磁控溅射制备MoS2/C复合薄膜及其结构表征

刘阳; 高立华 三明学院机电工程学院; 福建三明365004

关键词:磁控溅射 二硫化钼 复合薄膜 

摘要:采用单靶与双靶磁控共溅射技术,在非晶态石英玻璃基底上分别沉积生长了MoS 2薄膜及MoS 2/C复合薄膜.利用X射线衍射、拉曼光谱检测技术对MoS 2薄膜和MoS 2/C复合薄膜材料的结构进行表征,探讨了退火处理前后薄膜结构的变化.结果表明,通过脉冲和射频双靶共溅射制备的MoS 2/C复合薄膜,碳原子对二硫化钼的空隙进行了填充,经过400℃真空退火20分钟,获得了结晶度较好的MoS 2/C复合薄膜材料.

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