微纳电子技术杂志是由中国电子科技集团公司主管，中国电子科技集团公司第十三研究所主办的一本北大期刊。
微纳电子技术杂志创刊于1964，发行周期为月刊，杂志类别为科技类。
杂志介绍
微纳电子技术杂志
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主管单位：中国电子科技集团公司
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主办单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
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国际刊号：1671-4776
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国内刊号：13-1314/TN
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发行周期：月刊
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全年订价：￥244.00
杂志介绍
微纳电子技术杂志是由中国电子科技集团公司主管，中国电子科技集团公司第十三研究所主办的一本北大期刊。
微纳电子技术杂志创刊于1964，发行周期为月刊，杂志类别为科技类。
主管单位：中国电子科技集团公司
主办单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
国际刊号：1671-4776
国内刊号：13-1314/TN
发行周期：月刊
全年订价：￥244.00
关键词: 电介质材料 高k电介质 物理和电性能 纳米晶体管
Si MOS晶体管进入nm尺度后，原来通用的栅极介电材料SiO2已不能适应纳米晶体管继续小型化的需要，必须用高k栅极电介质材料取而代之。对Si纳米晶体管为什么要采用高良栅极电介质材料、此类材料的物理性能和电学性能、与Si之间的相容性以及材料中缺陷对其性能和器件的影响等一系列问题进行了论述，并且讨论了高k栅极电介质材料的进一步发展。
关键词: gan高电子迁移率晶体管 电流崩塌 脉冲测试 表面态
针对GaN HEMT电流崩塌物理效应，测试了各种条件下器件I-V特性。发现在栅脉冲条件下器件最大漏输出电流减小了23．8％，且随着栅脉冲宽度减小或周期增大而下降，并且获得了其输出电流与脉冲宽度W和周期T的定量关系；在漏脉冲测试条件下，器件输出电流有所增大，并随着脉冲宽度减小而缓慢增大。实验结果，可用器件栅漏之间表面态充放电的原理来解...
关键词: 感应耦合等离子体刻蚀 gan 刻蚀速率 选择比 垂直度
研究了用Cl2／BCl3，刻蚀GaN基LED中，工艺参数对GaN刻蚀速率、刻蚀侧壁和GaN与SiO2刻蚀选择比的影响。研究结果表明，刻蚀速率随着ICP功率和压强的增大先增大继而减小，随RF功率的增大单调增大；刻蚀选择比随ICP功率增大单调减小，随压强增大而增大。还研究了刻蚀速率和选择比与气体比例变化的关系。刻蚀SEM图表明，压强和RF功率增大会使刻蚀垂...
关键词: 偶氮聚合物 光存储 光致各向异性 光致双折射 信息技术
着重阐明了偶氮聚合物光存储纪录的原理，分析了其双折射特性的微观机制，介绍了该课题近年来实验和理论上的最新进展，对这一充满希望和挑战的多学科交叉研究专题作了展望。
关键词: 光刻技术 纳米压印 术语定义 成像技术 纳米级 硅衬底 光刻胶 物理学 图形
为了避免纳米压印光刻技术与光刻技术混淆，纳米压印光刻技术严谨的专业术语定义是：不使用光线或者辐射使光刻胶感光成形，而是直接在硅衬底或者其他衬底上利用物理学机理构造纳米级别的图形。这种纳米成像技术真正地实现了纳米级别的图形印制。
关键词: 纳米碳管 碳管振荡器 分子动力学 h2o或ne分子
采用分子动力学方法，分别对管芯没有填充和填充了H2O或Ne分子的纳米碳管振荡器的振荡进行了模拟。根据计算结果，讨论了H2O或Ne分子填充对碳管振荡器振幅衰减、振荡频率等振荡性能的影响。研究表明，H2O或Ne分子的填充加速了振荡器振幅的衰减，其中，Ne填充振荡器的衰减最为严重，无填充碳管振荡器的振荡性能最好，Ne填充碳管振荡器的性能最差...
关键词: 压电陶瓷致动器 高压运放 驱动电源
根据压电陶瓷致动器对其驱动电源的要求，利用高压运放设计研制了一种新型的驱动电源，通过对压电驱动器的实验研究表明，其具有精度高、性能稳定、分辨率高、纹波小和电路结构简单等优点，能够满足微定位系统中压电陶瓷驱动器的控制需要。
关键词: 卡西米尔力 零点能 微型推进器
微/纳机电系统（MEMS／NEMS）技术的发展，大大促进了航空航天领域飞行器的微型化。依据量子理论，有效提取真空中的零点能，并以此作为驱动能源，可以解决微型飞行器由于必须携带燃料而增加重量等问题。从理论上阐述了真空零点能及Casimir力的产生机理，研究了真空中两平行平板和矩形腔等结构设计依据，提出并建立了以Casimir力作为驱动力的微...
关键词: 纳机电系统 连续体 非线性模型 dufflng方程 阻尼
当MEMS谐振梁的尺寸进一步缩小到nm量级时，实验表明在外部激励的作用下，器件运动状态更容易从线性区进入到非线性区。考虑纳米梁的轴向非线性伸长因素，利用连续体弹性理论建立了物理模型，并利用该模型分析了纳米梁的幅频特性和纳米梁非线性产生的物理机制。分析结果与已有的实验报道结果相符。
关键词: 微型图元 激光 化学镀 活化 选择性镀膜
利用YAG脉冲激光在n型硅基底上制备出了铜化学镀薄层，由激光剥离形成的微型图元通过化学镀铜工艺在硅基底上形成铜的微型结构。在化学镀工艺过程中为了使得化学镀铜沉积能够连续进行，要对基底表面先进行活化。实验表明，预处理及其后的清洗工艺对选择性镀膜质量影响很大；采用丙酮或硝酸水清洗，有助于获得清晰的微型图元结构。
关键词: 全局平坦化 化学机械抛光 低k介质 机理 抛光液
针对常见的低南介质材料分析了其化学机械全局平坦化的机理，并进一步探讨了低南介质化学机械抛光中包括压力、磨料、pH值和温度在内的几个因素对于抛光速率和表面状态等方面的影响。
关键词: 薄膜工艺 生产工艺 fsi 验证 国际 应用 铂 镍 去除工艺 有限公司
FSI国际有限公司日前宣布：其PlatNiStrip镍-铂去除工艺已经通过几家全球最大的芯片制造商验证，并且应用在65nm技术器件的生产中。自2005年3月以来，FSI的PlatNiStrip工艺专门设计来为芯片制造商提供先进的自对准多晶硅化物结构，该项工艺已经引起了业界广泛的关注。
关键词: 英特尔公司 生产工艺 晶体管 密度 芯片 功耗 65nm工艺 开关速度
英特尔公司日前宣布制造出首款采用45nm生产工艺的芯片。与65nm工艺相比，最新的45nm技术在晶体管密度上提高了两倍，达到10亿个，开关速度提高了20％，而功耗却降低三成，且晶体管只有45nm见方。
关键词: 65nm工艺 nec电子公司 浸入式 开发 光刻 预计 高k材料 待机模式 工艺技术 网络系统
NEC电子公司开发出名为UX7LS的55nm节点工艺，采用了浸入式光刻和高k材料。该工艺可提供比65nm工艺在操作和待机模式下低十分之一的功耗。UX7LS是对65nm工艺的改进版本。通过将65nm工艺技术与高k薄膜结合，开发出了极限低功率LSI，该工艺将适于手机、移动消费类产品以及网络系统的LSI产品。
关键词: 英特尔处理器 接合技术 铜柱 芯片 微处理器 封装技术 印制线路板 可靠程度 机械能力 含铅量
英特尔65nm Presler及Yonah微处理器中广泛应用了铜柱块凸接合技术（CPB），把钢模连接到印制线路板。以前的英特尔处理器如Presscott，都是应用一般的覆晶技术，配有铅锡焊球。而在Presler及Yonah处理器中，英特尔改变了处理方法，运用了镀金铜柱组成了钢模及板面的连接。相比起覆晶封装技术，此包装降低了含铅量，对于无铅设备同样如此。覆晶...
关键词: 半导体公司 质量改进 电子材料 供应商 化学机械研磨 研磨技术 半导体产业 半导体制造 发明创造
罗门哈斯电子材料公司化学机械研磨（CMP）技术事业部是在化学机械研磨技术领域领先、一直从事发明创造的公司，它的产品供全球半导体产业使用，宣布荣膺Chartered半导体制造公司的“最优供应商质量改进大奖（Most Improved Supplier Quality Award）”。
关键词: 离子注入机 大剂量 65nm工艺 离子注入系统 can技术 optima 大流量 产量高 高剂量 可满足
Axcelis技术公司推出可用于大流量注入及亚65nm器件制造的Optima HD离子注入机。这种新型低能大剂量离子注入系统可提供200eV至80keV能量，采用高级点束技术进行注入，可确保晶圆上所有点从相同角度都能看到同一光束；该系统还使用Axcelis专有RadiusScan技术，产量高，剂量覆盖范围广，可满足传统及新型高剂量离子注入的要求。
关键词: 市场调查报告 semi 纳米电子 出版 设备供应商 global 硅微机械加工 光电传感器 电子行业 纳米器件
最近SEMI出版了市场调查报告“Global Nanoelectronics markets and Opportunities”，目的在于从更加广阔的电子行业角度明晰所面临的机遇。报告从当前的进展状况、重点发展区域、纳米器件商业化时间表、材料和设备供应商如何应对科技与市场需求等角度开展了138项深入调查，涉及半导体、显示器、硬盘存储、光电传感器、硅微机械加工、行业协会...
关键词: 纳米粒子 大量生产 技术 开发 韩国 分子组成 铁原子 工业学院 汉城大学 化学系
汉城大学工业学院应用化学系教授玄泽焕领导的研究小组，在实验中首先加热由铁原子和氯、水分子组成的原料物质，分离出作为纳米粒子核的铁原子。然后，使二次分离出的铁原子附于第一次分离出的铁原子表面，便制成了纳米级粒径的粒子。如果变换原料物质，则可制作出由锰、钴和锌原子组成的纳米粒子。
关键词: 碳纳米管 研究人员 以色列 制备 发明 原子级 不平整 蓝宝石 研究院
沿着蓝宝石表面下不平整的原子级台阶来制备碳纳米管，这是以色列魏兹曼研究院的研究人员新近发明的一种制备纳米管新方法。
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