期刊在线咨询服务, 立即咨询
真空电子技术杂志

杂志介绍

真空电子技术杂志是由中国电子科技集团公司主管,北京真空电子技术研究所主办的一本部级期刊。

真空电子技术杂志创刊于1959,发行周期为双月刊,杂志类别为电子类。

真空电子技术杂志

部级期刊

  • 主管单位:中国电子科技集团公司

  • 主办单位:北京真空电子技术研究所

  • 国际刊号:1002-8935

  • 国内刊号:11-2485/TN

  • 发行周期:双月刊

  • 从石墨烯开关看电子在石墨烯中的奇异行为

    关键词: 石墨烯  零带隙半导体  重构逻辑电路  

    与固态器件相比,真空电子器件的最大特点是电子在真空中的运动速率远大于在固体中的运动速率.然而,石墨烯的问世使这种现象发生了变化.现已发现,石墨烯中的电子不仅运动速率远高于传统半导体中的电子,而且存在各种奇特行为,使石墨烯的研究和应用备受关注.本文首先对普通晶体管材料和石墨烯中的电子行为进行比较,然后介绍石墨烯p-n结的特性和石墨...

  • 全球最薄可弯曲有机发光二极管问世

    关键词: 有机发光二极管  可弯曲  日本东京大学  开普勒  奥地利  新华社  

    新华社东京7月29日电日本东京大学和奥地利约翰·开普勒大学的联合研究小组最新宣布,他们研发出世界最薄最轻的有机发光二极管(OLED),可随意弯曲,厚度仅为2μm。

  • Na1/2Bi1/2TiO3基无铅压电体系退极化行为

    关键词: na1  2bi1  2tio3  无铅压电  退极化行为  bi基钙钛矿  

    本文总结了钛酸铋钠[Na1/2Bi1/2 TiO3,BNT]的相变过程,特别是其低温下出现的退极化现象的研究现状.同时,对目前研究的NBT基复合体系的准同型相界及其退极化行为方面的研究进展进行了总结,归纳了关于影响退极化温度的机制的几种观点.

  • PZN-PZT多元系压电陶瓷的研究进展

    关键词: 压电陶瓷  研究进展  

    PZN-PZT压电陶瓷由于具有优越的电学性能和较高的居里温度而成为目前研究与应用最为广泛的多元系压电陶瓷材料之一.本文主要介绍了其结构特点、改性方法及器件应用的研究进展,并展望了其发展趋势.

  • 99%氧化铍陶瓷活化Mo-Mn金属化机理研究

    关键词: 封接强度  金属化机理  过渡层  玻璃相  

    采用活化Mo-Mn法对99%氧化铍陶瓷进行了金属化实验和抗拉强度实验.封接强度实验结果表明,活化Mo-Mn法适合99%氧化铍陶瓷金属化封接,其焊接强度与氧化铝陶瓷相当.通过对99%氧化铍陶瓷金属化层的显微结构及金属层中的元素在金属层及陶瓷中的分布情况分析,探讨了99%氧化铍陶瓷Mo-Mn金属化机理.研究发现,99%氧化铍陶瓷金属化时,在氧化铍陶瓷和M...

  • 高纯氧化铝陶瓷表面形貌对Mo-Mn法金属化封接强度的影响

    关键词: 高纯al2o3陶瓷  表面形貌  封接强度  

    本文通过不同烧结温度制备出两种显微结构的高纯Al2O3陶瓷,采用四种不同的加工方式,制备出不同表面状态的高纯Al2O3陶瓷样品.利用轮廓仪测量样品表面粗糙度,并利用扫描电镜对其表面显微形貌进行分析.然后,将各种不同表面形貌的高纯Al2O3陶瓷进行高温Mo-Mn法金属化,并用Ag焊料进行封接.最后,测试出不同表面形貌的高纯Al2O3陶瓷金属化封接强度,进...

  • Mo-Mn金属化层对氧化铝陶瓷抗折强度的影响

    关键词: al2o3瓷  金属化热处理  抗折强度  

    本文通过比较95% Al2O3瓷和高纯Al2O3瓷Mo-Mn金属化前后的抗折强度,发现金属化层有助于提高瓷本身的抗折强度.约25 μm厚的金属化层使95% Al2O3瓷的抗折强度提高20%左右,使高纯Al2O3瓷抗折强度的提高则高达70%.实验通过扫描电镜及光学显微镜观察分析,认为金属化层提高瓷件抗折强度的主要原因是金属化层通过塑性变形吸收了来自裂纹扩展的大量...

  • “开桶即用”陶瓷金属化专用钼粉的开发与应用

    关键词: 钼粉  陶瓷金属化  开桶即用  真空开关管  激光粒度  玻璃相迁移  

    本文概述了陶瓷金属化专用钼粉开发的重要性和现状,汇总并分析了钼粉相关的国家标准、行业采购标准及表征方法;结合“开桶即用”陶瓷金属化专用钼粉的开发与应用,重点探讨了激光粒度测试的重复性和准确性、主含量Mo的测定及钼粉工艺适应性等问题;仅通过金属化工艺微调,即可使专用钼粉获得成功应用,同时提高陶瓷金属化产品质量、节能降耗、替代...

  • 氮化铝陶瓷直接覆铜基板界面空洞控制技术研究

    关键词: 氮化铝陶瓷  直接覆铜  界面空洞  

    氮化铝陶瓷直接覆铜基板是将铜箔在高温下直接键合到氮化铝陶瓷表面而制成的一种复合陶瓷基板,具有高导热性、高电绝缘性、大电流容量、高机械强度等特点,广泛应用于智能电网、动力机车、汽车电子等电力电子领域.本文从机理上分析了氮化铝覆铜基板界面空洞产生的原因,研究了影响界面空洞的主要技术参数,得出结论:氮化铝和无氧铜表面氧化层均匀...

  • 锆钒铁吸气剂常温激活吸氢现象的研究

    关键词: 锆钒铁  吸气剂  常温激活  吸氢  贮氢  弱化学吸附  

    介绍了锆钒铁吸气剂在室温(约20℃)下真空放置,不需高温激活即具有大量吸氢能力的现象.着重从表面吸附的角度分析此现象的反应机理,建立了反应模型,并进行了试验验证,由此得到影响该现象的主要因素.针对该现象的研究对于锆钒铁等吸气材料应用于蓄能电池、贮氢材料、核物理应用等领域具有重要意义.

  • 烟雾摇身变电能

    关键词: co2排放  电能  烟雾  碳酸氢根离子  普通电池  研究人员  化学能源  氢离子  

    研究人员开发出一种包含两个阶段的程序,使用被称为电容电化电池的设备,可以在CO2排放过程中收获化学能源。该设备与普通电池大致相似,有两个电极——其中一个外层包膜,允许氢离子进出,另外一个则允许CO2溶于水时产生的碳酸氢根离子进出。

  • 夹持杆材料对螺旋线慢波组件散热性能的影响

    关键词: 螺旋线行波管  慢波组件  散热性能  夹持杆  

    慢波组件是螺旋线行波管的关键组成部分,它的性能优劣直接决定着整管水平.本文利用无变形热挤压方法制备了不同材料夹持杆的慢波组件.分析比较了不同夹持杆对慢波组件散热性能的影响.介绍了将金刚石应用于螺旋线慢波组件的研究.

  • ZrO2含量对ZTA陶瓷力学性能及电学性能的影响

    关键词: zro2  zta陶瓷  力学性能  电学性能  渗流理论  

    通过凝胶注模法制备了ZTA陶瓷材料,研究了ZrO2添加量对ZTA陶瓷微观形貌、力学性能以及电学性能的影响.结果表明:随着ZrO2添加量增加,材料的力学性能先增加后降低,添加量为20%(体积比)时,ZTA陶瓷抗弯强度和断裂韧性达到最高值,分别为813MPa和5.29 MPa ·m1/2;ZrO2的添加能有效抑制氧化铝晶粒的长大;ZTA陶瓷的断裂模式以穿晶断裂为主;随着Zr...

  • 窗片介质材料对输出窗功率容量的影响

    关键词: 功率容量  介质损耗  热导率  

    本文介绍了研制大功率速调管的过程中输出窗的失效现象,比较了两种窗片介质材料氧化铍与氧化铝的性能特点;通过实际制管后的热测数据证明,相同条件下窗片材料氧化铍比氧化铝对输出窗的功率容量的提高更显著,在研制大功率速调管过程中窗片材料氧化铍是比氧化铝更为优良的介质材料.

  • 凝胶注模法制备氧化铝基片常见微观缺陷分析

    关键词: 微观缺陷  团聚  气孔  微裂纹  夹杂物  

    氧化铝陶瓷在成型、烧成以及机加工等过程中都会或多或少的产生一些微观缺陷,分析了几类常见微观缺陷,提出避免缺陷产生的相关措施.

  • 科学家合成新型短波长非线性光学材料

    关键词: 非线性光学材料  设计合成  短波长  科学家  硼硅酸盐  科研人员  应用化学  研究所  

    中科院新疆理化技术研究所科研人员成功设计合成了富硼硅酸盐——Cs2B4SiO9,从而为新型短波长非线性光学材料的研究提供了新体系。相关成果以通讯形式发表于德国《应用化学》杂志。

  • 粉末注射成形制备氮化铝陶瓷

    关键词: 粉末注射成形  氮化铝  烧结  热导率  

    以氮化铝粉末为原料,添加5%Y2O3,通过注射成形工艺,制备出全致密、热导率为182 W/m·K的氮化铝陶瓷.研究了氮化铝陶瓷烧结过程中致密过程及组织变化,合理制订了复杂形状氮化铝陶瓷的烧结工艺,制备出了高尺寸精度,高热导率的氮化铝电子封装零件.

  • 燃烧合成前驱物制备超细AlN-SiC复合粉末

    关键词: 低温燃烧合成  前驱物  两步碳热还原  

    以硅溶胶(SiO2·nH2O)、葡萄糖(C6H12O6·H2O)、硝酸铝(Al(NO3)3)和尿素(CO(NH2)2)为原料,采用低温燃烧合成方法,制备出粒度细小、混合均匀的(Al2O3+SiO2+C)前驱物,然后将前驱物采用两步碳热还原反应制备AlN-SiC复合粉末.研究结果表明:(Al2O3+SiO2+C)前驱物具有较高的反应活性,还原反应速率快,前驱物首先在1600℃通氩气保温3...

  • 氧化铝涂层钼模具的制备

    关键词: 喷涂  钼基底  超细氧化铝  高温烧结  

    采用喷涂法在钼模具基底上沉积一层超细Al2O3,在H2气保护气氛下,经过高温烧结形成一层致密的α-Al2O3氧化膜.制备的模具结构尺寸精度较高,而且涂层氧化铝不与焊料浸润,克服了不锈钢模具配合间隙较难控制,三高石墨蒸散污染以及纯钼模具粘模的缺点.

  • 玻璃相与陶瓷金属化技术

    关键词: 玻璃相  陶瓷金属化  机理  

    本文叙述了陶瓷金属化技术的发展过程和玻璃相在金属化技术中的重要作用.讨论了几种主要金属化机理,提出了陶瓷中玻璃相和金属化层中玻璃相的相互关系.

  • 原子吸收光谱法测定铝合金中铅含量测量结果的不确定度评定

    关键词: 原子吸收光谱法  铝合金  铅  不确定度  

    通过对原子吸收光谱法测定铝合金中铅的不确定度的系统分析,阐述了测量结果不确定度主要来源于测量试液中铅的浓度、试液定容体积及样品质量产生的不确定度,并对这些分量进行了量化计算,最后计算出合成标准不确定度和扩展不确定度.同时通过评估,得出影响铅含量测定不确定度的主要因素是测量试液中铅浓度引起的不确定度.

  • Mo粉对95瓷金属化工程化生产的影响

    关键词: 粉体处理工艺  粒度  抗拉强度  

    本文采用两种不同的Mo粉处理工艺,将Mo粉中团聚体打开,获得粒度较小的Mo粉体,然后,找出适合处理后的Mo粉丝网印刷工艺.结果发现,Mo粉通过湿磨工艺处理后,D50可以降至1.78μm.用该种粉体金属化后的95% Al2O3陶瓷,其金属化层致密、均匀,封接强度较干磨工艺处理Mo获得的金属化封接强度提高了2.5倍,达到350MPa以上.

  • 中国科学家研制出首个半浮栅晶体管

    关键词: 中国科学家  晶体管  浮栅  微电子器件  mosfet  复旦大学  研究成果  

    复旦大学微电子学院张卫课题组成功研制出第一个介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的半浮栅晶体管(SFGT)。8月9日,美国《科学》杂志刊发了该研究成果。这是我国科学家首次在该杂志上发表微电子器件领域的论文,标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得重大突破。

  • 95%氧化铝陶瓷大型产品烧成工艺的研究

    关键词: 大型产品  烧成工艺  开裂  

    本文通过分析95%氧化铝陶瓷产品烧成过程中物理化学变化以及在高温下致密化过程,拟订适合大型产品烧成的工艺参数,并通过试验验证,以实现控制大型产品开裂变形等缺陷.

  • 行波管高频耦合系统的优化

    关键词: 行波管  耦合系统  驻波比  

    本文使用HFSS软件对X波段大功率耦合腔行波管的高频耦合系统进行模拟,探讨了各个参量对匹配的影响,并在实际的冷测中灵活调配,使某管型冷带内的匹配得到明显的改善,有效解决了增益波动大、带边振荡风险高的问题,大大缩短了冷测调试时间.

  • C波段宽带接收机保护器的设计仿真

    关键词: 接收机保护器  cst软件  

    本文介绍了一款C波段宽带接收机保护器,并对该接收机保护器的设计方案和CST软件仿真过程进行了简要说明.

  • 高功率正交场器件中反同轴高频结构设计

    关键词: 高功率  低成本  反同轴高频慢波结构  短毫米波  微波功率源  反同轴磁控管  

    本文通过介绍反同轴高频(慢波)结构在正交场器件中的典型设计应用.试图为低成本正交场微波源高功率化找到一种新的实现方法,而不是一味地要求提高阴极的发射性能.同时探讨利用新型高次模(2π)腔体的可能性.通过简单的分析和公式推导归纳和PIC高频仿真软件的腔体模拟计算得到了预期的场分布模型.基本映证了2π模反同轴高频慢波结构工程应用的可...

  • 中以科学家用廉价白光源实现量子高精密测量

    关键词: 中国科学技术大学  量子信息  精密测量  光源  廉价  家用  测量精度  重点实验室  

    中国科学技术大学中科院量子信息重点实验室李传锋研究组与量子弱测量理论奠基人之一以色列教授Vaidman的研究组合作,日前开发出新型量子弱测量技术,首次利用廉价的商用发光二极管白光源实现量子高精密测量,时间测量的精度达到阿秒量级(1阿秒=10^-18s),相应距离的测量精度达到0.1nm,即可以分辨出一个原子大小的位置移动。同时,探测装置...

  • 《真空电子技术》征稿启事

    关键词: 真空电子技术  中国电子科技集团公司  引文数据库  征稿  科技期刊  行业协会  核心期刊  

    《真空电子技术》是我国真空电子领域内创刊较早的全国性综合类科技期刊,由中国真空电子行业协会,电子部电真空情报网及中国电子科技集团公司第12研究所联合主办。《真空电子技术》创刊于1959年,国内外公开发行,在真空电子业界具有广泛的影响。本刊为中国科技论文核心期刊,中国真空电子行业协会会刊,中国科技论文统计源刊,中国核心期刊(...

  • 北京真空电子技术研究所

    关键词: 真空电子技术  研究所  北京  工程技术人员  激光技术  占地面积  中心地区  电子城  

    北京真空电子技术研究所建于1957年,主要从事真空、电子和激光技术的研究,位于北京电子城中心地区占地面积23万平方米。目前拥有职工1000余名,其中工程技术人员占57%。

免责声明

若用户需要出版服务,请联系出版商,地址:北京市朝阳区酒仙桥路13号,邮编:100015。