真空科学与技术学报杂志

Ag（110）表面并四苯薄膜生长光电子谱研究

关键词: 光电子谱  薄膜生长  价带  带结构  有机分子  电子性质  能级  功函数  有机半导体  极化  

利用光电子能谱研究了有机半导体并四苯(tetracene)与金属Ag(110)界面的相互作用特性和电子性质,UPS测量给出tetracene的价带结构,其价带顶(HOS)位于费密能级以下约2.6 eV处.XPS测量显示Ag 3d和C 1s谱峰几乎没有位移,表明tetranece与衬底Ag之间相互作用弱.随着tetracene在Ag(110)表面的沉积,功函数在初始阶段快速减小,继续沉积tetracene其功函数...

新型荫罩式PDP中电极对放电特性影响模拟分析

关键词: pdp  荫罩  放电单元  放电特性  电极  放电空间  电感  放电性能  等位面  输入功率  

SM-PDP中可以通过改变电极宽度,使放电空间的等位面沿电极增加的方向扩展,在等位面扩展的区域电场得到增强,从而改善SM-PDP的放电性能.但在性能改善的同时,相邻电极间的电感加大,输入功率增加,这对SM-PDP性能的提高是不利的.本文采用三维模拟方法,详细研究了在不同电极宽度情况下,SM-PDP放电单元的放电特性,为在设计SM-PDP时选择合适的电极宽度...

异质外延MgO／SrTiO3薄膜中界面应力研究

关键词: 薄膜生长  基片  外延生长  界面应力  单晶  晶胞  位错  异质外延  叠层  反射高能电子衍射  

本文利用激光分子束外延(LMBE)技术在SrTiO3(100)单晶基片上外延生长MgO薄膜,同时又在MgO(100)单晶基片上外延生长SiTiO3(STO)薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)仪原位实时监测薄膜生长,研究薄膜的生长过程.并结合X射线衍射(XRD)仪来分析在不同的生长条件下,不同应力对薄膜外延生长的影响.在压应力情况下,MgO薄膜在STO基片上以单个晶胞叠层的方...

AC-PDP放电特性参量及其测量

关键词: 放电单元  参量  放电特性  交流等离子体显示器  维持电压  击穿电压  串联电容  放电过程  电容比  

根据气体放电特性和交流等离子体显示器的放电单元结构,提出了AC-PDP等效电路模型和表征该模型的3个特性参量:击穿电压、气体维持放电的最小电压和放电单元电容比.通过分析放电过程,推导出最大维持电压、最小维持电压和维持电压余裕度的表达式.利用外接串联电容,提出一种放电特性参量的测量方法,并对12英寸PDP实验屏进行实际测量,获得了放电特性...

X射线光刻掩模加工过程中的形变研究

关键词: 掩模  x射线光刻  平面形  刻蚀  厚度  显影  形变量  加工过程  直径  

对以SiNx为衬基的X射线光刻掩模在背面刻蚀过程中的形变进行数值仿真,研究了Si片和衬基的各种参数对掩模最大平面内形变和非平面形变的影响.结果表明,参数的变化明显影响最大非平面形变量.当Si片的厚度和直径增大,衬基的厚度和初始应力减小时,最大平面内形变与非平面形变减小,而衬基的材料对两者的影响不明显.

定容式流导法微流量校准装置

关键词: 流量计  流量校准  真空漏孔  

定容式流导法微流量校准装置是气体微流量的计量标准,可采用定容法和流导法对气体微流进行校准,校准范围为(5×10-2～5×10-11)Pa·m3/s,合成标准不确定度为0.56%～1.7%.

半金属铋薄膜导电特性和粗糙度的研究

关键词: 薄膜生长  连续  薄膜电阻  最小值  导电特性  粗糙度  定值  导通  真空镀膜  

本论文利用真空镀膜方法在云母片上生长半金属Bi薄膜,测量了薄膜生长厚度与电阻之间的关系,并用原子力显微镜(AFM)研究了云母表面半金属薄膜电阻变化与薄膜粗糙度间的关系.生长初始阶段,薄膜先形成孤立的三维小岛(典型高度1 nm,直径10 nm,间距10 nm),随后互相聚结形成网状结构,薄膜不导通(R≥20 MΩ),粗糙度随膜厚增加而减小.当等效厚度d=1.74 nm...

电弧放电法制备SiC纳米丝的实验研究

关键词: 纳米丝  电弧放电法  tem  sio2  碳化硅  sem  阴极  水冷  xrd  粉末  

电弧放电法实验制备了碳化硅纳米丝.在6 mm的石墨棒中心钻一个4 mm的孔,将50at.%C+50at.%SiO2的粉末充分混合,填入其中作电弧放电阳极,水冷铜靶作阴极,放电电流70 A,收集放电后产生的粉末,用XRD、激光拉曼光谱、SEM、TEM进行分析.SEM和TEM照片表明其中有大量的实心纳米丝,其直径30 nm～50 nm,长度5 μm以上,XRD分析表明其为β-SiC,拉曼光谱中...

射频磁控共溅射制备光催化Ag-TiO2薄膜

关键词: tio2薄膜  光催化  共溅射法  亚甲基蓝  循环伏安法  光电化学  锐钛矿结构  射频  增强  电子  

采用射频磁控共溅射法制备Ag-TiO2复合薄膜,通过控制Ag靶的溅射时间可调节Ag与TiO2的比例.所制备的Ag-TiO2薄膜为锐钛矿结构.通过紫外光照降解亚甲基蓝溶液和循环伏安法研究Ag-TiO2薄膜光催化及光电化学特性.实验结果表明:掺1.5% Ag的Ag-TiO2薄膜在紫外光照射下能增强亚甲基蓝溶液的降解并得到更大的光生电流.这种光催化的增强主要是由于光生电...

非晶Co-Nb-Zr薄膜的纳米晶化及磁性

关键词: 纳米晶化  非晶  形核  晶化行为  基体  晶化温度  tem  磁性  薄膜  一维  

采用扫描式差热(DSC)分析、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、梯度样品磁强计(AGM)和磁力显微镜(MFM),研究磁控溅射制备的Co80.8Nb14Zr5.2磁性薄膜,在485℃～550℃间的等温晶化行为以及快速纳米晶化30 s后的薄膜结构和磁性.结果表明,非晶薄膜的晶化温度在420℃～450℃,Avrami指数在1.17～1.39,晶化行为以一维形核长大为主.纳米晶Co-Nb-Zr薄膜的磁...

类金刚石磁盘保护膜的性能、应用与制备

关键词: 非晶碳膜  连续  类金刚石膜  原子  类金刚石薄膜  上限  磁存储  等离子体增强化学气相沉积  超薄  磁头  

类金刚石膜在磁盘和读写磁头之上形成一层关键的保护膜.磁存储密度的飞速发展可以使存储密度上限达到1万亿字节/英寸2.这要求读写磁头距离磁盘更近,即需要一层仅1 nm～2 nm厚的类金刚石薄膜.四面体结构的非晶碳膜能够满足磁存储技术的要求,即形成原子尺度平滑、连续、致密,只有几个原子层厚的碳膜.磁过滤阴极弧方法、等离子体增强化学气相沉积方...

二代近贴聚焦像增强器纳秒响应技术研究

关键词: 像增强器  光电阴极  近贴聚焦  纳秒  面发射  光电发射  时间响应  电子  电阻  管子  

从理论上对光电阴极面发射电子过渡过程进行分析,光电阴极面电阻是影响光电发射过渡过程的主要因素.通过对光电阴极制备技术改造,使二代近贴聚焦像增强器的管子时间响应小于2ns.

锑在直流反应磁控溅射制备二氧化钛薄膜中的作用

关键词: 直流反应磁控溅射  tio2薄膜  类似  二氧化钛薄膜  raman光谱  表面  sims  xrd  xps  劣化  

用直流反应磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Sb修饰TiO2薄膜,利用XRD,Raman光谱以及SIMS研究了Sb对其表面结晶情况的影响并用XPS及SIMS分析了薄膜的成分.结果表明一定程度Sb的修饰对TiO2薄膜成晶有优化作用,起到了类似表面活性剂的作用,并使薄膜表面的光致亲水性能得到改善.当Sb修饰过量时,破坏了TiO2原有的晶格结构,劣化了薄膜表面的光致亲水性.

电子束蒸镀制备的Mg-Zr-O复合介质保护膜结晶取向的研究

关键词: 结晶取向  蒸镀  复合介质  掺杂  zro2  晶格畸变  衍射  保护膜  基板  电子束  

采用电子束蒸发制备Mg-Zr-O复合介质保护膜,使用X射线衍射测试Mg-Zr-O复合介质保护膜的结晶择优取向,研究了ZrO2掺杂及工艺参数对Mg-Zr-O复合介质保护膜结晶取向的影响.结果表明,ZrO2掺杂会使Mg-Zr-O复合介质保护膜产生晶格畸变,并改变其结晶取向.当ZrO2掺杂比为0和0.10时,晶格畸变较小,容易获得(111)结晶取向;当ZrO2掺杂比为0.05和0.20时,晶格...

Al诱导a-Si：H薄膜的晶化

关键词: si衬底  非晶硅  幅度  等离子体化学气相沉积  晶化  单晶  结晶取向  热处理过程  成核  

采用等离子体化学气相沉积方法在镀Al玻璃及单晶Si衬底上制备了氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了样品在不同的热处理过程中Al对其晶化过程的影响.X射线衍射测量发现,由于Al的存在使a-Si:H的晶化温度大幅度降低,并得到了有强烈(111)结晶取向的多晶Si薄膜.X射线光电子能谱分析表明,热处理过程中Al向Si薄膜表面的扩散降低了Si的成核温度.

《真空科学与技术学报》杂志社通告

氮分压对反应溅射（Ti，Al）N薄膜微结构与力学性能的影响

关键词: 薄膜  力学性能  硬度  力学探针  相组织  eds  分压  反应溅射  微结构  

采用Ti-Al复合靶在不同氮分压下制备了一系列(Ti,Al)N薄膜,用EDS、XRD、TEM和微力学探针表征了薄膜的沉积速率、化学成分、微结构和力学性能.结果表明,氮分压对(Ti,Al)N薄膜影响显著:合适的氮分压可以得到化学计量比的(Ti,Al)N薄膜,薄膜为单相组织,并呈现(111)择优取向,最高硬度和弹性模量分别达到34.4GPa和392GPa;过低的氮分压不但会造成薄膜贫...

总气压对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响

关键词: tio2薄膜  光学性质  直流反应磁控溅射  折射率  气压  晶体结构  硅基底  短波  对消  反射率  

用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定电源功率、氩气流量42.6 sccm、氧流量15 sccm、溅射时间30 min的条件下,通过控制总气压改变TiO2薄膜的光学性质.应用n& k Analyzer 1200测量,当总气压增加时薄膜的平均反射率降低,同时反射低谷向短波方向移动,总气压对消光系数k影响不大;随着总气压的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势...

气离溅射离子镀制氮化钛

关键词: 离子镀  氮化钛  磁控溅射  膜层  离子轰击  金属  镀膜  空分  离子源  中频电源  

本文详细介绍了气体离子源增强磁控溅射(气离溅射)反应离子镀膜技术和系统配置.特别是首次提出空分气离溅射的新概念,实现了磁控溅射金属镀膜过程和气体离子轰击化学反应过程在真空室内空间上的分离,从而保证空分气离溅射反应离子镀膜过程的长时间稳定性、重复性和一致性.当磁控溅射源采用中频电源驱动、最新开发的气体离子源采用脉冲直流电源后...

北仪迁址启事

一种新型Si电子束蒸发器的研制及其应用研究

关键词: 电子束蒸发  量子点  缓冲层  输出功率  薄膜  束流  自组装  单晶  表面  

我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长.由于采用悬臂式设计,它完全克服了高压短路的问题.电子束蒸发器的性能试验表明,稳定输出功率可以控制输出稳定的Si束流.应用这种电子束蒸发器可以在700 ℃,成功沉积出平整的单晶Si薄膜.进一步的试验表明,在这种缓冲层表面可以自组装生长出Ge量子点.

规范关键词选择的决定（试行）

学术论文英文摘要写作质量标准

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