锰的硅化物薄膜在Si(111)-7×7表面的固相反应生长

王丹 邹志强 孙静静 赵明海 上海交通大学分析测试中心 上海200240 上海交通大学微纳科学技术研究院 上海200240

关键词:扫描隧道显微镜 固相反应 锰的硅化物 退火 

摘要:利用超高真空扫描隧道显微镜(STM)对沉积在Si(111)-7×7重构表面上的锰薄膜在300-650℃之间的固相反应进行了研究.锰原子最初在Si(111)衬底上形成锰的纳米团簇的有序阵列,经过300℃退火后,锰纳米团簇的尺寸增大并且纳米团簇阵列由有序变为无序;当退火温度达到400℃左右时,锰纳米团簇与硅衬底发生反应生成富锰的三维岛状物和由MnSi构成的平板状岛;500℃退火后生成物全部转变为MnSi平板状岛;650℃退火后生成物则由MnSi平板状岛全部转变为富硅的不规则的大三维岛,同时被破坏的衬底表面重新结晶形成7×7结构.

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