。以此为契机，胡鉴勇博士进一步基于NDTI发展了新型双极性有机小分子材料，并实现了空气稳定的、可溶液加工的、高迁移率的双极性有机场效应晶体管和互补逻辑电路（J. Mater. Chem. C， 2015， 3， 4244； Chem. Mater. 2015， 27， 6418）。

在非富勒烯受体材料的研究方面胡鉴勇博士成效显著。近些年来，以聚合物电子给体和富勒烯电子受体材料为活性层的本体异质结太阳能电池取得了巨大的进步，但由于富勒烯价格昂贵、吸收光谱和能级调制较为困难，开发高效的n型聚合物电子受体材料来替代富勒烯备受业界关注。胡鉴勇博士开发的基于NDTI的有机小分子和聚合物，作为非富勒烯受体材料，在全聚合物OPV器件中取得了较好的光电转换效率（ACS Macro Lett. 2014， 3， 872）。

迄今为止，胡鉴勇博士以第一作者或通讯作者在Adv. Funct. Mater.； J. Am. Chem. Soc.； Chem. Commun.； Org. Lett.； J. Mater. Chem. C.； Chem. Eur. J.；和J. Org. Chem.等国际著名学术期刊上共发表SCI论文30余篇，受邀撰写英文论著1章， 在国际学术会议上作讲演报告20余次，多次受邀在国内著名大学和学会上做学术交流报告，申请日本专利多项，已授权2项。多年来作为一名有机光电子材料领域的科研人员，胡鉴勇博士兢兢业业、孜孜以求，以自己的实际行动为铸就科研力量不断添砖加瓦。

迎接挑战，提升人生新高度

“十年弹指一挥间”，十年前为了提升人生高度，丰富人生阅历，胡鉴勇博士以34岁的“高龄”选择自费出国留学路，付出了常人难以想象的的艰辛和努力；十年后怀揣着拳拳赤子之心，胡鉴勇博士毅然谢绝多家日本和国内公司的诚意邀请，选择了陕西师范大学作为自己事业发展的新平台。

篇7

LED(Lighting Emitting Diode)即发光二极管，是一种半导体固体发光器件。它是利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色的光。

发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为p-n结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。目前，发光半导体材料主要由III-V族元素组成，例如磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)，氮化镓等等。

1 LED特点

LED的内在特征决定了它是用最理想的光源去代替传统的光源，有着广泛的用途。

(1)体积小。LED基本上是一块很小的晶片被封装在环氧树脂里面，所以它非常的小，非常的轻。

(2)耗电量低。高节能:LED耗电非常低，一般来说LED的工作电压是2 V~3.6 V。工作电流是0.02 A~0.03 A。这就是说:它消耗的电不超过0.1 W。

(3)使用寿命长。在恰当的电流和电压下，LED高亮度、低热量，比HID或白炽灯更少的热辐射，有人称它为长寿灯，意为永不熄灭的灯。

(4)环保。LED是由无毒的材料制成，不像荧光灯含水银会造成污染，同时LED也可以回收再利用。

(5)坚固耐用。LED是被完全的封装在环氧树脂里面，它比灯泡和荧光灯管都坚固。灯体内也没有松动的部分，这些特点使得LED可以说是不易损坏的。同时LED可控性强，可以实现各种颜色的变化。

基于LED光源的以上优点，笔者认为应当推广使用LED，以此达到节约电力资源的目标。

2 具体应用

2.1 用作信号灯

LED信号灯较传统信号灯有着明显的优势:

(1)由于LED发出的光束是向前的并具有一定发散角，这样就可以不必像白炽灯需要加装反光碗。而且LED本身发出的是色光，可根据实际情况随意调节设置所需颜色，达到区别辨识的不同目的，减少重复设置多色彩灯的麻烦，提高光利用率。

(2)工作寿命长，为5～10年，维修保养费用低。而传统信号灯每年至少需要更换3~4次，维修保养费用高，需要耗费相当的人力和精力钻研此项工作。

(3)功耗小，一般约仅为白炽灯光源信号灯的10%～20%，这一点是符合国家的相关能源政策。

(4)由于单个LED仅为整个信号灯灯盘殊的一个发光单元，只要信号灯线路板设计合理，即使个别LED烧毁，也不会影响别的LED发光单元，从而影响信号灯整体效果。

2.2 用在照明领域

2.2.1 耗电量少

LED单管功率0.03 W～0.06 W，采用直流驱动，单管驱动电压1.5 V～3.5 V，电流15 A～18 A，反应速度快，可高频操作。在同样照明效果的情况下，耗电量是白炽灯泡的1/8，荧光灯管的1/2，初步估计，如采用光效比荧光灯还要高两倍的LED替代该矿一半的白炽灯和荧光灯，每年可节约35%的现用照明电量。

2.2.2 使用寿命长

普通照明光源采用电子光场辐射发光，有灯丝发光易烧、热沉积、光衰减等缺点。而采用LED灯体积小、重量轻，环氧树脂封装，可承受高强度机械冲击和震动，不易破碎，平均寿命达10 万h。

2.2.3 安全可靠性强

发热量低，无热辐射，冷光源，可以安全触摸;能精确控制光型及发光角度，光色柔和，无眩光;不含汞、钠元素等可能危害健康的物质。内置微处理系统可以控制发光强度，调整发光方式，实现光与艺术结合。

2.2.4 有利于环保

LED为全固体发光体，耐震、耐冲击不易破碎，废弃物可回收，没有污染。光源体积小，可以随意组合，易开发成轻便薄短小型照明产品，也便于安装和维护。

3 应用前景

篇8

组长：吴晓平

成员：何艳霞

张 莉

董蓝娟

关春燕

张瑞芳

郑芳丽

顿 丹

郭 露

谈判背景资料：

天津半导体工厂欲改造其生产线，需要采购设备、备件和技术。适合该厂的供应商在美国，日本各地均可找到两家以上。正在此时，香港某生产商的推销人员去天津访问，找到该厂采购人员表示可以为该厂提供所需的设备和技术。由于香港客商讲中文，又是华人，很快关系就熟悉了。工厂表示了采购意向，但由于香港生产商的知名度较低，天津半导体工厂对其产品一直存有疑虑，于是答应安排一次谈判，对相关事宜进行商谈。我们第五组在主谈人员吴晓平的带领下，与第六组即香港供应商进行谈判。下面是我们在与其谈判前做的调查工作： 公司企业背景资料：

天津中环半导体股份有限公司是一家集科研、生产、经营、创投于一体的国有控股高新技术企业，拥有独特的半导体材料-节能型半导体器件和新能源材料-新能源器件双产业链。该公司是在深圳证券交易所上市的公众公司，股票代码002129。注册资本482,829,608元，总资产达20.51 亿。年销售额超过2亿元,产品行销全国并远销海外18个国家和地区。高压硅堆产销量居世界第1位，国际市场占有率达到43%，国内市场占有率达到57%。微波炉用高压硅堆国际市场占有率达到55%。 在单晶硅材料领域，形成了以直拉硅棒、区熔硅棒、直拉硅片、区熔硅片为主的四大产品系列，是中国硅单晶品种最齐全的厂家之一, 区

熔硅单晶的国内市场占有率在65%以上，产量和市场占有率已连续5年居国内同行业首位，产销规模居世界第三位 ， 公司现有专利技术15项，专有技术200多项，形成了一系列自主知识产权。公司致力于半导体节能和新能源产业，是一家集半导体材料-新能源材料和节能型半导体器件-新能源器件科研、生产、经营、创投于一体的国有控股企业，拥有全球独特的双产业链，是天津市高新技术企业，拥有1个博士后科研工作站、2家省部级研发中心。 且凭借独特的产业链优势、持续不断的技术创新能力和友好的商业界面，进一步完善以节能型产品和新能源产品为导向的产业格局，为股东、合作伙伴、员工创造最大价值，实现企业、社会、环境的可持续发展。

、市场环境调研：

自20xx年天津滨海新区纳入国家xx规划和国家发展战略，并批准滨海新区为国家综合配套改革试验区，天津的经济重新展现出活力，并被誉为中国经济第三增长极20xx年3月22日国务院常务会议，将天津完整定位为国际港口城市、北方经济中心、生态城市 ，从此京津之间的北方经济中心之争，终于落下帷幕。20xx年起，开始落户天津举办，汇聚了数千全球政界、商界和学界精英人士参与讨论世界经济议题，而夏季达沃斯论坛的永久会址位于建设中的北塘国际会议中心。截至20xx年，世界500强跨国公司已有150家在天津落地生根，投资项目共396个，合同外资额达81亿美元。[10] 中国社会科学院在

二、市场需求调研：

由于城镇居民收入水平大幅提高，居民消费水平也显著提高。20xx年天津市人均消费支出11,141元，比20xx年增长了57.5%。城镇居民的消费结构正在向享受型和发展型转变，故人们的消费观念也会随之提高，对高档品的需求会越来越高，所以该产品市场需求空间很大。

三、市场竞争状况：

公司单晶硅品种齐全，其中区熔系列单晶硅产品产销规模全球排名第三、国内市场份额超过70%，产量和市场占有率已连续多年居国内同行业首位;直拉单晶及硅片技术和产销规模方面居国内前列;抛光片产业采用国际一流的新技术、新工艺流程，独立开发具有自主知识产权的大直径硅抛光片生产技术，研发和产业化水平处于国内领先位置;太阳能硅材料产业经过产业化生产验证，与国内同行业相比单位兆瓦直拉晶体生长投资下降了33%以上，生产效率提高了60%以上，生产成本降低了25%以上;半导体整流器件产业经过多年技术创新的积淀，掌握了从芯片到封装的全套核心技术;节能型半导体功率器件产业在净化间设计、动力配套、装备水平、产品品种、产品技术方面均处于国内同行业领先水平。所以该公司潜力很大，能为它提供设备和技术的供应商有很多。如：1)罗姆(ROHM)半导体集团是全球著名半导体厂商之一，创立于1958年，是总部位于日本京都市的跨国集团公司。品质第一是罗姆的一贯方针。我们始终将产品质量放在第一位。历经半个多世纪的发展，罗姆的生产、销售、研发网络遍及世界各地。产

品涉及多个领域，其中包括IC、分立半导体、光学半导体、被动元件以及模块产品。在世界电子行业中，罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。罗姆十分重视中国市场，已陆续在全国设立多家代表机构，在大连和天津先后开设工厂，并在上海和深圳设立技术中心和品质保证中心提供技术和品质支持。在天津进行晶体管、二极管、LED、半导体激光、LED显示器的生产、在大连进行电源模块、热敏打印头、多线传感头、光电模块的生产，作为罗姆半导体集团的主力生产基地，源源不断地向中国国内外提供高品质产品。 2)美国国家半导体公司(National Semiconductor)简称国半或者国家半导体，成立于1959年，是著名的模拟和混合信号半导体制造商，也是半导体工业的先驱。公司总部设在美国加州。国半公司致力于利用一流的模拟和数字技术为信息时代创造高集成度的解决方案。它的生产网点遍布全球，在美国德克萨斯州、缅因州和苏格兰建有晶片制造厂，在马来西亚和新加坡建有检验中心和装配厂。美国国家半导体是先进的模拟技术供应商，一直致力促进信息时代的技术发展。该公司将现实世界的模拟技术与先进的数字技术结合一起，并利用这些集成技术致力开发各种模拟半导体产品，其中包括电源管理、图像处理、显示驱动器、音频系统、放大器及数据转换等方面的独立式设备及子系统。该公司主要以无线产品、显示器、个人计算机与网络，及各种不同的便携式产品为市场目标。NS(美国国家半导体公司)是推动信息时展的领先模拟技术公司。国半将真实世界的模拟技术和完美工艺的数字技术相结合，专注基于模拟技术的半导体产品，包括电源管理、图像技术、显示驱动器、音频、放大器和数据转换等领域的独立元件和子系统。国半关键的目标市场包括无线应用、显示器、PC、网络和各种便携式应用。 3)天津市环欧半导体材料技术有限公司是从事半导体材料硅单晶、硅片的生产企业。拥有40余年的生产历史和专业经验，形成了以直拉硅单晶、区熔硅单晶、直拉硅片、区熔硅片为主的四大产品系列，是中国硅单晶品种最齐全的厂家之一。

四、企业内部环境：

公司试验室具有SEM显微镜分析、X射线、SRP测试等高端分析设备和HTRB、PCT、热电阻等可靠性试验设备，能够满足半导体产品的大部分可靠性测试试验。公司还拥有版图设计、工艺与器件仿真等软件平台，可以提高新品开发的效率。功率器件事业部与国内外多家原材料供应商、光刻版制造公司、设计公司、封装/测试公司、设备制造商，等建立了长期的战略合作关系，可以为产品研发进行新产品的试作、量产等提供丰富的资源和强有力的支持，大大缩短研发流片周期，提高研发效率;

公司的高压硅堆优势明显：1)CRT电视机及显示器市场，公司市场占有率为60%，其余市场主要被日本富士电机公司、日本三肯公司、日本日立公司和江苏皋鑫电子有限公司等公司占据，在该领域公司在技术和市场方面具有绝对优势;

2)微波炉市场，公司占据了43%的市场份额;3)在CRT电视机、显示器以外的市场，日本公司具有传统形成的市场优势。国内主要同行厂家有：江苏如皋皋鑫电子有限公司、乐山无线电股份有限公司、重庆平洋电子有限公司、鞍山市电子电力公司。而公司20xx年的年销量达到7.3亿支，超过以上四个同行厂家年销量总和的一倍以上，规模优势明显。

单晶硅及硅片：公司与同行业竞争的优势主要表现在以下几个方面：1)多

晶硅供应有保障、区熔单晶硅具备全球意义的强大综合竞争力;2)直拉单晶硅具备国内意义的较强竞争力;3)拥有具有重大商业价值的专利及专有技术;5)产品品种齐全。公司与同行业竞争的劣势主要表现在产业规模小和资金投入少。

原料优势：从20xx年公司存货中的原材料情况看，主要为多晶硅、硅片和单晶硅棒，三项合计3879.49万元，占原材料总额的77.18%。多晶硅、单晶硅、硅片是公司生产的重要原材料。近年来，硅材料市场价格上涨，供不应求，拥硅为王已成业内共识，自20xx年初，公司开始增加硅储备。这是公司的一大明显优势，但是也是一个短期优势。

但是面对严峻的市场竞争状况，该公司仍然面临巨大的挑战，需要居安思危，具备忧患意识才能胜出。

五、谈判对象：

香港隆通设备有限公司，该公司刚成立不久，虽然可以提供我方所需的设备被和技术，但是知名度较低，公司的信誉和产品的质量都有待调查和研究。香港隆通有限公司的优势是发展迅速，有很大的发展前景。

商务谈判调研报告篇02：谈判实习报告本次的商务谈判实习，使我受益良多。首先就是让我明白了一个团队的重要性，个人的发展离不开团队。其次，通过商务谈判实习，使我对谈判有了更深刻的理解，这也为以后打下了良好的基础。最后，通过对商务谈判的实习也更加磨练了自我，增加了个人经历和阅历，学会了如何与团队合作与分享。

我在此次谈判中所扮演的角色是河南第一建筑集团有限责任工程的技术总监。技术总监一般负责一个企业的技术管理体系的建设和维护，制定技术标准和相关流程，能够带领和激励自己的团队完成公司赋予的任务，实现公司的技术管理和支撑目标，为公司创造价值!一个好的技术总监不仅要自身具有很强的技术管理能力，同时，也要有很强的技术体系建设和团队管理的能力，要对企业所在行业具有深入理解，对行业技术发展趋势和管理现状具有准确的判断。 同时作为一个技术总监，我认为不仅要对本公司的产品感兴趣，非常了解，还要博览其他公司的产品，不断创新，努力奋斗，为公司作出更大的贡献。

作为一个技术总监，我在这几天的实习过程中，通过对各个钢铁产品公司的产品与技术的对比，让我明白了，作为一个技术总监，对公司的产品富有重要责任，一个公司的产品质量必须合格，技术人员必须认真负责，技术的重要性对公司非常重要。同时也让我明白了，沟通的重要性，一个优秀的技术人员不仅需要过硬的技术，还必须有良好的沟通能力，协调各个部门，才能顺利的发展产品，才能更好的研发出更好的产品。

本次谈判让我感触最深的就是一个团队的合作精神。我们这个团队是一群有能力，有信念的人在特定在商务谈判的团队中，为了一个 共同的目标相互支持合作奋斗的。我们的团队可以调动团队成员的所有资源和才智，并且会自动地驱除所有不和谐现象。我们这个团队大家经过努力迸发出强大的力量。我们谈判组的总经

理，财务总监，采购部部长，总经理助理，法律顾问和技术总监，大家这个团队努力合作，各有分工，且分工明确，通过大家不懈的努力，通过资料不断的汇总，然后大家在一起不断的修改，再努力，技术分析报告，采购策划书，合同等资料相互总结，最终形成了一份完美的谈判策划书。

我们这个团队充分发扬了团队精神，通过实习让我明白了团队精神的意义和重要性，在一个组织或部门之中，团队合作精神显得尤为重要，在一个组织之中，很多时候，合作的成员不是我们能选择得了的，所以，很可能出现组内成员各方面能力参差不齐的情况，如果作为一个领导者，此时就需要很好的凝聚能力，能够把大多数组员各方面的特性凝聚起来，同时也要求领导者要有很好地与不同的人相处与沟通的能力。要加强与他人的合作，首先就必须保证集体成员是忠诚的，有责任心的，有意志力的，而且，还要有着对于自身团队的荣誉感，使命感。必须信任团队的所有成员，彼此之间要开诚布公，互相交心，做到心心相印，毫无保留;要与团队的每一个成员紧密合作，直到整个团体都能紧密合作为止;分析每一个成员完成工作的动机，分析他们的能力，针对我们每个人的问题，集思广议，多听听大家的建议，同时，我们相互谈论，谈判工作上工作上对大家有一定要求，做好团队成员之间的沟通和协调工作，使整个团队像一台机器一样，有条不紊地和谐运转。

篇9

中图分类号：TB34

新材料研制和国家科学技术与生产力发展密切相关，同时也是国家经济发展根本保障之一。在世界范围内，新材料研制是国家计划中的重点研究内容。本世纪正处于光电子时代，而光电信息功能材料不但有电子材料稳定性特点，还有光子材料先进性特点，广泛应用于电子时代，发展前景极好。

1 概述光电信息功能材料

信息科学发展进程中，材料研究作为技术发展先导，是发现与完善现代化科学规律重要基础。人们从量子论发展中得到原子中电子物理运动规律，特别是最外层的电子运动规律，最先研究的功能材料是金属，例如：不锈钢、有色金属、黑色金属和特殊钢材等，并且电子层次微观物理逐渐应用量子论。

其次，半导体材料开发和利用，电力材料的技术科学发展地位有所提高，研究功能材料是科学发现的前提保障，同时也是技术开发的物质基础，在整个科学技术领域中都有所体现。并且由于新兴起来的光纤技术，将激光技术和光纤技术结合使用，为发展信息技术奠定坚实基础。正是由于光存储和光集成技术，光电信息功能材料研究范围越来越广，走入到微观物理层次，覆盖包括无机和有机、金属和非金属、静态和非静态科学技术，将计算机应用在信息高智能存储，传输与处理方面，使得信息技术发展迅速。

2 光电信息功能材料研究重点

2.1 半导体光电材料

半导体介于绝缘体和导体之间的一种材料，半导体光电材料可将电能转化为光，将光转化为电，也可处理和扩大光电信号。21世纪上半叶至今，半导体量子和异质结构材料仍然把光电信息功能材料作为研发主要内容。

2.1.1 硅微电子材料。微电子技术基础是集成电路为主要核心的半导体器件，是一种高新电子技术。半导体光伏太阳能电池和集成电路主原材料，是新能源与信息基础。随着半导体产业和光伏产业迅速发展，我国硅材料规模迅速壮大和发展。并且，硅微电子信息功能材料与现代化信息时代相联系，其具有质量轻、可靠性高和体积小等特点。半导体硅微光电信息功能材料，可提高硅集成电路使用性能成品率，但是从成本角度分析，解决硅片直径的增大问题形成了一系列缺陷密度与均匀性变差。并且，从半导体器件特征性尺寸角度；硅集成角度来看，硅材料是未来研制方向。在锗化硅材料生长应变硅材料技术基础上，其可提高器件驱动的电流和晶体管速度，其广泛应用性可能会替代65nm以下的互补性金属氧化物的半导体电路主流技术。在硅材料技术应用的同时，人们也在研制双栅-多栅器件、高K栅介质、铜互连技术和应变沟道技术。目前，硅微电子技术难以满足庞大市场需求和信息量，需要在全新原理材料、电路技术和器件技术深入研究，例如：纳米电子技术、光计算机技术和量子信息技术。

2.1.2 量子级联的激光器材料。在通信和移动通信领域，广泛使用超晶格和量子阱材料，量子阱材料集分子束外延和量子工程为一体，打破了半导体使用限制性，真正体现出了国家纳米级量子器件的核心技术。并且其发展到现在，QCL在远红光外源、红外对抗、遥控化学和自由空间内通信等较为突出。QCL高新技术研究面也更加广阔，其中，可调谐中红外激光器在国外步入工业化阶段。

2.1.3 光子带隙功能材料。光子带隙材料常称为光子晶体，其具有介电函数、周期性变化调制材料的光子状态运行模式。根据周期性的空间排列规则和特点，光子晶体分为一维、二维与三维形式。重点分析二维光子晶体，半导体薄片堆层其可以进一步制出硅基二维光子晶体和高品质因数光子微腔含单量子点砷化镓基二维光子晶体微腔，有较广阔的应用空间。例如：借助于圈内反射可限制光电在晶体内的反应，也就是光子晶体反应，以便控制光色散；其次，光子晶体可制作出计算机芯片，计算机的运行和运算速度均有所提高。对于三维光子晶体，特别是可见光的三维光子晶体和近红外波受到一定条件限制，因此，制备工艺较难。

2.2 纳米光电功能材料

所谓纳米材料，其是粒子尺寸介于1-100纳米材料。纳米光电功能材料是将光能转化成化学能或电能一种纳米行材料，其发展前景广阔，性能好，被广泛应用于光存储、光通信、光电探测器和全光网络等方面。

尺度位于宏观物体和原子簇交接区域，纳米材料有小尺寸效应、表面效应、宏观量子隧道效应和量子尺寸效应，产生点穴、光学、化学、热血和磁学特征等，其中，表面效应属于纳米光电材料重要特征之一，粒子性能决定性因素是表面原子，当表面原子数量增加到一定范围内，原子数量越多，缺陷程度就会越大，纳米光电材料活性就越高。正是由于量子尺寸影响电学性质，纳米材料才会比一般性的光电材料光催化活性高。

2.3 光折变功能材料

光折变功能材料光照条件下会吸收光子，使电荷发生转移，形成一定的空间电场，进而借助于电光效应改变折射率。这种光电材料需要低功率就可以在室温下进行光学信息处理和运算，因此有很好的发展前景。人们对光折变材料进行高密度数据的存储、空间光调制、光放大、光学图像处理和干涉测量等研究，并随着对光折变效应深入了解和发现新型材料，使得光折变材料应用范围更加广泛。

3 光电信息功能材料制备方法

光电信息功能材料根据性能与尺寸的不同要求，因此包括有很多制备方法。常见的制备方法有：高温固相反应、溅射法、Sol-gel、PCVD、CVD等。

3.1 微波反应烧结

我国通过微波辐射法合成物质有硅酸盐、氧化物、硫化物、磷酸盐、钨酸盐和硼酸盐等荧光体，利用各种物质选择光激励，从而实现了温室光谱烧孔。

3.2高温固相反应

高温固相反应是使用最广泛的制备新型固体功能材料方式，我国上海硅酸盐研究所使用提拉法技术生产出闪烁BGO晶体，欧洲核子研究所用晶体制造出正负电子撞机电磁量能器，出口总量高达千万美元，经济效益很好。

3.3 溅射法

溅射镀膜法通过直流或者是高频电场让惰性气体形成电离反应，此过程产生辉光放电离子体，其正离子与电子对靶材进行高速轰击，溅射出靶材分子和原子，从而将这两种物质沉积在基材上，形成薄膜。

3.4 CVD（热分解化学气相沉积技术）

CVD主工艺过程是借助于过载气输送反应物到反应器中，并在一定反应条件下，发生一定的化学反应，形成颗粒大小的纳米。随着反应基质粒子和纳米颗粒共同沉积到基片上，形成一层薄膜。薄膜形式有：反应气体和气体扩散吸附于生长、扩散和挥发沉底表面，这种方法可制备出氟化物、氧化物和碳化物等纳米复合型薄膜。

4 结束语

光电信息功能材料开发与研究需要通过量子物理支撑，目前其限定于光子、电子、电波和光波为主要信息载体，对研究量子物理，分析光电信息功能材料有重要作用。

参考文献：

[1]王藜蓓，陈芬，周亚训.集中光电信息功能材料的研究进展[J].新材料产业，2011（05）.

篇10

【中图分类号】U472 【文献标识码】A 【文章编号】2095-3089（2012）04-0117-01

一、开设新专业的指导思想

在职业院校开设新的专业，应以市场为导向，以社会需求为准则，充分发挥地方资源优势和人才培养优势。积极地探寻市场、发现市场，把供需链条紧紧连在一起。在北京市同层次院校的专业中，做到人无我有，人有我强，人强我特，形成品牌，形成特色。专业设置逐步从“条件驱动”型向“发展需求驱动”型转变，即根据社会经济发展需求确定专业设置。从强调我能做什么，能培养什么样的人才，转变为强调需要我做什么，需要培养什么样的人才。本着以上指导思想，现提出开设微电子技术与器件专业的一些方案设想。

二、市场需求分析

微电子技术与器件专业，其就业导向涵盖了集成电路和半导体材料产业。根据首都“十一五”电子信息产业发展规划，集成电路、TFT?鄄LCD、计算机及网络设备、移动通信产业、数字电视产业、半导体照明材料产业和智能交通及汽车电子产业等7个产业是信息产业下一步发展的重点领域。其中集成电路排在了第一位，半导体照明材料排在了第六位。早在2000年，北京市委、市政府就首次向全球宣布：北京将建设中国北方微电子产业基地。从那时到现在，北京集成电路产业走过了蓬勃兴起的10年，初步建立起了集成电路设计、制造、封装测试以及装备材料互动协调发展的良好格局，确立了北京在全国集成电路产业中的重要地位。

以2010年为例，该年北京集成电路产业全产业链实现销售收入245亿元，比2009年增长了31%，产业规模是2000年的20倍左右，占全国的17%。在北京市，电子信息产业产品销售收入排名位居全市工业第一，占全市工业23%，而集成电路产业全产业链的销售就占了近四分之一。

目前，北京有各类集成电路设计企业约80多家，年总销售收入约90亿元，占全国的1/4。集成电路制造企业3-4（大型）家，实现总销售收入约60亿元，约占全国14%。集成电路封装测试企业2-3家（大型），实现总销售收入约90亿元，约占全国15%。集成电路装备制造企业3-4家（大型），实现销售20多亿元，多项装备在全国处于领先地位。另外，还建有生产集成电路关键原料的硅材料科研、生产基地。

当前，北京集成电路产业正迎来跨越式发展的新机遇。国务院2011年4号文为集成电路产业的发展提供优越的外部环境。相信要不了多久北京就会建成具有全球影响力的集成电路产业基地。

政府的大力支持，坚实的产业基础，广阔的发展前景，优惠的国家政策，可以说集成电路产业在北京具有得天独厚的条件。产业的发展必然伴随着人才的巨大需求，虽然集成电路产业是知识和资金密集型产业，但它同样需要大量应用型技术人才。比如集成电路设计，需要大量的程序录入和辅助支持技术人员；集成电路制造，需要大量的高科技设备仪器操作员、工艺技术员、质量检验员和设备维护技术人员；集成电路封装测试，同样需要大量的高科技设备仪器操作员、工艺技术员、质量检验员和设备维护技术人员。另外，半导体硅材料及单晶硅片的生产等，都需要大量的应用型技术人才。

三、可行性分析

在我院设置微电子技术与器件专业具有非常好的条件并且可行，其理由主要有以下几个方面：

1.我院在中专学校升高职院校之前，南校区就有这个专业。因此，在师资力量、教学资源、实训资源、招生分配等方面都有一定的基础和经验，设置微电子技术与器件专业可以说是驾轻就熟。

2.该专业的设置符合国家产业政策，契合北京“十一五”电子信息产业发展规划，因此，获得上级单位批准的几率大。

3.在北京“十一五”电子信息产业发展规划中，7个重点发展领域，集成电路产业排第一，半导体照明材料产业排第六，因此，设置该专业可获得国家和北京市资金的大力支持。

4.分配就业前景良好，正如市场需求分析中所提到的，集成电路产业在整个电子信息产业已经占到了四分之一左右，而且，今后将跨越式发展，必然需要大量的应用型技术人才，因此，该专业毕业学生的就业前景良好。

四、困难及解决途径

在我院设置微电子技术与器件专业也会遇到一些困难，仔细分析有以下几个方面：

1.生源问题。微电子技术与器件这一名称，属于比较新的科技名词，一般人在日常生活中很少接触，理解起来有一定困难，不知道这一专业到底学什么，毕业后干什么。因此，会出现专业招生困难，或招不到相对高素质的学生。

解决办法：一是改专业名称，起一个即通俗易懂，又能代表专业含义的名称，这有一定困难。二是加强宣传，在招生时，宣传材料、现场解说、视频资料等全方位进行，使考生了解北京市的产业政策和就业前景，提高对该专业的认知度。

2.实训问题。微电子技术与器件专业的实训环节比较困难，我们知道现在强调实训模拟真实场景，而集成电路产业链的工序非常多，每一道工序的设备仪器都非常昂贵，动则几百万，建立校内实训基地，场地和资金都是问题。

解决办法：一是计算机模拟，现在多媒体教学设备完善，各种模拟软件很多，通过购买和教师制作等方式来模拟实际工艺，替代昂贵的真实设备仪表。二是下厂实训，校企合作办学是学院发展的方向，我院有良好的基础和得天独厚的条件，北京分布着众多的集成电路设计、生产、测试企业可供我们选择实习参观，而且，我院已经和许多这方面的企业签有校外实训基地协议，如中国电子集团微电子所，北京飞宇微电子科技有限公司，中国科学院微电子所，燕东微电子有限公司等。我院应充分利用这一优势，解决微电子技术与器件专业的实训问题。

参考文献: