高场应力下晶格匹配In0.17Al0.83N/GaNHEMT退化研究

作者：任舰; 苏丽娜; 李文佳 期刊：《电子元件与材料》 2018年第12期

制备了晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),并通过施加一个持续的应力,研究了器件在不同源漏应力下的退化机制。结果表明:应力后器件主要参数如饱和漏电流、跨导峰值和阈值电压等均发生明显的退化,...

hemt 应力